曲面基底上的納米結構在許多領域都有著重要應用，例如仿生學、柔性電子學和光學器件等。傳統(tǒng)的納米壓印技術通常采用剛性模板，可以實現(xiàn)亞10nm的分辨率，但是模板不能彎折，無法在曲面基底上壓印制備納米結構。而采用彈性模板的軟壓印技術可以在無外界提供壓力下與曲面保形接觸，實現(xiàn)結構在非平面基底上的壓印復制，但是由于彈性模板的楊氏模量較低，所以壓印結構的分辨率和精度都受到限制。基于目前納米壓印的發(fā)展現(xiàn)狀，結合傳統(tǒng)的納米壓印技術和軟壓印技術，中國科學院光電技術研究所團隊發(fā)展了一種基于紫外光固化巰基-烯材料的亞100nm分辨率的復合軟壓印模板的制備方法，該模板包含剛性結構層和彈性基底層。（來自網(wǎng)絡，侵權請聯(lián)系我們進行刪除，謝謝?。?IQ Aligner?是EVG的可用于晶圓級透鏡成型和堆疊的高精度UV壓印系統(tǒng)。高校納米壓印樣機試用

EVG610特征：

頂部和底部對準能力

高精度對準臺

自動楔形誤差補償機制

電動和程序控制的曝光間隙

支持***的UV-LED技術

**小化系統(tǒng)占地面積和設施要求

分步流程指導

遠程技術支持

多用戶概念（無限數(shù)量的用戶帳戶和程序，可分配的訪問權限，不同的用戶界面語言）

敏捷處理和光刻工藝之間的轉換

臺式或帶防震花崗巖臺的單機版

EVG610附加功能：

鍵對準

紅外對準

納米壓印光刻 

μ接觸印刷

EVG610技術數(shù)據(jù)：

晶圓直徑（基板尺寸）

標準光刻：比較大150毫米的碎片

柔軟的UV-NIL：比較大150毫米的碎片

解析度：≤40 nm（分辨率取決于模板和工藝）

支持流程：柔軟的UV-NIL

曝光源：汞光源或紫外線LED光源

自動分離：不支持

工作印章制作：外部

襯底納米壓印美元價EV Group提供混合和單片微透鏡成型工藝，能夠輕松地適應各種材料組合，以用于工作印模和微透鏡材料。

       通過中心提供的試驗生產(chǎn)線基礎設施，WaveOptics將超越其客戶對下個季度的預期需求，并有一條可靠的途徑將大批量生產(chǎn)工藝和設備轉移至能夠大規(guī)模生產(chǎn)波導的指定設施適用于全球前列OEM品牌。

      WaveOptics與EVG的合作突顯了其致力于以可實現(xiàn)的價格提供高性能，商用波導來幫助客戶將AR顯示器推向市場的承諾。利用EVG在批量生產(chǎn)設備和工藝技術方面的專業(yè)知識，到2019年，AR終端用戶產(chǎn)品將以不到600美元的價格進入市場，這是當今行業(yè)中的*低價位。

UV納米壓印光刻系統(tǒng)

EVG®610/EVG®620NT /EVG®6200NT：具有紫外線納米壓印功能的通用掩模對準系統(tǒng)

■高精度對準臺

■自動楔形誤差補償機制

■電動和程序控制的曝光間隙

■支持***的UV-LED技術

■**小化系統(tǒng)占地面積和設施要求

EVG®720/EVG®7200/EVG®7200LA：自動化的全場納米壓印解決方案，適用于第3代基材

■體積驗證的壓印技術，具有出色的復制保真度

■專有的SmartNIL®技術和多用途聚合物印章技術

■集成式壓印，UV固化，脫模和工作印模制作

■盒帶間自動處理以及半自動研發(fā)模式

■適用于所有市售壓印材料的開放平臺

SmartNIL的主要技術是可以提供低至40 nm或更小的出色的共形烙印結果。

HERCULES NIL 300 mm提供了市場上**的納米壓印功能，具有較低的力和保形壓印，快速的高功率曝光和平滑的壓模分離。該系統(tǒng)支持各種設備和應用程序的生產(chǎn)，包括用于增強/虛擬現(xiàn)實（AR / VR）頭戴式耳機的光學設備，3D傳感器，生物醫(yī)學設備，納米光子學和等離激元學。

HERCULES ® NIL特征：

全自動UV-NIL壓印和低力剝離

**多300毫米的基材

完全模塊化的平臺，具有多達八個可交換過程模塊（壓印和預處理）

200毫米/ 300毫米橋接工具能力

全區(qū)域烙印覆蓋

批量生產(chǎn)**小40 nm或更小的結構

支持各種結構尺寸和形狀，包括3D

適用于高地形（粗糙）表面

*分辨率取決于過程和模板

EVG620 NT支持多種標準光刻工藝，例如真空，軟，硬和接近曝光模式，以及背面對準選項。光學鏡頭納米壓印國內用戶

EVG的納米壓印設備已使納米圖案能夠在面板尺寸比較大為第三代（550 mm x 650 mm）的基板上實現(xiàn)。高校納米壓印樣機試用

    具體說來就是，MOSFET能夠有效地產(chǎn)生電流流動，因為標準的半導體制造技術旺旺不能精確控制住摻雜的水平（硅中摻雜以帶來或正或負的電荷），以確?？绺鹘M件的通道性能的一致性。通常MOSFET是在一層二氧化硅（SiO2）襯底上，然后沉積一層金屬或多晶硅制成的。然而這種方法可以不精確且難以完全掌控，摻雜有時會泄到別的不需要的地方，那樣就創(chuàng)造出了所謂的“短溝道效應”區(qū)域，并導致性能下降。一個典型MOSFET不同層級的剖面圖。不過威斯康星大學麥迪遜分校已經(jīng)同全美多個合作伙伴攜手（包括密歇根大學、德克薩斯大學、以及加州大學伯克利分校等），開發(fā)出了能夠降低摻雜劑泄露以提升半導體品質的新技術。研究人員通過電子束光刻工藝在表面上形成定制形狀和塑形，從而帶來更加“物理可控”的生產(chǎn)過程。（來自網(wǎng)絡。高校納米壓印樣機試用

岱美儀器技術服務（上海）有限公司主要經(jīng)營范圍是儀器儀表，擁有一支專業(yè)技術團隊和良好的市場口碑。岱美儀器技術服務致力于為客戶提供良好的磁記錄，半導體，光通訊生產(chǎn)，測試儀器的批發(fā)，一切以用戶需求為中心，深受廣大客戶的歡迎。公司秉持誠信為本的經(jīng)營理念，在儀器儀表深耕多年，以技術為先導，以自主產(chǎn)品為重點，發(fā)揮人才優(yōu)勢，打造儀器儀表良好品牌。岱美儀器技術服務立足于全國市場，依托強大的研發(fā)實力，融合前沿的技術理念，飛快響應客戶的變化需求。