EVG501晶圓鍵合機(jī)，先進(jìn)封裝，TSV，微流控加工?；竟δ埽河糜趯W(xué)術(shù)和工業(yè)研究的多功能手動晶圓鍵合系統(tǒng)。適用于：微流體芯片，半導(dǎo)體器件處理，MEMS制造，TSV制作，晶圓先進(jìn)封裝等。

一、簡介：

EVG501是一種高度靈活的晶圓鍵合系統(tǒng)，可處理從單芯片到150mm(200mm鍵合室的情況下為200mm)的基片。該工具支持所有常見的晶圓鍵合工藝，如陽極，玻璃料，焊料，共晶，瞬態(tài)液相和直接鍵合。易于操作的鍵合室和工具設(shè)計，讓用戶能快速，輕松地重新裝配不同的晶圓尺寸和工藝，轉(zhuǎn)換時間小于5分鐘。這種多功能性非常適合大學(xué)，研發(fā)機(jī)構(gòu)或小批量生產(chǎn)。鍵合室的基本設(shè)計在EVG的HVM(量產(chǎn))工具上是相同的，例如GEMINI，鍵合程序很容易轉(zhuǎn)移，這樣可以輕松擴(kuò)大生產(chǎn)量。

二、特征：

帶有150mm或200mm加熱器的鍵合室獨特的壓力和溫度均勻性與EVG的機(jī)械和光學(xué)對準(zhǔn)器兼容靈活的設(shè)計和研究配置從單芯片到晶圓各種工藝(共晶，焊料，TLP，直接鍵合)可選渦輪泵(<1E-5mbar)可升級陽極鍵合開放式腔室設(shè)計，便于轉(zhuǎn)換和維護(hù)試生產(chǎn)需求：同類產(chǎn)品中比較低擁有成本開放式腔室設(shè)計，便于轉(zhuǎn)換和維護(hù)蕞小占地面積的200mm鍵合系統(tǒng)程序與EVGHVM鍵合系統(tǒng)完全兼容。

三、參數(shù)：蕞大鍵合力：20kN，加熱器尺寸：150mm。 EVG 晶圓鍵合機(jī)上的鍵合過程是怎么樣的呢？河北晶圓鍵合機(jī)

什么是長久鍵合系統(tǒng)呢？

EVG晶圓鍵合方法的引入將鍵合對準(zhǔn)與鍵合步驟分離開來，立即在業(yè)內(nèi)掀起了市場**。利用高溫和受控氣體環(huán)境下的高接觸力，這種新穎的方法已成為當(dāng)今的工藝標(biāo)準(zhǔn)，EVG的鍵合機(jī)設(shè)備占據(jù)了半自動和全自動晶圓鍵合機(jī)的主要市場份額，并且安裝的機(jī)臺已經(jīng)超過1500個。EVG的晶圓鍵合機(jī)可提供蕞/佳的總擁有成本（TCO），并具有多種設(shè)計功能，可優(yōu)化鍵合良率。針對MEMS，3D集成或高級封裝的不同市場需求，EVG優(yōu)化了用于對準(zhǔn)的多個模塊。下面是EVG的鍵合機(jī)EVG500系列介紹。 EVG805鍵合機(jī)研發(fā)生產(chǎn)EVG鍵合機(jī)晶圓加工服務(wù)包含如下： ComBond? - 硅和化合物半導(dǎo)體的導(dǎo)電鍵合、等離子活化直接鍵合。

針對表面帶有微結(jié)構(gòu)硅晶圓的封裝展開研究，以采用 Ti / Au 作為金屬過渡層的硅—硅共晶鍵合為對象，提出一種表面帶有微結(jié)構(gòu)的硅—硅共晶鍵合工藝，以親水濕法表面活化處理降低硅片表面雜質(zhì)含量，以微裝配平臺與鍵合機(jī)控制鍵合環(huán)境及溫度來保證鍵合精度與鍵合強(qiáng)度，使用恒溫爐進(jìn)行低溫退火，解決鍵合對硅晶圓表面平整度和潔凈度要求極高，環(huán)境要求苛刻的問題。高低溫循環(huán)測試試驗與既定拉力破壞性試驗結(jié)果表明: 提出的工藝在保證了封裝組件封裝強(qiáng)度的同時，具有工藝溫度低、容易實現(xiàn)圖形化、應(yīng)力匹配度高等優(yōu)點。

