HERCULES ® NIL完全集成SmartNIL

®的 UV-NIL紫外光納米壓印系統(tǒng)。

EVG的HERCULES ® NIL產(chǎn)品系列

HERCULES ® NIL完全集成SmartNIL

® UV-NIL系統(tǒng)達200毫米

對于大批量制造的完全集成的納米壓印光刻解決方案，具有EVG's專有SmartNIL ®印跡技術(shù)

HERCULES NIL是完全集成的UV納米壓印光刻跟 蹤解決方案，適用于比較大200 mm的晶圓，是EVG的NIL產(chǎn)品組合的***成員。HERCULES

NIL基于模塊化平臺，將EVG專有的SmartNIL壓印技術(shù)與清潔，抗蝕劑涂層和烘烤預處理步驟相結(jié)合。這將HERCULES NIL變成了“一站式服務”，將裸露的晶圓裝載到工具中，然后將經(jīng)過完全處理的納米結(jié)構(gòu)晶圓退回。 EVG先進的多用戶概念可以適應從初學者到**級別的所有需求，因此使其成為大學和研發(fā)應用程序的理想選擇。青海納米壓印學校會用嗎

納米壓印應用三：連續(xù)性UV納米壓印

EVG770是用于步進重復納米壓印光刻的通用平臺，可用于有效地進行母版制作或?qū)迳系膹碗s結(jié)構(gòu)進行直接圖案化。這種方法允許從比較大50 mm x 50 mm的小模具到比較大300 mm基板尺寸的大面積均勻復制模板。與鉆石車削或直接寫入方法相結(jié)合，分步重復刻印通常用于高 效地制造晶圓級光學器件制造或EVG的SmartNIL工藝所需的母版。岱美作為EVG在中國區(qū)的代理商，歡迎各位聯(lián)系我們，探討納米壓印光刻的相關(guān)知識。我們愿意與您共同進步。

CMOS納米壓印IQ Aligner?是EVG的可用于晶圓級透鏡成型和堆疊的高精度UV壓印系統(tǒng)。

納米壓印光刻（NIL）技術(shù)

EVG是納米壓印光刻（NIL）設(shè)備和集成工藝的市場**供應商。EVG從19年前的研究方法中率先并掌握了NIL，并實現(xiàn)了從2英寸化合物半導體晶圓到300 mm晶圓甚至大面積面板的各種尺寸基板的批量生產(chǎn)。NIL是產(chǎn)生納米尺度分辨率圖案的**有前途且相當有成本效益的工藝，可用于生物MEMS，微流體，電子學以及**近各種衍射光學元件的各種商業(yè)應用。

其中EVG紫外光納米壓印系統(tǒng)型號包含：

EVG®610

EVG®620NT

EVG®6200NT

EVG®720

EVG®7200

EVG®7200LA

HERCULES®NIL

EVG®770

IQAligner®

熱壓納米壓抑系統(tǒng)型號包含：

EVG®510HE

EVG®520HE

詳細的參數(shù)，請聯(lián)系我們岱美有限公司。

EVG ® 770分步重復納米壓印光刻系統(tǒng)

分步重復納米壓印光刻技術(shù)，可進行有效的母版制作

EVG770是用于步進式納米壓印光刻的通用平臺，可用于有效地進行母版制作或?qū)迳系膹碗s結(jié)構(gòu)進行直接圖案化。這種方法允許從**

大50 mm x 50 mm的小模具到比較大300 mm基板尺寸的大面積均勻復制模板。與鉆石車削或直接寫入方法相結(jié)合，分步重復刻印通常用于有效地制造晶圓級光學器件制造或EVG的SmartNIL工藝所需的母版。

EVG770的主要功能包括精確的對準功能，完整的過程控制以及可滿足各種設(shè)備和應用需求的靈活性。 NIL已被證明是在大面積上實現(xiàn)納米級圖案的相當有成本效益的方法。

SmartNIL技術(shù)簡介

SmartNIL是基于紫外線曝光的全域型壓印技術(shù)，可提供功能強大的下一代光刻技術(shù)，幾乎具有無限的結(jié)構(gòu)尺寸和幾何形狀功能。由于SmartNIL集成了多次使用的軟標記處理功能，因此還可以實現(xiàn)****的吞吐量，并具有顯著的擁有成本的優(yōu)勢，同時保留了可擴展性和易于維護的操作功能。另外，主模板的壽命延長到與用于光刻的掩模相當?shù)臅r間。岱美作為EVG在中國區(qū)的代理商，歡迎各位聯(lián)系我們，探討納米壓印光刻的相關(guān)知識。我們愿意與您共同進步。

岱美作為EVG在中國區(qū)的代理商，歡迎各位聯(lián)系我們，探討納米壓印光刻的相關(guān)知識。中科院納米壓印學校會用嗎

EVG是納米壓印光刻（NIL）的市場**設(shè)備供應商。青海納米壓印學校會用嗎

    具體說來就是，MOSFET能夠有效地產(chǎn)生電流流動，因為標準的半導體制造技術(shù)旺旺不能精確控制住摻雜的水平（硅中摻雜以帶來或正或負的電荷），以確保跨各組件的通道性能的一致性。通常MOSFET是在一層二氧化硅（SiO2）襯底上，然后沉積一層金屬或多晶硅制成的。然而這種方法可以不精確且難以完全掌控，摻雜有時會泄到別的不需要的地方，那樣就創(chuàng)造出了所謂的“短溝道效應”區(qū)域，并導致性能下降。一個典型MOSFET不同層級的剖面圖。不過威斯康星大學麥迪遜分校已經(jīng)同全美多個合作伙伴攜手（包括密歇根大學、德克薩斯大學、以及加州大學伯克利分校等），開發(fā)出了能夠降低摻雜劑泄露以提升半導體品質(zhì)的新技術(shù)。研究人員通過電子束光刻工藝在表面上形成定制形狀和塑形，從而帶來更加“物理可控”的生產(chǎn)過程。（來自網(wǎng)絡(luò)。青海納米壓印學校會用嗎

岱美儀器技術(shù)服務（上海）有限公司致力于儀器儀表，以科技創(chuàng)新實現(xiàn)***管理的追求。岱美儀器技術(shù)服務擁有一支經(jīng)驗豐富、技術(shù)創(chuàng)新的專業(yè)研發(fā)團隊，以高度的專注和執(zhí)著為客戶提供磁記錄，半導體，光通訊生產(chǎn)，測試儀器的批發(fā)。岱美儀器技術(shù)服務不斷開拓創(chuàng)新，追求出色，以技術(shù)為先導，以產(chǎn)品為平臺，以應用為重點，以服務為保證，不斷為客戶創(chuàng)造更高價值，提供更優(yōu)服務。岱美儀器技術(shù)服務始終關(guān)注自身，在風云變化的時代，對自身的建設(shè)毫不懈怠，高度的專注與執(zhí)著使岱美儀器技術(shù)服務在行業(yè)的從容而自信。