F3-sX 系列：

F3-sX 系列能測量半導體與介電層薄膜厚度到3毫米,而這種較厚的薄膜與較薄的薄膜相比往往粗糙且均勻度較為不佳

波長選配F3-sX系列使用近紅外光來測量薄膜厚度，即使有許多肉眼看來不透光(例如半導體)。 F3-s980 是波長為980奈米的版本，是為了針對成本敏銳的應用而設計,F3-s1310是針對重摻雜硅片的**jia化設計,F3-s1550則是為了**厚的薄膜設計。附件附件包含自動化測繪平臺，一個影像鏡頭可看到量測點的位置以及可選配可見光波長的功能使厚度測量能力**薄至15奈米。 F50-NIR測厚范圍：100nm-250μm；波長：950-1700nm。Filmetrics Profilm3D膜厚儀美元報價

集成電路故障分析故障分析 (FA) 技術用來尋找并確定集成電路內的故障原因。

故障分析中需要進行薄膜厚度測量的兩種主要類型是正面去層(用于傳統的面朝上的電路封裝) 和背面薄化(用于較新的覆晶技術正面朝下的電路封裝)。正面去層正面去層的工藝需要了解電介質薄化后剩余電介質的厚度。背面故障分析背面故障分析需要在電路系統成像前移除大部分硅晶粒的厚度，并了解在每個薄化步驟后剩余的硅厚度是相當關鍵的。 Filmetrics F3-sX是為了測量在不同的背面薄化過程的硅層厚度而專門設計的系統。 厚度從5微米到1000微米能夠很容易的測量，另外可選配模組來延伸**小測量厚度至0.1微米，同時具有單點和多點測繪的版本可供選擇。

測量范例現在我們使用我們的 F3-s1550 系統測量在不同的背面薄化過程的硅層厚度.具備特殊光學設計之 F3-S1550利用比直徑更小於10μm的光斑尺寸得以測量拋光以及粗糙或不均勻表面的硅層厚度 穿透率膜厚儀有誰在用F40-EXR范圍：20nm-120μm；波長：400-1700nm。

顯微鏡轉接器F40 系列轉接器。

Adapter-BX-Cmount該轉接器將 F40 接到 OlympusBX 或 MX 上而不必使用 Olympus 價格較貴的 c-mount 轉接器。MA-Cmount-F20KIT該轉接器將F20連接到顯微鏡上 (模仿 F40，光敏度低 5 倍)，包括集成攝像機、光纖、TS-Focus-SiO2-4-10000 厚度標準、F40 軟件，和 F40 手冊。

軟件升級：

UPG-RT-to-Thickness升級的厚度求解軟件，需要UPG-Spec-to-RT。UPG-Thickness-to-n&k升級的折射率求解軟件，需要UPG-RT-to-Thickness。UPG-F10-AR-HC為 F10-AR 升級的FFT 硬涂層厚度測量軟件。 包括 TS-Hardcoat-4um 厚度標準。 厚度測量范圍 0.25um-15um。UPG-RT-to-Color&Regions升級的色彩與光譜區(qū)域分析軟件，需要UPG-Spec-to-RT。

測量有機發(fā)光顯示器有機發(fā)光顯示器 (OLEDs)有機發(fā)光顯示器正迅速從實驗室轉向大規(guī)模生產。明亮，超薄，動態(tài)的特性使它們成為從手機到電視顯示屏的優(yōu)先。組成顯示屏的多層薄膜的精密測量非常重要，但不能用傳統接觸型的輪廓儀，因為它會破壞顯示屏表面。我們的F20-UV，F40-UV，和F10-RT-UV將提供廉價，可靠，非侵入測量原型裝置和全像素化顯示屏。我們的光譜儀還可以測量大氣敏感材料的化學變化。

測量透明導電氧化膜不論是銦錫氧化物，氧化鋅，還是聚合物（3,4-乙烯基），我們獨有的ITO光學模型，加上可見/近紅外儀器，可以測得厚度和光學常數，費用和操作難度*是光譜橢偏儀的一小部分。 基本上所有光滑的、半透明的或低吸收系數的薄膜都可以測量。

