EV Group開發(fā)了MLE?(無(wú)掩模曝光)技術(shù),通過(guò)消 除與掩模相關(guān)的困難和成本,滿足了HVM世界中設(shè)計(jì)靈活性和蕞小開發(fā)周期的關(guān)鍵要求。 MLE?解決了多功能(但緩慢)的開發(fā)設(shè)備與快 速(但不靈活)的生產(chǎn)之間的干擾。它提供了可擴(kuò)展的解決方案,可同時(shí)進(jìn)行裸片和晶圓級(jí)設(shè)計(jì),支持現(xiàn)有材料和新材料,并以高可靠性提供高速適應(yīng)性,并具有多級(jí)冗余功能,以提高產(chǎn)量和降低擁有成本(CoO)。
EVG的MLE?無(wú)掩模曝光光刻技術(shù)不僅滿足先進(jìn)封裝中后端光刻的關(guān)鍵要求,而且還滿足MEMS,生 物醫(yī)學(xué)和印刷電路板制造的要求。 晶圓級(jí)涂層、封裝,工程襯底知造,晶圓級(jí)3D集成和晶圓減薄等用于制造工程襯底,如SOI(絕緣體上硅)。江蘇EVG805鍵合機(jī)
真空系統(tǒng):9x10-2mbar(標(biāo)準(zhǔn))和9x10-3mbar(渦輪泵選件) 清潔站 清潔方式:沖洗(標(biāo)準(zhǔn)),超音速噴嘴,超音速面積傳感器,噴嘴,刷子(可選) 腔室:由PP或PFA制成(可選) 清潔介質(zhì):去離子水(標(biāo)準(zhǔn)),NH4OH和H2O2(蕞/大)。2%濃度(可選) 旋轉(zhuǎn)卡盤:真空卡盤(標(biāo)準(zhǔn))和邊緣處理卡盤(選件),由不含金屬離子的清潔材料制成 旋轉(zhuǎn):蕞/高3000rpm(5s) 清潔臂:蕞多5條介質(zhì)線(1個(gè)超音速系統(tǒng)使用2條線) 可選功能 ISO3mini-environment(根據(jù)ISO14644) LowTemp?等離子活化室 紅外檢查站 以上資料由岱美儀器提供并做技術(shù)支持 北京實(shí)際價(jià)格鍵合機(jī)EVG服務(wù):高真空對(duì)準(zhǔn)鍵合、集體D2W鍵合、臨時(shí)鍵合和熱、混合鍵合、機(jī)械或者激光剖離、黏合劑鍵合。
EVG?850鍵合機(jī) EVG?850鍵合機(jī)特征 生產(chǎn)系統(tǒng)可在高通量,高產(chǎn)量環(huán)境中運(yùn)行 自動(dòng)盒帶間或FOUP到FOUP操作 無(wú)污染的背面處理 超音速和/或刷子清潔 機(jī)械平整或缺口對(duì)準(zhǔn)的預(yù)鍵合 先進(jìn)的遠(yuǎn)程診斷 技術(shù)數(shù)據(jù) 晶圓直徑(基板尺寸) 100-200、150-300毫米 全自動(dòng)盒帶到盒帶操作 預(yù)鍵合室 對(duì)準(zhǔn)類型:平面到平面或凹口到凹口 對(duì)準(zhǔn)精度:X和Y:±50μm,θ:±0.1° 結(jié)合力:蕞/高5N 鍵合波起始位置:從晶圓邊緣到中心靈活 真空系統(tǒng):9x10-2mbar(標(biāo)準(zhǔn))和9x10-3mbar(渦輪泵選件) 清潔站 清潔方式:沖洗(標(biāo)準(zhǔn)),超音速噴嘴,超音速面積傳感器,噴嘴,刷子(可選) 腔室:由PP或PFA制成(可選) 清潔介質(zhì):去離子水(標(biāo)準(zhǔn)),NH4OH和H2O2(蕞/大)。2%濃度(可選) 旋轉(zhuǎn)卡盤:真空卡盤(標(biāo)準(zhǔn))和邊緣處理卡盤(選件),由不含金屬離子的清潔材料制成 旋轉(zhuǎn):蕞/高3000rpm(5s)
EVG®850LT
特征
利用EVG的LowTemp?等離子基活技術(shù)進(jìn)行SOI和直接晶圓鍵合
適用于各種熔融/分子晶圓鍵合應(yīng)用
生產(chǎn)系統(tǒng)可在高通量,高產(chǎn)量環(huán)境中運(yùn)行
盒到盒的自動(dòng)操作(錯(cuò)誤加載,SMIF或FOUP)
無(wú)污染的背面處理
超音速和/或刷子清潔
機(jī)械平整或缺口對(duì)準(zhǔn)的預(yù)鍵合
先進(jìn)的遠(yuǎn)程診斷
技術(shù)數(shù)據(jù):
晶圓直徑(基板尺寸)
100-200、150-300毫米
全自動(dòng)盒帶到盒帶操作
預(yù)鍵合室
對(duì)準(zhǔn)類型:平面到平面或凹口到凹口
對(duì)準(zhǔn)精度:X和Y:±50μm,θ:±0.1°
結(jié)合力:蕞高5N
鍵合波起始位置:從晶圓邊緣到中心靈活
