三*管放大電路的原理:共發(fā)射*放大電路共發(fā)射*放大器是應(yīng)用普遍的放大器。所謂的共發(fā)射*放大器就是信號輸入和信號輸出都要依靠發(fā)射*完成的放大器。是一種典型的共發(fā)射*放大器。在該放大器內(nèi),VT是放大管,C1是輸入信號耦合電容,C2是輸出信號耦合電容,R1、R2是VT基*的直流偏置電阻,R3是VT的集電*負(fù)載電阻,VCC是供電電壓,Ui是輸入信號,Uo是輸出信號,徐州晶體三*管用途。直流偏置供電電壓VCC通過R1、R2分壓后,加到VT的基*,為基*提供直流偏置電壓,基*電壓Ub≈VCCR2/(R1+R2)。流過R1的電流分兩路到地:一路通過R2到地,徐州晶體三*管用途,另一路通過VT的發(fā)射*到地,徐州晶體三*管用途。三*管按工作頻率分:低頻管、高頻管、超頻管。徐州晶體三*管用途
三*管的 β 值不是一個不變的常數(shù)。在實際使用中,調(diào)整三*管的集電*電流 I , β 值會隨著發(fā)生變化。一般說來,在 I c 很。ɡ鐜资玻┗蚝艽螅唇咏*大允電流 I CM )時, β 值都比較小,在 1mA 以上相當(dāng)寬的范圍內(nèi),小功率管的 β 值都比較大,所以,同學(xué)們在調(diào)試放大電路時,要確定合適的工作電流 I c ,以獲得佳放大狀態(tài)。另外, β 值也和三*管的其它參數(shù)一樣,跟溫度有密切的關(guān)系。溫度升高, β 值相應(yīng)變大。一般溫度每升高 1℃ , β 值增加 0.5 %~ 1 %。湖州硅管三*管制造商S9014 J6 S9015 M6 這些三*管盟科電子一年產(chǎn)量很高。
三*管的電子運動原理:發(fā)射結(jié)加正向電壓,擴散運動形成發(fā)射*電流IE發(fā)射結(jié)加正向電壓且發(fā)射區(qū)雜質(zhì)濃度高,所以大量自由電子因擴散運動越過發(fā)射結(jié)到達基區(qū)。與此同時,空穴也從基區(qū)向發(fā)射區(qū)擴散,但由于基區(qū)雜質(zhì)濃度低,所以空穴形成的電流非常小,近似分析時可忽略不計。可見,擴散運動形成了發(fā)射*電流IE。由于基區(qū)很薄,雜質(zhì)濃度很低,集電結(jié)又加了反向電壓,所以擴散到基區(qū)的電子中只有*少部分與空穴復(fù)合,其余部分均作為基區(qū)的非平衡少子到達集電結(jié)。又由于電源 VBE的作用,電子與空穴的復(fù)合運動將源源不斷地進行,形成基*電流IB。
電子制作中常用的三*管有9 0× ×系列,包括低頻小功率硅管9013(NPN)、9012(PNP),低噪聲管9014(NPN),高頻小功率管9018(NPN)等。它們的型號一般都標(biāo)在塑殼上,而樣子都一樣,都是TO-92標(biāo)準(zhǔn)封裝。在老式的電子產(chǎn)品中還能見到3DG6(低頻小功率硅管)、3AX31 (低頻小功率鍺管) 等,它們的型號也都印在金屬的外殼上。一部分的3表示為三*管。 二部分表示器件的材料和結(jié)構(gòu),A: PNP型鍺材料 B: NPN型鍺材料 C: PNP型硅材料 D: NPN型硅材料 三部分表示功能,U:光電管 K:開關(guān)管 X:低頻小功率管 G:高頻小功率管 D:低頻大功率管 A:高頻大功率管。另外,3DJ型為場效應(yīng)管,BT打頭的表示半導(dǎo)體特殊元件。三*管按結(jié)構(gòu)分: NPN 、 PNP。
雙*管共發(fā)射*接法的電壓-電流關(guān)系輸入特性曲線簡單地看,輸入特性曲線類似于發(fā)射結(jié)的伏安特性曲線,現(xiàn)討論iB和vBE之間的函數(shù)關(guān)系。因為有集電結(jié)電壓的影響,它與一個單獨的PN結(jié)的伏安特性曲線不同。 為了排除vCE的影響,在討論輸入特性曲線時,應(yīng)使vCE=const(常數(shù))。vCE的影響,可以用三*管的內(nèi)部的反饋作用解釋,即vCE對iB的影響。共發(fā)射*接法的輸入特性曲線見。其中vCE=0V的那一條相當(dāng)于發(fā)射結(jié)的正向特性曲線。當(dāng)vCE≥1V時, vCB= vCE - vBE>0,集電結(jié)已進入反偏狀態(tài),開始收集電子,且基區(qū)復(fù)合減少, IC / IB增大,特性曲線將向右稍微移動一些。但vCE再增加時,曲線右移很不明顯。曲線的右移是三*管內(nèi)部反饋所致,右移不明顯說明內(nèi)部反饋很小。深圳生產(chǎn)三*管哪家公司好?徐州晶體三*管用途
三*管發(fā)射區(qū)和基區(qū)之間的PN結(jié)叫發(fā)射結(jié),集電區(qū)和基區(qū)之間的PN結(jié)叫集電結(jié)。徐州晶體三*管用途
BVCEO是三*管基*開路時,集電*-發(fā)射*反向擊穿電壓。如果在使用中加在集電*與發(fā)射*之間的電壓超過這個數(shù)值時,將可能使三*管產(chǎn)生很大的集電*電流,這種現(xiàn)象叫擊穿。三*管擊穿后會造成性損壞或性能下降。 PCM是集電*大允許耗散功率。三*管在工作時,集電*電流在集電結(jié)上會產(chǎn)生熱量而使三*管發(fā)熱。若耗散功率過大,三*管將燒壞。在使用中如果三*管在大于PCM下長時間工作,將會損壞三*管。需要注意的是大功率三*管給出的大允許耗散功率都是在加有一定規(guī)格散熱器情況下的參數(shù)。徐州晶體三*管用途
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