場效應(yīng)管的測試判定估測場效應(yīng)管的放大能力:　將萬用表撥到R×100檔，紅表筆接源*S，黑表筆接漏*D，相當(dāng)于給場效應(yīng)管加上1.5V的電源電壓。這時(shí)表針指示出的是D-S*間電阻值。然后用手指捏柵*G，將人體的感應(yīng)電壓作為輸入信號(hào)加到柵*上。由于管子的放大作用，UDS和ID都將發(fā)生變化，也相當(dāng)于D-S*間電阻發(fā)生變化，上海N型場效應(yīng)管原理，可觀察到表針有較大幅度的擺動(dòng)，上海N型場效應(yīng)管原理。如果手捏柵*時(shí)表針擺動(dòng)很小，上海N型場效應(yīng)管原理，說明管子的放大能力較弱；若表針不動(dòng)，說明管子已經(jīng)損壞。場效應(yīng)管的抗輻射能力強(qiáng)。上海N型場效應(yīng)管原理

用測電阻法判別場效應(yīng)管的好壞：測電阻法是用萬用表測量場效應(yīng)管的源*與漏*、柵*與源*、柵*與漏*、柵*Ｇ1與柵*Ｇ2之間的電阻值同場效應(yīng)管手冊(cè)標(biāo)明的電阻值是否相符去判別管的好壞。具體方法：首先將萬用表置于Ｒ×１０或Ｒ×100檔，測量源*Ｓ與漏*Ｄ之間的電阻，通常在幾十歐到幾千歐范圍（在手冊(cè)中可知，各種不同型號(hào)的管，其電阻值是各不相同的），如果測得阻值大于正常值，可能是由于內(nèi)部接觸不良；如果測得阻值是無窮大，可能是內(nèi)部斷*。然后把萬用表置于Ｒ×１０ｋ檔，再測柵*Ｇ1與Ｇ2之間、柵*與源*、柵*與漏*之間的電阻值，當(dāng)測得其各項(xiàng)電阻值均為無窮大，則說明管是正常的；若測得上述各阻值太小或?yàn)橥�路，則說明管是壞的。要注意，若兩個(gè)柵*在管內(nèi)斷*，可用元件代換法進(jìn)行檢測。寧波單級(jí)場效應(yīng)管分類場效應(yīng)晶體管以電子或空穴中的一種作為載流子。

場效應(yīng)管的歷史:場效應(yīng)晶體管的點(diǎn)項(xiàng)由朱利葉斯·埃德加·利林費(fèi)爾德于1926年以及奧斯卡·海爾于1934年分別提出。在此17年的權(quán)限期結(jié)束后不久，威廉姆·肖克利的團(tuán)隊(duì)于1947年在貝爾實(shí)驗(yàn)室觀察到晶體管效應(yīng)并闡釋了機(jī)理。隨后，在20世紀(jì)80年代，半導(dǎo)體器件(即結(jié)型場效應(yīng)晶體管)才逐漸發(fā)展起來。1950年，日本工程師西澤潤一和渡邊發(fā)明了點(diǎn)種結(jié)型場效應(yīng)管一一靜電感應(yīng)晶體管 (SIT)。靜電感應(yīng)晶體管是一種短溝道結(jié)型場效應(yīng)管。1959年，由圣虎達(dá)溫·卡恩和馬丁·阿塔拉發(fā)明的金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管 (MOSFET)在很大程度上取代了結(jié)型場效應(yīng)管，并對(duì)數(shù)字電子發(fā)展產(chǎn)生了深遠(yuǎn)的影響。

場效應(yīng)管與雙*性晶體管的比較場效應(yīng)管是電壓控制器件，柵*基本不取電流，而晶體管是電流控制器件，基*必須取一定的電流。因此，在信號(hào)源額定電流*小的情況，應(yīng)選用場效應(yīng)管。場效應(yīng)管是多子導(dǎo)電，而晶體管的兩種載流子均參與導(dǎo)電。由于少子的濃度對(duì)溫度、輻射等外界條件很敏感，因此，對(duì)于環(huán)境變化較大的場合，采用場效應(yīng)管比較合適。場效應(yīng)管除了和晶體管一樣可作為放大器件及可控開關(guān)外，還可作壓控可變線性電阻使用。場效應(yīng)管的源*和漏*在結(jié)構(gòu)上是對(duì)稱的，可以互換使用，耗盡型MOS管的柵一一源電壓可正可負(fù)。因此，使用場效應(yīng)管比晶體管靈活。場效應(yīng)管當(dāng)柵壓為零時(shí)有較大漏*電流的稱為耗盡型。

場效應(yīng)管大功率如何使用：為了防止場效應(yīng)管柵*感應(yīng)擊穿,要求一切測試儀器、工作臺(tái)、電烙鐵、線路本身都必須有良好的接地;管腳在焊接時(shí),先焊源*;在連入電路之前,管的全部引線端保持互相短接狀態(tài),焊接完后才把短接材料去掉;從元器件架上取下管時(shí),應(yīng)以適當(dāng)?shù)姆绞酱_保人體接地如采用接地環(huán)等。在安裝場效應(yīng)管時(shí),注意安裝的位置要盡量避免靠近發(fā)熱元件;為了防管件振動(dòng),有必要將管殼體緊固起來;管腳引線在彎曲時(shí),應(yīng)當(dāng)大于根部尺寸5毫米處進(jìn)行,以防止彎斷管腳和引起漏氣等.場效應(yīng)管的噪聲系數(shù)很小，在低噪聲放大電路的輸入級(jí)及要求信噪比較高的電路中要選用場效應(yīng)管。上海N型場效應(yīng)管原理

結(jié)型場效應(yīng)管可以被用來做恒流集成二*管或者定值電阻。上海N型場效應(yīng)管原理

場效應(yīng)管介紹：場效應(yīng)晶體管（縮寫FET）簡稱場效應(yīng)管。由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電，也稱為單*型晶體管。屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件。具有輸入電阻高（10^8~10^9Ω）、噪聲小、功耗低、動(dòng)態(tài)范圍大、易于集成、沒有二次擊穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)域?qū)挼葍?yōu)點(diǎn)。場效應(yīng)管是電壓控制器件，它通過VGS（柵源電壓）來控制ID（漏*電流）；場效應(yīng)管的輸入端電流*小，因此它的輸入電阻很大。它是利用多數(shù)載流子導(dǎo)電，因此它的溫度穩(wěn)定性較好；它組成的放大電路的電壓放大系數(shù)要小于三*管組成放大電路的電壓放大系數(shù)；由于不存在雜亂運(yùn)動(dòng)的少子擴(kuò)散引起的散粒噪聲，所以噪聲相對(duì)會(huì)比較低。上海N型場效應(yīng)管原理

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