晶圓級(jí)封裝的實(shí)現(xiàn)可以帶來(lái)許多經(jīng)濟(jì)利益。它允許晶圓制造，封裝和測(cè)試的集成，從而簡(jiǎn)化制造過(guò)程?？s短的制造周期時(shí)間可提高生產(chǎn)量并降低每單位制造成本。

      晶圓級(jí)封裝還可以減小封裝尺寸，從而節(jié)省材料并進(jìn)一步降低生產(chǎn)成本。然而，更重要的是，減小的封裝尺寸允許組件用于更***的高級(jí)產(chǎn)品中。晶圓級(jí)封裝的主要市場(chǎng)驅(qū)動(dòng)因素之一是需要更小的組件尺寸，尤其是減小封裝高度。

      岱美儀器提供的EVG的晶圓鍵合機(jī)，可以實(shí)現(xiàn)晶圓級(jí)封裝的功能。 鍵合機(jī)供應(yīng)商EVG擁有超過(guò)25年的晶圓鍵合機(jī)制造經(jīng)驗(yàn)，擁有累計(jì)2000多年晶圓鍵合經(jīng)驗(yàn)的員工。中國(guó)臺(tái)灣SOI鍵合機(jī)

Abouie M 等人［4］針對(duì)金—硅共晶鍵合過(guò)程中凹坑對(duì)鍵合質(zhì)量的影響展開(kāi)研究，提出一種以非晶硅為基材的金—硅共晶鍵合工藝以減少凹坑的形成，但非晶硅的實(shí)際應(yīng)用限制較大?？蹬d華等人［5］加工了簡(jiǎn)單的多層硅—硅結(jié)構(gòu)，但不涉及對(duì)準(zhǔn)問(wèn)題，實(shí)際應(yīng)用的價(jià)值較小。陳穎慧等人［6］以金— 硅共晶鍵合技術(shù)對(duì) MEMS 器件進(jìn)行了圓片級(jí)封裝［6］，其鍵合強(qiáng)度可以達(dá)到 36 MPa，但鍵合面積以及鍵合密封性不太理想，不適用一些敏感器件的封裝處理。袁星等人［7]對(duì)帶有微結(jié)構(gòu)的硅—硅直接鍵合進(jìn)行了研究，但其硅片不涉及光刻、深刻蝕、清洗等對(duì)硅片表面質(zhì)量影響較大的工藝，故其鍵合工藝限制較大。芯片鍵合機(jī)研發(fā)生產(chǎn)對(duì)于無(wú)夾層鍵合工藝，材料和表面特征利于鍵合，但為了與夾層結(jié)合，鍵合材料沉積和組成決定了鍵合線的材質(zhì)。

EV Group開(kāi)發(fā)了MLE?（無(wú)掩模曝光）技術(shù)，通過(guò)消 除與掩模相關(guān)的困難和成本，滿足了HVM世界中設(shè)計(jì)靈活性和蕞小開(kāi)發(fā)周期的關(guān)鍵要求。 MLE?解決了多功能（但緩慢）的開(kāi)發(fā)設(shè)備與快 速（但不靈活）的生產(chǎn)之間的干擾。它提供了可擴(kuò)展的解決方案，可同時(shí)進(jìn)行裸片和晶圓級(jí)設(shè)計(jì)，支持現(xiàn)有材料和新材料，并以高可靠性提供高速適應(yīng)性，并具有多級(jí)冗余功能，以提高產(chǎn)量和降低擁有成本（CoO）。

EVG的MLE?無(wú)掩模曝光光刻技術(shù)不僅滿足先進(jìn)封裝中后端光刻的關(guān)鍵要求，而且還滿足MEMS，生 物醫(yī)學(xué)和印刷電路板制造的要求。

表面帶有微結(jié)構(gòu)硅晶圓的界面已受到極大的損傷，其表面粗糙度遠(yuǎn)高于拋光硅片( Ｒa ＜ 0． 5 nm) ，有時(shí)甚至可以達(dá)到 1 μm 以上。金硅共晶鍵合時(shí)將金薄膜置于欲鍵合的兩硅片之間，加熱至稍高于金—硅共晶點(diǎn)的溫度，即 363 ℃ ， 金硅混合物從預(yù)鍵合的硅片中奪取硅原子，達(dá)到硅在金硅二相系( 其中硅含量為 19 % ) 中的飽和狀態(tài)，冷卻后形成良好的鍵合［12，13］。而光刻、深刻蝕、清洗等工藝帶來(lái)的雜質(zhì)對(duì)于金硅二相系的形成有很大的影響。以表面粗糙度極高且有雜質(zhì)的硅晶圓完成鍵合，達(dá)到既定的鍵合質(zhì)量成為研究重點(diǎn)。EVG的GEMINI系列是自動(dòng)化生產(chǎn)晶圓鍵合系統(tǒng)。

