F30 系列監(jiān)控薄膜沉積，**強(qiáng)有力的工具F30 光譜反射率系統(tǒng)能實(shí)時(shí)測(cè)量沉積率、沉積層厚度、光學(xué)常數(shù) (n 和 k 值) 和半導(dǎo)體以及電介質(zhì)層的均勻性。

樣品層分子束外延和金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積: 可以測(cè)量平滑和半透明的，或輕度吸收的薄膜。 這實(shí)際上包括從氮化鎵鋁到鎵銦磷砷的任何半導(dǎo)體材料。

各項(xiàng)優(yōu)點(diǎn):極大地提高生產(chǎn)力低成本 —幾個(gè)月就能收回成本A精確 — 測(cè)量精度高于 ±1%快速 — 幾秒鐘完成測(cè)量非侵入式 — 完全在沉積室以外進(jìn)行測(cè)試易于使用 — 直觀的 Windows? 軟件幾分鐘就能準(zhǔn)備好的系統(tǒng)

型號(hào)厚度范圍*波長(zhǎng)范圍

F30:15nm-70μm 380-1050nm

F30-EXR:15nm - 250μm 380-1700nm

F30-NIR:100nm - 250μm 950-1700nm

F30-UV:3nm-40μm 190-1100nm

F30-UVX:3nm - 250μm 190-1700nm

F30-XT:0.2μm - 450μm1440-1690nm Filmetrics F60-t 系列就像我們的 F50產(chǎn)品一樣測(cè)繪薄膜厚度和折射率，但它增加了許多用于生產(chǎn)環(huán)境的功能。浙江膜厚儀應(yīng)用

平臺(tái)和平臺(tái)附件標(biāo)準(zhǔn)和**平臺(tái)。

CS-1可升級(jí)接觸式SS-3樣品臺(tái)，可測(cè)波長(zhǎng)范圍190-1700nm

SS-36“×6” 樣品平臺(tái)，F(xiàn)20 系統(tǒng)的標(biāo)準(zhǔn)配置。 可調(diào)節(jié)鏡頭高度，103 mm 進(jìn)深。 適用所有波長(zhǎng)范圍。

SS-3-88“×8” 樣品平臺(tái)。可調(diào)節(jié)鏡頭高度，139mm 進(jìn)深。 適用所有波長(zhǎng)范圍。

SS-3-24F20 的 24“×24” 樣品平臺(tái)。 可調(diào)節(jié)鏡頭高度，550mm 進(jìn)深。 適用所有波長(zhǎng)范圍。

SS-56" x 6" 吋樣品臺(tái)，具有可調(diào)整焦距的反射光學(xué)配件，需搭配具有APC接頭的光纖，全波長(zhǎng)范圍使用

樣品壓重-SS-3-50

樣品壓重 SS-3 平臺(tái), 50mm x 50mm

樣品壓重-SS-3-110

樣品壓重 SS-3 平臺(tái), 110mm x 110mm

工藝薄膜膜厚儀樣品測(cè)試F30測(cè)厚范圍：15nm-70μm；波長(zhǎng)：380-1050nm。

F10-AR易于使用而且經(jīng)濟(jì)有效地分析減反涂層和鏡頭上的硬涂層F10-AR 是測(cè)試眼科減反涂層設(shè)計(jì)的儀器。 雖然價(jià)格**低于當(dāng)今絕大多數(shù)同類(lèi)儀器，應(yīng)用幾項(xiàng)技術(shù)， F10-AR 使線上操作人員經(jīng)過(guò)幾分鐘的培訓(xùn)，就可以進(jìn)行厚度測(cè)量。

在用戶定義的任何波長(zhǎng)范圍內(nèi)都能進(jìn)行比較低、比較高和平均反射測(cè)試。

我們有專(zhuān)門(mén)的算法對(duì)硬涂層的局部反射失真進(jìn)行校正。 我們獨(dú)有的 AutoBaseline 能極大地增加基線間隔，提供比其它光纖探頭反射儀高出五倍的精確度。

利用可選的 UPG-F10-AR-HC 軟件升級(jí)能測(cè)量 0.25-15um 的硬涂層厚度。 在減反層存在的情況下也能對(duì)硬涂層厚度進(jìn)行測(cè)量。

厚度標(biāo)準(zhǔn)：

所有 Filmetrics 厚度標(biāo)準(zhǔn)都是得到驗(yàn)證可追溯的 NIST 標(biāo)準(zhǔn)。

S-Custom-NIST：在客戶提供的樣品上定制可追溯的 NIST 厚度校準(zhǔn)。 

TS-Focus-SiO2-4-3100SiO2-on-Si ：厚度標(biāo)準(zhǔn)，外加調(diào)焦區(qū)和單晶硅基準(zhǔn)，厚度大約 3100A，4" 晶圓。

TS-Focus-SiO2-4-10000SiO2-on-Si ：厚度標(biāo)準(zhǔn)，外加調(diào)焦區(qū)和單晶硅基準(zhǔn)，厚度大約 10000A，4" 晶圓。