真空系統(tǒng):9x10-2mbar(標(biāo)準(zhǔn))和9x10-3mbar(渦輪泵選件) 鍵合機(jī)晶圓對(duì)準(zhǔn)鍵合是晶圓級(jí)涂層,晶圓級(jí)封裝,工程襯底智造,晶圓級(jí)3D集成和晶圓減薄等應(yīng)用很實(shí)用的技術(shù)。
封裝技術(shù)對(duì)微機(jī)電系統(tǒng) (micro-electro-mechanical system,MEMS) 器件尺寸及功能的影響巨大,已成為 MEMS技術(shù)發(fā)展和實(shí)用化的關(guān)鍵技術(shù)[1]。實(shí)現(xiàn)封裝的技術(shù)手段很多,其中較關(guān)鍵的工藝步驟就是鍵合工藝。隨著 MEMS 技術(shù)的發(fā)展,越來(lái)越多的器件封裝需要用到表面帶有微結(jié)構(gòu)的硅片鍵合,然而MEMS器件封裝一般采用硅—硅直接鍵合( silicon directly bonding,SDB) 技術(shù)[2]。由于表面有微結(jié)構(gòu)的硅片界面已經(jīng)受到極大的損傷,其平整度和光滑度遠(yuǎn)遠(yuǎn)達(dá)不到SDB的要求,要進(jìn)行復(fù)雜的拋光處理,這**加大了工藝的復(fù)雜性和降低了器件的成品率[3]。EVG的 GEMINI系列,在醉小占地面積上,一樣利用EVG 醉高精度的Smart View NT對(duì)準(zhǔn)技術(shù)。價(jià)格怎么樣鍵合機(jī)用于生物芯片
在不需重新配置硬件的情況下,EVG鍵合機(jī)可以在真空下執(zhí)行SOI / SDB(硅的直接鍵合)預(yù)鍵合。江蘇EVG805鍵合機(jī)
儀器儀表行業(yè)已經(jīng)連續(xù)多年保持了經(jīng)濟(jì)高位運(yùn)行的態(tài)勢(shì)。即使當(dāng)全球受金融風(fēng)暴的影響,各個(gè)行業(yè)經(jīng)濟(jì)東圃有所放緩,但從全景發(fā)展情況看來(lái),儀表行業(yè)的增長(zhǎng)速度并沒有放緩。隨著網(wǎng)絡(luò)消費(fèi)的不斷遞增,而互聯(lián)網(wǎng)的的商業(yè)價(jià)值不斷被挖掘出來(lái),呈爆發(fā)式增長(zhǎng),傳統(tǒng)的營(yíng)銷模式將逐步被取代。有限責(zé)任公司企業(yè)要抓住機(jī)遇,融入到互聯(lián)網(wǎng)發(fā)展的行業(yè)中,為行業(yè)的發(fā)展提高競(jìng)爭(zhēng)力。工業(yè)領(lǐng)域轉(zhuǎn)型升級(jí)、提升發(fā)展質(zhì)量等有利于儀器儀表行業(yè)的發(fā)展;**安全、社會(huì)安全、產(chǎn)業(yè)和信息安全等需要自主、磁記錄,半導(dǎo)體,光通訊生產(chǎn),測(cè)試儀器的批發(fā)裝備,成為全社會(huì)共識(shí);中國(guó)其他型正面臨百年未有之大變局,行業(yè)行家認(rèn)為,中美貿(mào)易戰(zhàn)不會(huì)有終點(diǎn),中美關(guān)系時(shí)好時(shí)壞將成為常態(tài),儀器儀表行業(yè)無(wú)法排除大局勢(shì)的影響,且不要把問(wèn)題聚焦在關(guān)稅上。中國(guó)經(jīng)濟(jì)的高速發(fā)展得益于WTO框架下的全球化分工;現(xiàn)在中國(guó)制造的競(jìng)爭(zhēng)力在于工業(yè)門類齊全、供應(yīng)鏈完整、供應(yīng)鏈的高度專業(yè)和細(xì)分。江蘇EVG805鍵合機(jī)
岱美儀器技術(shù)服務(wù)(上海)有限公司位于中國(guó)(上海)自由貿(mào)易試驗(yàn)區(qū)加太路39號(hào)第五層六十五部位,交通便利,環(huán)境優(yōu)美,是一家其他型企業(yè)。岱美儀器技術(shù)服務(wù)是一家有限責(zé)任公司企業(yè),一直“以人為本,服務(wù)于社會(huì)”的經(jīng)營(yíng)理念;“誠(chéng)守信譽(yù),持續(xù)發(fā)展”的質(zhì)量方針。公司業(yè)務(wù)涵蓋磁記錄,半導(dǎo)體,光通訊生產(chǎn),測(cè)試儀器的批發(fā),價(jià)格合理,品質(zhì)有保證,深受廣大客戶的歡迎。岱美儀器技術(shù)服務(wù)以創(chuàng)造***產(chǎn)品及服務(wù)的理念,打造高指標(biāo)的服務(wù),引導(dǎo)行業(yè)的發(fā)展。