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當(dāng)?shù)貎r(jià)格鍵合機(jī)推薦型號

來源: 發(fā)布時(shí)間:2019-12-23

在鍵合過程中,將兩個(gè)組件的表面弄平并徹底清潔以確保它們之間的緊密接觸。然后它們被夾在兩個(gè)電極之間,加熱至752-932℃(華氏400-500攝氏度),和幾百到千伏的電勢被施加,使得負(fù)電極,這就是所謂的陰極,是在接觸在玻璃中,正極(陽極)與硅接觸。玻璃中帶正電的鈉離子變得可移動(dòng)并向陰極移動(dòng),在與硅片的邊界附近留下少量的正電荷,然后通過靜電吸引將其保持在適當(dāng)?shù)奈恢?。帶?fù)電的氧氣來自玻璃的離子向陽極遷移,并在到達(dá)邊界時(shí)與硅反應(yīng),形成二氧化硅(SiO 2)。產(chǎn)生的化學(xué)鍵將兩個(gè)組件密封在一起。業(yè)內(nèi)主流鍵合機(jī)使用工藝:黏合劑,陽極,直接/熔融,玻璃料,焊料(含共晶和瞬態(tài)液相)和金屬擴(kuò)散/熱壓縮。當(dāng)?shù)貎r(jià)格鍵合機(jī)推薦型號

EVG?6200BA自動(dòng)鍵合對準(zhǔn)系統(tǒng) 用于晶圓間對準(zhǔn)的自動(dòng)化鍵合對準(zhǔn)系統(tǒng),用于中等和批量生產(chǎn) 特色 技術(shù)數(shù)據(jù) EVG鍵合對準(zhǔn)系統(tǒng)提供了蕞/高的精度,靈活性和易用性,模塊化升級功能,并且已經(jīng)在眾多高通量生產(chǎn)環(huán)境中進(jìn)行了認(rèn)證。EVG鍵對準(zhǔn)器的精度可滿足MEMS生產(chǎn)和3D集成應(yīng)用等新興領(lǐng)域中蕞苛刻的對準(zhǔn)過程。 特征 適用于EVG所有的200mm鍵合系統(tǒng) 支持蕞/大200mm晶圓尺寸的雙晶圓或三晶圓堆疊的鍵合對準(zhǔn) 手動(dòng)或電動(dòng)對中平臺,帶有自動(dòng)對中選項(xiàng) 全電動(dòng)高/分辨率底面顯微鏡 基于Windows的用戶界面四川鍵合機(jī)有哪些應(yīng)用晶圓鍵合系統(tǒng)EVG501是適用于學(xué)術(shù)界和工業(yè)研究的多功能手動(dòng)晶圓鍵合機(jī)。

共晶鍵合[8,9]是利用某些共晶合金熔融溫度較低的特點(diǎn),以其作為中間鍵合介質(zhì)層,通過加熱熔融產(chǎn)生金屬—半導(dǎo)體共晶相來實(shí)現(xiàn)。因此,中間介質(zhì)層的選取可以很大程度影響共晶鍵合的工藝以及鍵合質(zhì)量。中間金屬鍵合介質(zhì)層種類很多,通常有鋁、金、鈦、鉻、鉛—錫等。雖然金—硅共熔溫度不是蕞 低( 363 ℃ ) 的,但其共晶體的一種成分即為預(yù)鍵合材料硅本身,可以降低鍵合工藝難度,且其液相粘結(jié)性好,故本文采用金—硅合金共晶相作為中間鍵合介質(zhì)層進(jìn) 行表面有微結(jié)構(gòu)的硅—硅共晶鍵合技術(shù)的研究。而金層與 硅襯底的結(jié)合力較弱,故還要加入鈦金屬作為黏結(jié)層增強(qiáng)金層與硅襯底的結(jié)合力,同時(shí)鈦也具有阻擋擴(kuò)散層的作用, 可以阻止金向硅中擴(kuò)散[10,11]。

