平臺(tái)和平臺(tái)附件標(biāo)準(zhǔn)和**平臺(tái)。

CS-1可升級(jí)接觸式SS-3樣品臺(tái)，可測(cè)波長(zhǎng)范圍190-1700nm

SS-36“×6” 樣品平臺(tái)，F(xiàn)20 系統(tǒng)的標(biāo)準(zhǔn)配置。 可調(diào)節(jié)鏡頭高度，103 mm 進(jìn)深。 適用所有波長(zhǎng)范圍。

SS-3-88“×8” 樣品平臺(tái)?？烧{(diào)節(jié)鏡頭高度，139mm 進(jìn)深。 適用所有波長(zhǎng)范圍。

SS-3-24F20 的 24“×24” 樣品平臺(tái)。 可調(diào)節(jié)鏡頭高度，550mm 進(jìn)深。 適用所有波長(zhǎng)范圍。

SS-56" x 6" 吋樣品臺(tái)，具有可調(diào)整焦距的反射光學(xué)配件，需搭配具有APC接頭的光纖，全波長(zhǎng)范圍使用

樣品壓重-SS-3-50

樣品壓重 SS-3 平臺(tái), 50mm x 50mm

樣品壓重-SS-3-110

樣品壓重 SS-3 平臺(tái), 110mm x 110mm

F50測(cè)厚范圍：20nm-70μm；波長(zhǎng)：380-1050nm。官方授權(quán)分銷膜厚儀芯片行業(yè)

Total Thickness Variation (TTV) 應(yīng)用

規(guī)格:

測(cè)量方式:

紅外干涉(非接觸式)

樣本尺寸:

50、75、100、200、300 mm， 也可以訂做客戶需要的產(chǎn)品尺寸

測(cè)量厚度:

15 — 780 μm (單探頭)

     3 mm (雙探頭總厚度測(cè)量)

掃瞄方式:

半自動(dòng)及全自動(dòng)型號(hào),

 另2D/3D掃瞄(Mapping)可選

襯底厚度測(cè)量: TTV、平均值、*小值、*大值、公差...

可選粗糙度: 20 — 1000? (RMS)

重復(fù)性:

0.1 μm (1 sigma)單探頭*

  0.8 μm

(1 sigma)雙探頭*

分辨率:

 10 nm

請(qǐng)?jiān)L問(wèn)我們的中文官網(wǎng)了解更多關(guān)于本產(chǎn)品的信息。

集成電路故障分析故障分析 (FA) 技術(shù)用來(lái)尋找并確定集成電路內(nèi)的故障原因。

故障分析中需要進(jìn)行薄膜厚度測(cè)量的兩種主要類型是正面去層(用于傳統(tǒng)的面朝上的電路封裝) 和背面薄化(用于較新的覆晶技術(shù)正面朝下的電路封裝)。正面去層正面去層的工藝需要了解電介質(zhì)薄化后剩余電介質(zhì)的厚度。背面故障分析背面故障分析需要在電路系統(tǒng)成像前移除大部分硅晶粒的厚度，并了解在每個(gè)薄化步驟后剩余的硅厚度是相當(dāng)關(guān)鍵的。 Filmetrics F3-sX是為了測(cè)量在不同的背面薄化過(guò)程的硅層厚度而專門設(shè)計(jì)的系統(tǒng)。 厚度從5微米到1000微米能夠很容易的測(cè)量，另外可選配模組來(lái)延伸**小測(cè)量厚度至0.1微米，同時(shí)具有單點(diǎn)和多點(diǎn)測(cè)繪的版本可供選擇。

測(cè)量范例現(xiàn)在我們使用我們的 F3-s1550 系統(tǒng)測(cè)量在不同的背面薄化過(guò)程的硅層厚度.具備特殊光學(xué)設(shè)計(jì)之 F3-S1550利用比直徑更小於10μm的光斑尺寸得以測(cè)量拋光以及粗糙或不均勻表面的硅層厚度