    光刻膠）polyerlayers（高分子聚合物層）polymide（聚酰亞胺）polysilicon（多晶硅）amorphoussilicon（非晶硅）基底實例：對于厚度測量，大多數情況下所要求的只是一塊光滑、反射的基底。對于光學常數測量，需要一塊平整的鏡面反射基底；如果基底是透明的，基底背面需要進行處理使之不能反射。包括：silicon（硅）glass（玻璃）aluminum（鋁）gaas（砷化鎵）steel（鋼）polycarbonate（聚碳酸脂）polymerfilms（高分子聚合物膜）應用半導體制造液晶顯示器光學鍍膜photoresist光刻膠oxides氧化物nitrides氮化物cellgaps液晶間隙polyimide聚酰亞胺ito納米銦錫金屬氧化物hardnesscoatings硬鍍膜anti-reflectioncoatings增透鍍膜filters濾光f20使用**仿真活動來分析光譜反射率數據。標準配置和規(guī)格F20-UVF20F20-NIRF20-EXR只測試厚度1nm~40μm15nm~100μm100nm~250μm15nm~250μm測試厚度和n&k值50nmandup100nmandup300nmandup100nmandup波長范圍200-1100nm380-1100nm950-1700nm380-1700nm準確度大于％或2nm精度1A2A1A穩(wěn)定性光斑大小20μm至可選樣品大小1mm至300mm及更大探測器類型1250-元素硅陣列512-元素砷化銦鎵1000-元素硅&512-砷化銦鎵陣列光源鎢鹵素燈。產品型號：FSM 413EC, FSM 413MOT，FSM 413SA DP FSM 413C2C, FSM 8108 VITE C2C。Filmetrics Profilm3D膜厚儀美元報價

F50-UV測厚范圍：5nm-40μm；波長：190-1100nm。Filmetrics Profilm3D膜厚儀美元報價

Total Thickness Variation (TTV) 應用

規(guī)格:

測量方式:

紅外干涉(非接觸式)

樣本尺寸:

50、75、100、200、300 mm， 也可以訂做客戶需要的產品尺寸

測量厚度:

15 — 780 μm (單探頭)

     3 mm (雙探頭總厚度測量)

掃瞄方式:

半自動及全自動型號,

 另2D/3D掃瞄(Mapping)可選

襯底厚度測量: TTV、平均值、*小值、*大值、公差...

可選粗糙度: 20 — 1000? (RMS)

重復性:

0.1 μm (1 sigma)單探頭*

  0.8 μm

(1 sigma)雙探頭*

分辨率:

 10 nm

請訪問我們的中文官網了解更多關于本產品的信息。

岱美儀器技術服務（上海）有限公司發(fā)展規(guī)模團隊不斷壯大，現有一支專業(yè)技術團隊，各種專業(yè)設備齊全。在岱美儀器技術服務近多年發(fā)展歷史，公司旗下現有品牌岱美儀器技術服務等。我公司擁有強大的技術實力，多年來一直專注于磁記錄、半導體、光通訊生產及測試儀器的批發(fā)、進出口、傭金代理（拍賣除外）及其相關配套服務，國際貿易、轉口貿易，商務信息咨詢服務。 【依法須經批準的項目，經相關部門批準后方可開展經營活動】磁記錄、半導體、光通訊生產及測試儀器的批發(fā)、進出口、傭金代理（拍賣除外）及其相關配套服務，國際貿易、轉口貿易，商務信息咨詢服務。 【依法須經批準的項目，經相關部門批準后方可開展經營活動】的發(fā)展和創(chuàng)新，打造高指標產品和服務。岱美儀器技術服務（上海）有限公司主營業(yè)務涵蓋磁記錄，半導體，光通訊生產，測試儀器的批發(fā)，堅持“質量保證、良好服務、顧客滿意”的質量方針，贏得廣大客戶的支持和信賴。