曲面基底上的納米結(jié)構(gòu)在許多領(lǐng)域都有著重要應(yīng)用，例如仿生學(xué)、柔性電子學(xué)和光學(xué)器件等。傳統(tǒng)的納米壓印技術(shù)通常采用剛性模板，可以實現(xiàn)亞10nm的分辨率，但是模板不能彎折，無法在曲面基底上壓印制備納米結(jié)構(gòu)。而采用彈性模板的軟壓印技術(shù)可以在無外界提供壓力下與曲面保形接觸，實現(xiàn)結(jié)構(gòu)在非平面基底上的壓印復(fù)制，但是由于彈性模板的楊氏模量較低，所以壓印結(jié)構(gòu)的分辨率和精度都受到限制。基于目前納米壓印的發(fā)展現(xiàn)狀，結(jié)合傳統(tǒng)的納米壓印技術(shù)和軟壓印技術(shù)，中國科學(xué)院光電技術(shù)研究所團隊發(fā)展了一種基于紫外光固化巰基-烯材料的亞100nm分辨率的復(fù)合軟壓印模板的制備方法，該模板包含剛性結(jié)構(gòu)層和彈性基底層。（來自網(wǎng)絡(luò)，侵權(quán)請聯(lián)系我們進行刪除，謝謝?。?HERCULES ? NIL是完全集成SmartNIL ?的 UV-NIL紫外光納米壓印系統(tǒng)。山東納米壓印芯片堆疊應(yīng)用
UV納米壓印光刻
EV Group提供完整的UV納米壓印光刻（UV-NIL）產(chǎn)品線，包括不同的***積壓印系統(tǒng)，大面積壓印機，微透鏡成型設(shè)備以及用于高 效母版制作的分步重復(fù)系統(tǒng)。除了柔軟的UV-NIL，EVG還提供其專有的SmartNIL技術(shù)以及多種用途的聚合物印模技術(shù)。高 效，強大的SmartNIL工藝可提供高圖案保真度，高度均勻的圖案層和**少的殘留層，并具有易于擴展的晶圓尺寸和產(chǎn)量。EVG的SmartNI技術(shù)達到了納米壓印的長期預(yù)期，即納米壓印是一種用于大規(guī)模生產(chǎn)微米和納米級結(jié)構(gòu)的高性能，低成本和具有批量生產(chǎn)能力的技術(shù)。
上海實驗室納米壓印EVG ? 6200 NT是SmartNIL UV紫外光納米壓印光刻系統(tǒng)。
IQ Aligner UV-NIL特征：
用于光學(xué)元件的微成型應(yīng)用
用于全場納米壓印應(yīng)用
三個**控制的Z軸，可在印模和基材之間實現(xiàn)出色的楔形補償
三個**控制的Z軸，用于壓印抗蝕劑的總厚度變化（TTV）控制
利用柔軟的印章進行柔軟的UV-NIL工藝
EVG專有的全自動浮雕功能
抵抗分配站集成
粘合對準和紫外線粘合功能
IQ Aligner UV-NIL技術(shù)數(shù)據(jù)：
晶圓直徑（基板尺寸）：150至300毫米
解析度：≤50 nm（分辨率取決于模板和工藝）
支持流程：柔軟的UV-NIL，鏡片成型
曝光源：汞光源
對準：≤±0.5微米
自動分離：支持的
前處理：涂層：水坑點膠（可選）
迷你環(huán)境和氣候控制：可選的
工作印章制作：支持的
IQ Aligner UV-NIL 自動化紫外線納米壓印光刻系統(tǒng)
應(yīng)用：用于晶圓級透鏡成型和堆疊的高精度UV壓印系統(tǒng)
IQ Aligner UV-NIL系統(tǒng)允許使用直徑從150 mm至300 mm的壓模和晶片進行微成型和納米壓印工藝，非常適合高度平行地制造聚合物微透鏡。該系統(tǒng)從從晶圓尺寸的主圖章復(fù)制的軟性圖章開始，提供了混合和整體式微透鏡成型工藝，可以輕松地將其與工作圖章和微透鏡材料的各種材料組合相適應(yīng)。此外，EV Group提供合格的微透鏡成型工藝，包括所有相關(guān)的材料專業(yè)知識。EV Group專有的卡盤設(shè)計可為高產(chǎn)量大面積印刷提供均勻的接觸力。配置包括從壓印基材上釋放印章的釋放機制。