光源用于一般用途應(yīng)用之光源

***T2可用在Filmetrics設(shè)備的光源具有氘燈-鎢絲與遠(yuǎn)端控制的快門來(lái)取代舊款Hamamatsu D2光源LS-LED1具有高亮度白光LED的光源

光纖配件：CP-RepairToolKitCP-1-1.3 接觸探頭是相當(dāng)堅(jiān)固的，但是光纖不能經(jīng)常被抽屜碰撞或者被椅子壓過(guò)。該套件包括指令，以及簡(jiǎn)單的維修工具，新的和舊風(fēng)格的探頭。FO-PAT-SMA-SMA-200-22 米長(zhǎng)，直徑 200um 的光纖， 兩端配備 SMA 接頭。FO-RP1-.25-SMA-200-1.32 米長(zhǎng)，分叉反射探頭。 可選的厚度和折射率模塊讓您能夠充分利用 Filmetrics F10 的分析能力。

技術(shù)介紹：

紅外干涉測(cè)量技術(shù), 非接觸式測(cè)量。采用Michaelson干涉方法，紅外波段的激光能更好的穿透被測(cè)物體，準(zhǔn)確的得到測(cè)試結(jié)果。

產(chǎn)品簡(jiǎn)介：FSM 413EC 紅外干涉測(cè)量設(shè)備

適用于所有可讓紅外線通過(guò)的材料：硅、藍(lán)寶石、砷化鎵、磷化銦、碳化硅、玻璃、石  英、聚合物…………

應(yīng)用:

   襯底厚度(不受圖案硅片、有膠帶、凹凸或者粘合硅片影響)

   平整度   

溝槽深度

   過(guò)孔尺寸、深度、側(cè)壁角度

   粗糙度

薄膜厚度

硅片厚度

   環(huán)氧樹(shù)脂厚度

   襯底翹曲度

   晶圓凸點(diǎn)高度(bump height)

MEMS 薄膜測(cè)量

TSV 深度、側(cè)壁角度...

紅外干涉測(cè)量技術(shù), 非接觸式測(cè)量。穿透率膜厚儀**

可選粗糙度: 20 — 1000? (RMS)。官方授權(quán)分銷膜厚儀芯片行業(yè)

F50 系列自動(dòng)化薄膜測(cè)繪Filmetrics F50 系列的產(chǎn)品能以每秒測(cè)繪兩個(gè)點(diǎn)的速度快速的測(cè)繪薄膜厚度。一個(gè)電動(dòng)R-Theta 平臺(tái)可接受標(biāo)準(zhǔn)和客制化夾盤，樣品直徑可達(dá)450毫米。(耐用的平臺(tái)在我們的量產(chǎn)系統(tǒng)能夠執(zhí)行數(shù)百萬(wàn)次的量測(cè)!)

測(cè)繪圖案可以是極座標(biāo)、矩形或線性的，您也可以創(chuàng)造自己的測(cè)繪方法，并且不受測(cè)量點(diǎn)數(shù)量的限制。內(nèi)建數(shù)十種預(yù)定義的測(cè)繪圖案。

不同的 F50 儀器是根據(jù)波長(zhǎng)范圍來(lái)加以區(qū)分的。 標(biāo)準(zhǔn)的 F50是很受歡迎的產(chǎn)品。 一般較短的波長(zhǎng) (例如， F50-UV) 可用于測(cè)量較薄的薄膜，而較長(zhǎng)的波長(zhǎng)則可以用來(lái)測(cè)量更厚、更不平整以及更不透明的薄膜。 官方授權(quán)分銷膜厚儀芯片行業(yè)

岱美儀器技術(shù)服務(wù)（上海）有限公司致力于儀器儀表，是一家其他型的公司。公司自成立以來(lái)，以質(zhì)量為發(fā)展，讓匠心彌散在每個(gè)細(xì)節(jié)，公司旗下磁記錄，半導(dǎo)體，光通訊生產(chǎn)，測(cè)試儀器的批發(fā)深受客戶的喜愛(ài)。公司從事儀器儀表多年，有著創(chuàng)新的設(shè)計(jì)、強(qiáng)大的技術(shù)，還有一批**的專業(yè)化的隊(duì)伍，確保為客戶提供良好的產(chǎn)品及服務(wù)。岱美儀器技術(shù)服務(wù)秉承“客戶為尊、服務(wù)為榮、創(chuàng)意為先、技術(shù)為實(shí)”的經(jīng)營(yíng)理念，全力打造公司的重點(diǎn)競(jìng)爭(zhēng)力。