EVG?850LT的LowTemp?等離子激/活模塊 2種標(biāo)準(zhǔn)工藝氣體：N2和O2以及2種其他工藝氣體：高純度氣體（99.999％），稀有氣體（Ar，He，Ne等）和形成氣體（N2，Ar含量蕞/高為4％的氣體）2） 通用質(zhì)量流量控制器：蕞多可對(duì)4種工藝氣體進(jìn)行自校準(zhǔn)，可對(duì)配方進(jìn)行編程，流速蕞/高可達(dá)到20.000sccm 真空系統(tǒng)：9x10-2mbar（標(biāo)準(zhǔn)）和9x10-3mbar（渦輪泵選件），高頻RF發(fā)生器和匹配單元 清潔站 清潔方式：沖洗（標(biāo)準(zhǔn)），超音速噴嘴，超音速面積傳感器，噴嘴，刷子（可選） 腔室：由PP或PFA制成 清潔介質(zhì)：去離子水（標(biāo)準(zhǔn)），NH4OH和H2O2（蕞/大）。2％濃度（可選） 旋轉(zhuǎn)卡盤：真空卡盤（標(biāo)準(zhǔn)）和邊緣處理卡盤（選件），由不含金屬離子的清潔材料制成 旋轉(zhuǎn)：蕞/高3000rpm（5s） 清潔臂：蕞多5條介質(zhì)線（1個(gè)超音速系統(tǒng)使用2條線） 可選功能 ISO3mini-environment（根據(jù)ISO14644） LowTemp?等離子活化室 紅外檢查站同時(shí)，EVG研發(fā)生產(chǎn)的的GEMINI系統(tǒng)是使用晶圓鍵合的量產(chǎn)應(yīng)用的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。陜西鍵合機(jī)技術(shù)支持

烘烤/冷卻模塊-適用于GEMINI用于在涂布后和鍵合之前加工粘合劑層。中國(guó)臺(tái)灣SOI鍵合機(jī)

 一旦將晶片粘合在一起，就必須測(cè)試粘合表面，看該工藝是否成功。通常，將批處理過(guò)程中產(chǎn)生的一部分產(chǎn)量留給破壞性和非破壞性測(cè)試方法使用。破壞性測(cè)試方法用于測(cè)試成品的整體剪切強(qiáng)度。非破壞性方法用于評(píng)估粘合過(guò)程中是否出現(xiàn)了裂紋或異常，從而有助于確保成品沒(méi)有缺陷。

      EV Group（EVG）是制造半導(dǎo)體，微機(jī)電系統(tǒng)（MEMS），化合物半導(dǎo)體，功率器件和納米技術(shù)器件的設(shè)備和工藝解決方案的**供應(yīng)商。主要產(chǎn)品包括晶圓鍵合，薄晶圓加工，光刻/納米壓印光刻（NIL）和計(jì)量設(shè)備，以及光刻膠涂布機(jī)，清潔劑和檢查系統(tǒng)。成立于1980年的EV Group服務(wù)于復(fù)雜的全球客戶和合作伙伴網(wǎng)絡(luò)，并為其提供支持。有關(guān)EVG的更多信息，請(qǐng)?jiān)L問(wèn)"鍵合機(jī)"。 中國(guó)臺(tái)灣SOI鍵合機(jī)

岱美儀器技術(shù)服務(wù)（上海）有限公司是一家磁記錄、半導(dǎo)體、光通訊生產(chǎn)及測(cè)試儀器的批發(fā)、進(jìn)出口、傭金代理（拍賣除外）及其相關(guān)配套服務(wù)，國(guó)際貿(mào)易、轉(zhuǎn)口貿(mào)易，商務(wù)信息咨詢服務(wù)。 【依法須經(jīng)批準(zhǔn)的項(xiàng)目，經(jīng)相關(guān)部門批準(zhǔn)后方可開(kāi)展經(jīng)營(yíng)活動(dòng)】磁記錄、半導(dǎo)體、光通訊生產(chǎn)及測(cè)試儀器的批發(fā)、進(jìn)出口、傭金代理（拍賣除外）及其相關(guān)配套服務(wù)，國(guó)際貿(mào)易、轉(zhuǎn)口貿(mào)易，商務(wù)信息咨詢服務(wù)。 【依法須經(jīng)批準(zhǔn)的項(xiàng)目，經(jīng)相關(guān)部門批準(zhǔn)后方可開(kāi)展經(jīng)營(yíng)活動(dòng)】的公司，是一家集研發(fā)、設(shè)計(jì)、生產(chǎn)和銷售為一體的專業(yè)化公司。岱美儀器技術(shù)服務(wù)擁有一支經(jīng)驗(yàn)豐富、技術(shù)創(chuàng)新的專業(yè)研發(fā)團(tuán)隊(duì)，以高度的專注和執(zhí)著為客戶提供磁記錄，半導(dǎo)體，光通訊生產(chǎn)，測(cè)試儀器的批發(fā)。岱美儀器技術(shù)服務(wù)始終以本分踏實(shí)的精神和必勝的信念，影響并帶動(dòng)團(tuán)隊(duì)取得成功。岱美儀器技術(shù)服務(wù)創(chuàng)始人陳玲玲，始終關(guān)注客戶，創(chuàng)新科技，竭誠(chéng)為客戶提供良好的服務(wù)。