從表面上看，“引線鍵合”似乎只是焊接的另一個術(shù)語，但由于涉及更多的變量，因此該過程實際上要復(fù)雜得多。為了將各種組件長久地連接在一起，在電子設(shè)備上執(zhí)行引線鍵合過程，但是由于項目的精致性，由于它們的導(dǎo)電性和相對鍵合溫度，通常*應(yīng)用金，鋁和銅。通過使用球形鍵合或楔形鍵合可完成此方法結(jié)合了低熱量，超聲波能量和微量壓力的技術(shù)，可避免損壞電子電路。如果執(zhí)行不當(dāng)，很容易損壞微芯片或相應(yīng)的焊盤，因此強(qiáng)烈建議在以前損壞或一次性使用的芯片上進(jìn)行練習(xí)，然后再嘗試進(jìn)行引線鍵合。旋涂模塊-適用于GEMINI和GEMINI FB用于在晶圓鍵合之前施加粘合劑層。

封裝技術(shù)對微機(jī)電系統(tǒng) (micro-electro-mechanical system,MEMS) 器件尺寸及功能的影響巨大，已成為 MEMS技術(shù)發(fā)展和實用化的關(guān)鍵技術(shù)［1］。實現(xiàn)封裝的技術(shù)手段很多，其中較關(guān)鍵的工藝步驟就是鍵合工藝。隨著 MEMS 技術(shù)的發(fā)展，越來越多的器件封裝需要用到表面帶有微結(jié)構(gòu)的硅片鍵合，然而MEMS器件封裝一般采用硅—硅直接鍵合( silicon directly bonding，SDB)  技術(shù)［2］。由于表面有微結(jié)構(gòu)的硅片界面已經(jīng)受到極大的損傷，其平整度和光滑度遠(yuǎn)遠(yuǎn)達(dá)不到SDB的要求，要進(jìn)行復(fù)雜的拋光處理，這**加大了工藝的復(fù)雜性和降低了器件的成品率［3］。晶圓鍵合系統(tǒng)EVG501是適用于學(xué)術(shù)界和工業(yè)研究的多功能手動晶圓鍵合機(jī)。河北SmartView NT鍵合機(jī)

EVG?500系列UV鍵合模塊-適用于GEMINI支持UV固化的粘合劑鍵合。河北晶圓鍵合機(jī)

EVG®850SOI的自動化生產(chǎn)鍵合系統(tǒng) 自動化生產(chǎn)鍵合系統(tǒng)，適用于多種熔融/分子晶圓鍵合應(yīng)用 特色 技術(shù)數(shù)據(jù) SOI晶片是微電子行業(yè)有望生產(chǎn)出更快，性能更高的微電子設(shè)備的有希望的新基礎(chǔ)材料。晶圓鍵合技術(shù)是SOI晶圓制造工藝的一項關(guān)鍵技術(shù)，可在絕緣基板上實現(xiàn)高質(zhì)量的單晶硅膜。借助EVG850 SOI生產(chǎn)鍵合系統(tǒng)，SOI鍵合的所有基本步驟-從清潔和對準(zhǔn)到預(yù)鍵合和紅外檢查-都結(jié)合了起來。因此，EVG850確保了高達(dá)300mm尺寸的無空隙SOI晶片的高產(chǎn)量生產(chǎn)工藝。EVG850是wei一在高通量，高產(chǎn)量環(huán)境下運行的生產(chǎn)系統(tǒng)，已被確立為SOI晶圓市場的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。河北晶圓鍵合機(jī)

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