步進重復(fù)納米壓印光刻可以從比較大50 mm x 50 mm的小模具到比較大300 mm基板尺寸的大面積均勻復(fù)制模板。
納米壓印光刻設(shè)備-處理結(jié)果：
新應(yīng)用程序的開發(fā)通常與設(shè)備功能的提高緊密相關(guān)。 EVG的NIL解決方案能夠產(chǎn)生具有納米分辨率的多種不同尺寸和形狀的圖案，并在顯示器，生物技術(shù)和光子應(yīng)用中實現(xiàn)了許多新的創(chuàng)新。HRI SmartNIL®壓印上的單個像素的1.AFM圖像壓印全息結(jié)構(gòu)的AFM圖像
資料來源：EVG與SwissLitho
AG合作（歐盟項目SNM）
2.通過熱壓花在PMMA中復(fù)制微流控芯片
資料來源：EVG
3.高縱橫比（7：1）的10 μm柱陣列
由加拿大國家研究委 員會提供
4.L / S光柵具有優(yōu)化的殘留層，厚度約為10 nm
資料來源：EVG
5.紫外線成型鏡片300 μm
資料來源：EVG
6.光子晶體用于LED的光提取
多晶硅的蜂窩織構(gòu)化（mc-Si）
由Fraunhofer ISE提供
7.金字塔形結(jié)構(gòu)50 μm
資料來源：EVG
8.**小尺寸的光模塊晶圓級封裝
資料來源：EVG
9.光子帶隙傳感器光柵
資料來源：EVG（歐盟Saphely項目）
10.在強光照射下對HRISmartNIL®烙印進行完整的晶圓照相
資料來源：EVG SmartNIL 非常適合對具有復(fù)雜納米結(jié)構(gòu)微流控芯片進行高精度圖案化，用在下一代藥 物研究和醫(yī)學(xué)診斷設(shè)備生產(chǎn)。浙江納米壓印優(yōu)惠價格
SmartNIL技術(shù)可提供功能強大的下一代光刻技術(shù)，幾乎具有無限的結(jié)構(gòu)尺寸和幾何形狀功能。山東納米壓印芯片堆疊應(yīng)用
EVG ® 720特征：
體積驗證的壓印技術(shù)，具有出色的復(fù)制保真度
專有SmartNIL ®技術(shù)，多使用聚合物印模技術(shù)
集成式壓印，UV固化脫模和工作印模制造
盒帶到盒帶自動處理以及半自動研發(fā)模式
可選的頂部對準
可選的迷你環(huán)境
適用于所有市售壓印材料的開放平臺
從研發(fā)到生產(chǎn)的可擴展性
系統(tǒng)外殼，可實現(xiàn)比較好過程穩(wěn)定性和可靠性技術(shù)數(shù)據(jù)
晶圓直徑（基板尺寸）
75至150毫米
解析度：≤40 nm（分辨率取決于模板和工藝）
支持流程：SmartNIL ®
曝光源：大功率LED（i線）> 400 mW /cm2
對準：可選的頂部對準
自動分離：支持的
迷你環(huán)境和氣候控制：可選的
工作印章制作：支持的
山東納米壓印芯片堆疊應(yīng)用
岱美儀器技術(shù)服務(wù)（上海）有限公司主要經(jīng)營范圍是儀器儀表，擁有一支專業(yè)技術(shù)團隊和良好的市場口碑。公司自成立以來，以質(zhì)量為發(fā)展，讓匠心彌散在每個細節(jié)，公司旗下磁記錄，半導(dǎo)體，光通訊生產(chǎn)，測試儀器的批發(fā)深受客戶的喜愛。公司秉持誠信為本的經(jīng)營理念，在儀器儀表深耕多年，以技術(shù)為先導(dǎo)，以自主產(chǎn)品為重點，發(fā)揮人才優(yōu)勢，打造儀器儀表良好品牌。岱美儀器技術(shù)服務(wù)立足于全國市場，依托強大的研發(fā)實力，融合前沿的技術(shù)理念，飛快響應(yīng)客戶的變化需求。