Smart View NT鍵合機特征 適合于自動化和集成EVG鍵合系統(tǒng)（EVG560?，GEMINI ? 200和300mm配置） 用于3D互連，晶圓級封裝和大批量MEMS器件的晶圓堆疊 通用鍵合對準器（面對面，背面，紅外和透明對準） 無需Z軸運動，也無需重新聚焦 基于Windows的用戶界面 將鍵對對準并夾緊，然后再裝入鍵合室 手動或全自動配置（例如：在GEMINI系統(tǒng)上集成） Smart View ? NT選件 可以與EVG組合? 500系列晶圓鍵合系統(tǒng)，EVG ? 300系列清潔系統(tǒng)和EVG ?有帶盒對盒操作完全自動化的晶圓到晶圓對準動作EVG810 LT等離子體系統(tǒng) 技術數(shù)據(jù) 基板/晶圓參數(shù) 尺寸：150-200、200-300毫米 厚度：0.1-5毫米 蕞/高堆疊高度：10毫米 自動對準 標準 處理系統(tǒng) 3個紙盒站（蕞/大200毫米）或2個FOUP加載端口（300毫米）EVG的GEMINI系列是頂及大批量生產(chǎn)系統(tǒng)，同時結合了自動光學對準和鍵合操作功能。氮化鎵鍵合機代理商

二、EVG501晶圓鍵合機特征：

   帶有150 mm或200 mm加熱器的鍵合室

   獨特的壓力和溫度均勻性

   與EVG的機械和光學對準器兼容

   靈活的設計和研究配置

從單芯片到晶圓   

各種工藝（共晶，焊料，TLP，直接鍵合）  

可選渦輪泵（<1E-5 mbar）  

可升級陽極鍵合   

開放式腔室設計，便于轉換和維護

兼容試生產(chǎn)需求：

同類產(chǎn)品中的蕞低擁有成本

開放式腔室設計，便于轉換和維護

蕞小占地面積的200 mm鍵合系統(tǒng)：0.8㎡

程序與EVG HVM鍵合系統(tǒng)完全兼容

以上產(chǎn)品由岱美儀器供應并提供技術支持。 中芯國際鍵合機免稅價格EVG鍵合機鍵合工藝可在真空或受控氣體條件下進行。

封裝技術對微機電系統(tǒng) (micro-electro-mechanical system,MEMS) 器件尺寸及功能的影響巨大，已成為 MEMS技術發(fā)展和實用化的關鍵技術［1］。實現(xiàn)封裝的技術手段很多，其中較關鍵的工藝步驟就是鍵合工藝。隨著 MEMS 技術的發(fā)展，越來越多的器件封裝需要用到表面帶有微結構的硅片鍵合，然而MEMS器件封裝一般采用硅—硅直接鍵合( silicon directly bonding，SDB)  技術［2］。由于表面有微結構的硅片界面已經(jīng)受到極大的損傷，其平整度和光滑度遠遠達不到SDB的要求，要進行復雜的拋光處理，這**加大了工藝的復雜性和降低了器件的成品率［3］。

EV Group開發(fā)了MLE?（無掩模曝光）技術，通過消 除與掩模相關的困難和成本，滿足了HVM世界中設計靈活性和蕞小開發(fā)周期的關鍵要求。 MLE?解決了多功能（但緩慢）的開發(fā)設備與快 速（但不靈活）的生產(chǎn)之間的干擾。它提供了可擴展的解決方案，可同時進行裸片和晶圓級設計，支持現(xiàn)有材料和新材料，并以高可靠性提供高速適應性，并具有多級冗余功能，以提高產(chǎn)量和降低擁有成本（CoO）。

EVG的MLE?無掩模曝光光刻技術不僅滿足先進封裝中后端光刻的關鍵要求，而且還滿足MEMS，生 物醫(yī)學和印刷電路板制造的要求。 EVG鍵合機軟件，支持多語言，集成錯誤記錄/報告和恢復和單個用戶帳戶設置，可以簡化用戶常規(guī)操作。

目前關于晶片鍵合的研究很多，工藝日漸成熟，但是對于表面帶有微結構的硅片鍵合研究很少，鍵合效果很差。

      本文針對表面帶有微結構硅晶圓的封裝問題，提出一種基于采用 Ti / Au 作為金屬過渡層的硅—硅共晶鍵合的鍵合工藝，實現(xiàn)表面帶有微結構硅晶圓之間的鍵合，解決鍵合對硅晶圓表面要求極高，環(huán)境要求苛刻的問題。

在對金層施加一定的壓力和溫度時，金層發(fā)生流動、互 融，從而形成鍵合。該過程對金的純度要求較高，即當金層 發(fā)生氧化就會影響鍵合質量。 EVG鍵合機跟應用相對應，鍵合方法一般分類頁是有或沒有夾層的鍵合操作。圖像傳感器鍵合機技術支持

EVG鍵合機通過在高真空，精確控制的真空、溫度或高壓條件下鍵合，可以滿足各種苛刻的應用。氮化鎵鍵合機代理商

共晶鍵合［8，9］是利用某些共晶合金熔融溫度較低的特點，以其作為中間鍵合介質層，通過加熱熔融產(chǎn)生金屬—半導體共晶相來實現(xiàn)。因此，中間介質層的選取可以很大程度影響共晶鍵合的工藝以及鍵合質量。中間金屬鍵合介質層種類很多，通常有鋁、金、鈦、鉻、鉛—錫等。雖然金—硅共熔溫度不是蕞 低( 363 ℃ ) 的，但其共晶體的一種成分即為預鍵合材料硅本身，可以降低鍵合工藝難度，且其液相粘結性好，故本文采用金—硅合金共晶相作為中間鍵合介質層進 行表面有微結構的硅—硅共晶鍵合技術的研究。而金層與 硅襯底的結合力較弱，故還要加入鈦金屬作為黏結層增強金層與硅襯底的結合力，同時鈦也具有阻擋擴散層的作用， 可以阻止金向硅中擴散［10，11］。氮化鎵鍵合機代理商

岱美儀器技術服務（上海）有限公司主營品牌有岱美儀器技術服務，發(fā)展規(guī)模團隊不斷壯大，該公司其他型的公司。岱美儀器技術服務是一家有限責任公司企業(yè)，一直“以人為本，服務于社會”的經(jīng)營理念;“誠守信譽，持續(xù)發(fā)展”的質量方針。公司擁有專業(yè)的技術團隊，具有磁記錄，半導體，光通訊生產(chǎn)，測試儀器的批發(fā)等多項業(yè)務。岱美儀器技術服務自成立以來，一直堅持走正規(guī)化、專業(yè)化路線，得到了廣大客戶及社會各界的普遍認可與大力支持。