任何信號(hào)的傳輸都存在一個(gè)閉環(huán)的回路，當(dāng)電流從驅(qū)動(dòng)端流入接收端的時(shí)候，必然會(huì)有一個(gè)回流電流通過與之相鄰的導(dǎo)體從接收端回流至驅(qū)動(dòng)端，構(gòu)成一個(gè)閉合的環(huán)路，而環(huán)路的大小卻和EMI的產(chǎn)生有著很大的關(guān)系，我們都知道，每一個(gè)環(huán)路都可以等效為一個(gè)天線，環(huán)路數(shù)量或者面積越大，深圳GJB151BEMI分析整改屏蔽，引起的EMI也越強(qiáng)。我們知道，交流信號(hào)會(huì)自動(dòng)選取阻抗小的路徑返回驅(qū)動(dòng)端，但實(shí)際情況中，信號(hào)不可能始終保持的理想路徑，特別是在高密度布線的PCB板上，深圳GJB151BEMI分析整改屏蔽，過孔，縫隙等都可能降低參考平面理想的特性，而是表現(xiàn)為更復(fù)雜的回流形式。電源DC-DC晶片的VIN接腳，深圳GJB151BEMI分析整改屏蔽，合理配置電容，減少輸入電源的EMI。深圳GJB151BEMI分析整改屏蔽

20-30MHZ，（整改建議）1、對(duì)于一類產(chǎn)品可以采用調(diào)整對(duì)地Y2電容量或改變Y2電容位置；2、調(diào)整一二次側(cè)間的Y1電容位置及參數(shù)值；3、在變壓器外面包銅箔；變壓器里層加屏蔽層；調(diào)整變壓器的各繞組的排布。因?yàn)樗鼈兊墓逃械碾娏骷半妷翰ㄐ�，以非常快速的開關(guān)時(shí)間變化。200MHZ以上，開關(guān)電源已基本輻射量很小，一般均可過EMI標(biāo)準(zhǔn)。修改Inlet上L.N對(duì)GND并的CY電容（容量范圍470PF-4700PF），對(duì)輻射的50MHz-110MHz，190MHz-240MHz均有改善.高壓地對(duì)Case地跨CY電容（容量范圍470PF-4700PF），對(duì)輻射40MHz-55MHz，80MHz-130MHz，160MHz-180MHz，均有改善。高壓電容正負(fù)極并瓷片電或SMD電容（容量范圍1000PF-4700PF/1KV），對(duì)輻射40MHz-90MHz，110MHz-170MHz均有改善。深圳GJB151BEMI分析整改屏蔽EMI是電子電器產(chǎn)品經(jīng)常遇上的問題。干擾種類有傳導(dǎo)干擾和輻射干擾。

信號(hào)端口濾波需要考慮的問題點(diǎn)：l端口傳輸信號(hào)不能由于任何原因信號(hào)不完整的問題；l普通磁珠，差分濾波器會(huì)對(duì)差分信號(hào)產(chǎn)生衰減，阻抗過大甚至引起差分信號(hào)時(shí)序錯(cuò)亂，左右信號(hào)不對(duì)稱。（共模濾波器可以使差分信號(hào)順利通過，而對(duì)共模的干擾信號(hào)呈較高阻抗）；這是我從LVDS信號(hào)線上抓的一個(gè)頻譜，區(qū)域的尖峰，在頻譜上一直很穩(wěn)定，一般這種信號(hào)是時(shí)鐘串?dāng)_到信號(hào)線上的信號(hào)，必須濾除。其他在頻譜上不斷跳動(dòng)但是頻域不會(huì)變化，這是有用的信號(hào)，不能有所破壞。

訊號(hào)線和接地平面之間存在訊號(hào)，輻射可以由訊號(hào)走線或者接地平面的中斷所引起，所以要注意訊號(hào)走線下方的接地平面是否完整。有效降低電路EMI的技巧：因CMOS電路在時(shí)脈轉(zhuǎn)換期間吸收的電流要高出平均流耗10mA的標(biāo)準(zhǔn)，而在時(shí)脈轉(zhuǎn)換周期之間的流耗非常低甚至為零，所以輻射限制方法是電壓和電流的峰值，不是平均值。在時(shí)脈轉(zhuǎn)換過程中從電源至晶片電源接腳額電流浪涌是一個(gè)主要的輻射源，近端位置增加旁路電容，那晶片所需的電流直接由該電容提供，避免了電流浪涌的產(chǎn)生，減少了雜訊。EMI 整改：對(duì)于差模干擾超標(biāo)可調(diào)整 X 電容量,添加差模電感器，調(diào)差模電感量。

介紹俺的EMI整改經(jīng)驗(yàn)：關(guān)于晶體部份：1、晶體到MCU的兩條線不要太細(xì)，盡量短直，且這兩條線與兩個(gè)負(fù)載電容所包圍的面積要越小越好，電容地端，好單獨(dú)用較寬的走線單獨(dú)引至MCU振蕩地，不要與大面積地銅箔相連；2、晶體背面好是整片的地銅箔，不要走其它線，也不要在晶體正面上方走別的線；3、有的MCU與不適合的晶體配合，振幅過高，產(chǎn)生截頂失真，便會(huì)產(chǎn)生較強(qiáng)的基波及強(qiáng)烈的諧波輻射，這種情況需在Xout上造近MCU一端串幾十至幾百歐電阻，讓振幅峰峰值降至VCC的1/2~2/3為宜。電源平面和地平面盡量完整。深圳GJB151BEMI分析整改屏蔽

在輸出端合理配置電感或鐵氧體磁珠，這樣電路動(dòng)態(tài)功率將從近端的電容獲取。深圳GJB151BEMI分析整改屏蔽

整改方案，如下：從傳導(dǎo)的曲線上1MHz前超標(biāo)的情況可以看出差模電容X太小了，所以修改了X電容變成0。22uF。而1-5MHz之間也超標(biāo)，所以增加共模電感到50mH，這項(xiàng)頻率超標(biāo)一般主要是有變壓器的漏感造成的。在變壓器的外面增加了一個(gè)屏蔽銅箔，并接入熱地。（同時(shí)做了別外一個(gè)變壓器，去除原變壓器內(nèi)部的屏蔽層，改變了變壓器的繞線方式，在變壓器的外面做了屏蔽并接入熱地用備用）同時(shí)將MOS管和雙向二極管的散熱片也接入熱地。同時(shí)將MOS管的D、S兩腳間增加了一個(gè)101/1KV的電容，做完以上的整改方案后做了一次測(cè)試。深圳GJB151BEMI分析整改屏蔽

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