TS-Hardcoat-4μm：丙烯酸塑料硬涂層厚度標(biāo)準(zhǔn)，厚度大約 4um，直徑 2"。

TS-Hardcoat-Trans：背面透明的硬涂層，可用于透射測(cè)量。

TS-Parylene-4um：丙烯酸塑料上的聚對(duì)二甲苯厚度標(biāo)準(zhǔn)，厚度大約 4um ，直徑2"。

TS-Parylene-8um：硅基上的聚對(duì)二甲苯厚度標(biāo)準(zhǔn)，厚度大約 8um，23mm x 23mm。

TS-SiO2-4-7200：硅基上的二氧化硅厚度標(biāo)準(zhǔn)，厚度大約 7200A，4" 晶圓。

TS-SiO2-4-7200-NIST：可追溯的 NIST SiO2-4-7200 厚度標(biāo)準(zhǔn)。

TS-SiO2-6-Multi：多厚度硅基上的二氧化硅標(biāo)準(zhǔn): 125埃米，250埃米，500埃米，1000埃米，5000埃米，和 10000埃米 (+/-10%誤差)，6英寸晶圓。TS-SS3-SiO2-8000：專(zhuān)為SS-3樣品平臺(tái)設(shè)計(jì)之二氧化硅厚度標(biāo)準(zhǔn)片,厚度大約為 8000A。 F50-UV測(cè)厚范圍：5nm-40μm；波長(zhǎng)：190-1100nm。

F30包含的內(nèi)容：集成光譜儀/光源裝置光斑尺寸10微米的單點(diǎn)測(cè)量平臺(tái)FILMeasure 8反射率測(cè)量軟件Si 參考材料FILMeasure **軟件 (用于遠(yuǎn)程數(shù)據(jù)分析)

額外的好處：每臺(tái)系統(tǒng)內(nèi)建超過(guò)130種材料庫(kù), 隨著不同應(yīng)用更超過(guò)數(shù)百種應(yīng)用工程師可立刻提供幫助（周一 - 周五）網(wǎng)上的 “手把手” 支持 (需要連接互聯(lián)網(wǎng))硬件升級(jí)計(jì)劃

型號(hào)厚度范圍*波長(zhǎng)范圍

F3-s 980:10μm - 1mm  960-1000nm

F3-s1310:15μm - 2mm 1280-1340nm 

F3-s1550:25μm - 3mm 1520-1580nm

*取決于薄膜種類(lèi) 紅外干涉測(cè)量技術(shù), 非接觸式測(cè)量。臺(tái)積電膜厚儀

監(jiān)測(cè)控制生產(chǎn)過(guò)程中移動(dòng)薄膜厚度。高達(dá)100 Hz的采樣率可以在多個(gè)測(cè)量位置得到。浙江膜厚儀應(yīng)用

FSM 8018 VITE測(cè)試系列設(shè)備

VITE技術(shù)介紹：

VITE是傅里葉頻域技術(shù)，利用近紅外光源的相位剪切技術(shù)（Phase shear technology）

設(shè)備介紹

適用于所有可讓近紅外線通過(guò)的材料：硅、藍(lán)寶石、砷化鎵、磷化銦、碳化硅、玻璃、石  英、聚合物…………

應(yīng)用:

   襯底厚度(不受圖案硅片、有膠帶、凹凸或者粘合硅片影響)

   平整度

   厚度變化 (TTV)

   溝槽深度

   過(guò)孔尺寸、深度、側(cè)壁角度

   粗糙度

薄膜厚度

不同半導(dǎo)體材料的厚度

   環(huán)氧樹(shù)脂厚度

   襯底翹曲度

   晶圓凸點(diǎn)高度(bump height)

MEMS 薄膜測(cè)量

TSV 深度、側(cè)壁角度...

浙江膜厚儀應(yīng)用

岱美儀器技術(shù)服務(wù)（上海）有限公司位于中國(guó)(上海)自由貿(mào)易試驗(yàn)區(qū)加太路39號(hào)第五層六十五部位。公司自成立以來(lái)，以質(zhì)量為發(fā)展，讓匠心彌散在每個(gè)細(xì)節(jié)，公司旗下磁記錄，半導(dǎo)體，光通訊生產(chǎn)，測(cè)試儀器的批發(fā)深受客戶的喜愛(ài)。公司將不斷增強(qiáng)企業(yè)重點(diǎn)競(jìng)爭(zhēng)力，努力學(xué)習(xí)行業(yè)知識(shí)，遵守行業(yè)規(guī)范，植根于儀器儀表行業(yè)的發(fā)展。岱美儀器技術(shù)服務(wù)憑借創(chuàng)新的產(chǎn)品、專(zhuān)業(yè)的服務(wù)、眾多的成功案例積累起來(lái)的聲譽(yù)和口碑，讓企業(yè)發(fā)展再上新高。