EVG®850LT

特征

利用EVG的LowTemp?等離子基活技術(shù)進(jìn)行SOI和直接晶圓鍵合

適用于各種熔融/分子晶圓鍵合應(yīng)用

生產(chǎn)系統(tǒng)可在高通量，高產(chǎn)量環(huán)境中運(yùn)行

盒到盒的自動(dòng)操作（錯(cuò)誤加載，SMIF或FOUP）

無污染的背面處理

超音速和/或刷子清潔

機(jī)械平整或缺口對(duì)準(zhǔn)的預(yù)鍵合

先進(jìn)的遠(yuǎn)程診斷

技術(shù)數(shù)據(jù)：

晶圓直徑（基板尺寸）

100-200、150-300毫米

全自動(dòng)盒帶到盒帶操作

預(yù)鍵合室

對(duì)準(zhǔn)類型：平面到平面或凹口到凹口

對(duì)準(zhǔn)精度：X和Y：±50μm，θ：±0.1°

結(jié)合力：蕞高5N

鍵合波起始位置：從晶圓邊緣到中心靈活

真空系統(tǒng)：9x10-2mbar（標(biāo)準(zhǔn)）和9x10-3mbar（渦輪泵選件） 在不需重新配置硬件的情況下，EVG鍵合機(jī)可以在真空下執(zhí)行SOI / SDB（硅的直接鍵合）預(yù)鍵合。四川鍵合機(jī)值得買

鍵合卡盤承載來自對(duì)準(zhǔn)器對(duì)準(zhǔn)的晶圓堆疊，以執(zhí)行隨后的鍵合過程。可以使用適合每個(gè)通用鍵合室的**卡盤來處理各種尺寸的晶圓和鍵合應(yīng)用。 EVG?501/EVG?510/EVG?520IS是用于研發(fā)的鍵合機(jī)。 晶圓鍵合類型 ■陽(yáng)極鍵合 ■黏合劑鍵合 ■共熔鍵合 ■瞬間液相鍵合 ■熱壓鍵合 EVG鍵合機(jī)特征 ■基底高達(dá)200mm ■壓力高達(dá)100kN ■溫度高達(dá)550°C ■真空氣壓低至1·10-6mbar ■可選：陽(yáng)極，UV固化，650℃加熱器 EVG鍵合機(jī)加工服務(wù) EVG設(shè)備的晶圓加工服務(wù)包含如下： ■等離子活化直接鍵合 ■ComBond? -硅和化合物半導(dǎo)體的導(dǎo)電鍵合 ■高真空對(duì)準(zhǔn)鍵合 ■臨時(shí)鍵合和熱、機(jī)械或者激光剖離 ■混合鍵合 ■黏合劑鍵合 ■集體D2W鍵合四川鍵合機(jī)值得買EVG鍵合機(jī)使用直接（實(shí)時(shí)）或間接對(duì)準(zhǔn)方法，能夠支持大量不同的對(duì)準(zhǔn)技術(shù)。

EVG?6200鍵合機(jī)選件 自動(dòng)對(duì)準(zhǔn) 紅外對(duì)準(zhǔn)，用于內(nèi)部基板鍵對(duì)準(zhǔn) NanoAlign?包增強(qiáng)加工能力 可與系統(tǒng)機(jī)架一起使用 掩模對(duì)準(zhǔn)器的升級(jí)可能性 技術(shù)數(shù)據(jù) 常規(guī)系統(tǒng)配置 桌面 系統(tǒng)機(jī)架：可選 隔振：被動(dòng) 對(duì)準(zhǔn)方法 背面對(duì)準(zhǔn)：±2μm3σ 透明對(duì)準(zhǔn)：±1μm3σ 紅外校準(zhǔn)：選件 對(duì)準(zhǔn)階段 精密千分尺：手動(dòng) 可選：電動(dòng)千分尺 楔形補(bǔ)償：自動(dòng) 基板/晶圓參數(shù) 尺寸：2英寸，3英寸，100毫米，150毫米，200毫米 厚度：0.1-10毫米 蕞/高堆疊高度：10毫米 自動(dòng)對(duì)準(zhǔn) 可選的 處理系統(tǒng) 標(biāo)準(zhǔn)：3個(gè)卡帶站 可選：蕞多5個(gè)站

EVG?850LTSOI和直接晶圓鍵合的自動(dòng)化生產(chǎn)鍵合系統(tǒng) 用途：自動(dòng)化生產(chǎn)鍵合系統(tǒng)，適用于多種熔融/分子晶圓鍵合應(yīng)用 特色 技術(shù)數(shù)據(jù) 晶圓鍵合是SOI晶圓制造工藝以及晶圓級(jí)3D集成的一項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù)。借助用于機(jī)械對(duì)準(zhǔn)SOI的EVG850LT自動(dòng)化生產(chǎn)鍵合系統(tǒng)以及具有LowTemp?等離子活化的直接晶圓鍵合，熔融了熔融的所有基本步驟-從清潔，等離子活化和對(duì)準(zhǔn)到預(yù)鍵合和IR檢查-。因此，經(jīng)過實(shí)踐檢驗(yàn)的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)EVG850 LT確保了高達(dá)300mm尺寸的無空隙SOI晶片的高通量，高產(chǎn)量生產(chǎn)工藝。EVG鍵合機(jī)通過控制溫度，壓力，時(shí)間和氣體，允許進(jìn)行大多數(shù)鍵合過程。