EVG的晶圓鍵合機(jī)鍵合室配有通用鍵合蓋,可快速排空,快速加熱和冷卻。通過控制溫度,壓力,時(shí)間和氣體,允許進(jìn)行大多數(shù)鍵合過程。也可以通過添加電源來執(zhí)行陽極鍵合。對于UV固化黏合劑,可選的鍵合室蓋具有UV源。鍵合可在真空或受控氣體條件下進(jìn)行。頂部和底部晶片的**溫度控制補(bǔ)償了不同的熱膨脹系數(shù),從而實(shí)現(xiàn)無應(yīng)力黏合和出色的溫度均勻性。在不需要重新配置硬件的情況下,可以在真空下執(zhí)行SOI / SDB(硅的直接鍵合)預(yù)鍵合。


以上的鍵合機(jī)由岱美儀器供應(yīng)并提供技術(shù)支持。 烘烤/冷卻模塊-適用于GEMINI用于在涂布后和鍵合之前加工粘合劑層。

EVG?820層壓系統(tǒng) 將任何類型的干膠膜(膠帶)自動(dòng)無應(yīng)力層壓到晶圓上 特色 技術(shù)數(shù)據(jù) EVG820層壓站用于將任何類型的干膠膜自動(dòng),無應(yīng)力地層壓到載體晶片上。這項(xiàng)獨(dú)特的層壓技術(shù)可對卷筒上的膠帶進(jìn)行打孔,然后將其對齊并層壓到晶圓上。該材料通常是雙面膠帶。利用沖壓技術(shù),可以自由選擇膠帶的尺寸和尺寸,并且與基材無關(guān)。 特征 將任何類型的干膠膜自動(dòng),無應(yīng)力和無空隙地層壓到載體晶片上 在載體晶片上精確對準(zhǔn)的層壓 保護(hù)套剝離 干膜層壓站可被集成到一個(gè)EVG?850TB臨時(shí)鍵合系統(tǒng) 技術(shù)數(shù)據(jù) 晶圓直徑(基板尺寸) 高達(dá)300毫米 組態(tài) 1個(gè)打孔單元 底側(cè)保護(hù)襯套剝離 層壓 選件 頂側(cè)保護(hù)膜剝離 光學(xué)對準(zhǔn) 加熱層壓 對于無夾層鍵合工藝,材料和表面特征利于鍵合,但為了與夾層結(jié)合,鍵合材料沉積和組成決定了鍵合線的材質(zhì)。中國臺灣EVG鍵合機(jī)

同時(shí),EVG研發(fā)生產(chǎn)的的GEMINI系統(tǒng)是使用晶圓鍵合的量產(chǎn)應(yīng)用的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。當(dāng)?shù)貎r(jià)格鍵合機(jī)推薦型號

鍵合機(jī)特征 高真空,對準(zhǔn),共價(jià)鍵合 在高真空環(huán)境(<5·10-8mbar)中進(jìn)行處理 原位亞微米面對面對準(zhǔn)精度 高真空MEMS和光學(xué)器件封裝原位表面和原生氧化物去除 優(yōu)異的表面性能 導(dǎo)電鍵合 室溫過程 多種材料組合,包括金屬(鋁) 無應(yīng)力鍵合界面 高鍵合強(qiáng)度 用于HVM和R&D的模塊化系統(tǒng) 多達(dá)六個(gè)模塊的靈活配置 基板尺寸蕞/大為200毫米 完全自動(dòng)化 技術(shù)數(shù)據(jù) 真空度 處理:<7E-8mbar 處理:<5E-8毫巴 集群配置 處理模塊:蕞小3個(gè),蕞/大6個(gè) 加載:手動(dòng),卡帶,EFEM 可選的過程模塊: 鍵合模塊 ComBond?激/活模塊(CAM) 烘烤模塊 真空對準(zhǔn)模塊(VAM) 晶圓直徑 高達(dá)200毫米當(dāng)?shù)貎r(jià)格鍵合機(jī)推薦型號

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