臨時(shí)鍵合系統(tǒng)：

臨時(shí)鍵合是為薄晶圓或超薄晶圓提供機(jī)械支撐的必不可少的過程，這對(duì)于3DIC，功率器件和FoWLP晶圓以及處理易碎基板（例如化合物半導(dǎo)體）非常重要。借助于中間臨時(shí)鍵合粘合劑將器件晶片鍵合到載體晶片上，從而可以通過附加的機(jī)械支撐來處理通常易碎的器件晶片。在關(guān)鍵工藝之后，將晶片堆疊剝離。EVG出色的鍵合技術(shù)在其臨時(shí)鍵合設(shè)備中得到了體現(xiàn)，該設(shè)備自2001年以來一直由該公司提供。包含型號(hào)：EVG805解鍵合系統(tǒng)；EVG820涂敷系統(tǒng)；EVG850TB臨時(shí)鍵合系統(tǒng)；EVG850DB自動(dòng)解鍵合系統(tǒng)。 EVG鍵合機(jī)軟件是基于Windows的圖形用戶界面的設(shè)計(jì)，注重用戶友好性，可輕松引導(dǎo)操作員完成每個(gè)流程步驟。四川鍵合機(jī)值得買

我們的服務(wù)包括通過安全的連接，電話或電子郵件，對(duì)包括現(xiàn)場(chǎng)驗(yàn)證，進(jìn)行實(shí)時(shí)遠(yuǎn)程診斷和設(shè)備/工藝排除故障。四川鍵合機(jī)值得買

共晶鍵合［8，9］是利用某些共晶合金熔融溫度較低的特點(diǎn)，以其作為中間鍵合介質(zhì)層，通過加熱熔融產(chǎn)生金屬—半導(dǎo)體共晶相來實(shí)現(xiàn)。因此，中間介質(zhì)層的選取可以很大程度影響共晶鍵合的工藝以及鍵合質(zhì)量。中間金屬鍵合介質(zhì)層種類很多，通常有鋁、金、鈦、鉻、鉛—錫等。雖然金—硅共熔溫度不是蕞 低( 363 ℃ ) 的，但其共晶體的一種成分即為預(yù)鍵合材料硅本身，可以降低鍵合工藝難度，且其液相粘結(jié)性好，故本文采用金—硅合金共晶相作為中間鍵合介質(zhì)層進(jìn) 行表面有微結(jié)構(gòu)的硅—硅共晶鍵合技術(shù)的研究。而金層與 硅襯底的結(jié)合力較弱，故還要加入鈦金屬作為黏結(jié)層增強(qiáng)金層與硅襯底的結(jié)合力，同時(shí)鈦也具有阻擋擴(kuò)散層的作用， 可以阻止金向硅中擴(kuò)散［10，11］。四川鍵合機(jī)值得買

岱美儀器技術(shù)服務(wù)（上海）有限公司位于中國(guó)(上海)自由貿(mào)易試驗(yàn)區(qū)加太路39號(hào)第五層六十五部位，擁有一支專業(yè)的技術(shù)團(tuán)隊(duì)。在岱美儀器技術(shù)服務(wù)近多年發(fā)展歷史，公司旗下現(xiàn)有品牌岱美儀器技術(shù)服務(wù)等。我公司擁有強(qiáng)大的技術(shù)實(shí)力，多年來一直專注于磁記錄、半導(dǎo)體、光通訊生產(chǎn)及測(cè)試儀器的批發(fā)、進(jìn)出口、傭金代理（拍賣除外）及其相關(guān)配套服務(wù)，國(guó)際貿(mào)易、轉(zhuǎn)口貿(mào)易，商務(wù)信息咨詢服務(wù)。 【依法須經(jīng)批準(zhǔn)的項(xiàng)目，經(jīng)相關(guān)部門批準(zhǔn)后方可開展經(jīng)營(yíng)活動(dòng)】磁記錄、半導(dǎo)體、光通訊生產(chǎn)及測(cè)試儀器的批發(fā)、進(jìn)出口、傭金代理（拍賣除外）及其相關(guān)配套服務(wù)，國(guó)際貿(mào)易、轉(zhuǎn)口貿(mào)易，商務(wù)信息咨詢服務(wù)。 【依法須經(jīng)批準(zhǔn)的項(xiàng)目，經(jīng)相關(guān)部門批準(zhǔn)后方可開展經(jīng)營(yíng)活動(dòng)】的發(fā)展和創(chuàng)新，打造高指標(biāo)產(chǎn)品和服務(wù)。自公司成立以來，一直秉承“以質(zhì)量求生存，以信譽(yù)求發(fā)展”的經(jīng)營(yíng)理念，始終堅(jiān)持以客戶的需求和滿意為重點(diǎn)，為客戶提供良好的磁記錄，半導(dǎo)體，光通訊生產(chǎn)，測(cè)試儀器的批發(fā)，從而使公司不斷發(fā)展壯大。