涂層硬質(zhì)合金刀具給金屬加工業(yè)帶來(lái)了巨大的影響,涂層高速鋼鉆頭的發(fā)展顯然是一個(gè)自然的結(jié)果。在1980年芝加哥展覽會(huì)上至少在兩個(gè)展臺(tái)上展出了氮化鈦涂層高速鋼齒輪滾刀,但目前尚無(wú)商品供應(yīng)。涂層高速鋼滾刀的性能已在幾個(gè)實(shí)驗(yàn)室作了試驗(yàn)。取得成功的關(guān)鍵在于要同時(shí)解決這樣一些問(wèn)題,例如涂層的附著強(qiáng)度、涂層在大多數(shù)形狀頗為復(fù)雜的高速鋼刀具的整個(gè)表面上涂復(fù)的均勻性以及涂復(fù)過(guò)程中如何保持刀具原熱處理狀態(tài),采用了物物理相沉積法,其溫度較低,不影響鋼的硬度。涂復(fù)后的刀具,涂層厚度均勻,且不產(chǎn)生積屑瘤。涂層材料滲入了高速鋼表層,其厚度隨刀具尺寸大小而變。通常只有幾微米。涂層鉆頭的成本比無(wú)涂層的同類鉆頭貴一倍,但在很多場(chǎng)合下,涂層鉆頭的使用壽命增加2-3倍。含有納米氨化鈦顆粒的陶瓷材料內(nèi)部便形成導(dǎo)電網(wǎng)絡(luò)。這種材料可作為電子元件應(yīng)用于半導(dǎo)體工業(yè)中。天津涂層氮化鈦價(jià)格

在深亞微米(0.15μm及以下)集成電路制造中，后段工藝日趨重要，為降低阻容遲滯(RCDelay)，保證信號(hào)傳輸，減小功耗，有必要對(duì)后段工藝進(jìn)行改進(jìn)，Via阻擋層MOCVD(Metal-organicChemicalVaporDeposition，金屬有機(jī)物化學(xué)氣相淀積)TiN是其中重要研究課題之一。本論文基于薄膜電阻的理論分析，從厚度、雜質(zhì)濃度和晶體結(jié)構(gòu)三大薄膜電阻影響因素出發(fā)系統(tǒng)研究MOCVDTiN材料在平面薄膜上和真實(shí)結(jié)構(gòu)中的各種性質(zhì)，重點(diǎn)是等離子體處理(PlasmaTreatment，PT)下的晶體生長(zhǎng)，制備循環(huán)次數(shù)的選擇對(duì)薄膜雜質(zhì)濃度、晶體結(jié)構(gòu)及電阻性能的影響，不同工藝薄膜在真實(shí)結(jié)構(gòu)中物理形貌、晶體結(jié)構(gòu)和電阻性能的表現(xiàn)和規(guī)律，超薄TiN薄膜(＜5nm)的實(shí)際應(yīng)用等。俄歇能譜、透射電子顯微鏡和方塊電阻測(cè)試證明PT作用下雜質(zhì)濃度降低，同時(shí)晶體生長(zhǎng)，薄膜致密化而電阻率降低。PT具有飽和時(shí)間和深度，較厚薄膜需多循環(huán)制備以充分處理，發(fā)現(xiàn)薄膜厚度較小時(shí)(本實(shí)驗(yàn)條件下為4nm)，增加循環(huán)次數(shù)雖然進(jìn)一步降低了雜質(zhì)濃度，但會(huì)引入界面而使薄膜電阻率增加。通過(guò)TEM觀測(cè)發(fā)現(xiàn)由于等離子體運(yùn)動(dòng)的各向異性，真實(shí)結(jié)構(gòu)中PT效率在側(cè)壁遠(yuǎn)低于頂部和底部，這導(dǎo)致側(cè)壁薄膜在PT后更厚。嘉興潤(rùn)滑氮化鈦聯(lián)系人有較為的硬度和耐磨性，用于開(kāi)發(fā)新型刀具，這種新型的刀具比普通硬質(zhì)合金刀具的耐用度和使用壽命顯著提高。

采用物物理相沉積法(PVD)在45鋼基體表面沉積了TiN和TiAlN涂層.用3種載荷在摩擦磨損試驗(yàn)機(jī)上分別對(duì)45鋼、TiN和TiAlN涂層進(jìn)行了摩擦試驗(yàn),用5種載荷分別對(duì)3種試樣進(jìn)行了磨損試驗(yàn),用表面輪廓檢測(cè)儀檢測(cè)了3種試樣的體積磨損,用劃痕儀測(cè)量了涂層的臨界載荷.研究結(jié)果表明:隨著載荷的增大,TiAlN和TiN涂層的摩擦系數(shù)有較大的下降趨勢(shì),TiAlN、TiN有降低摩擦系數(shù)的作用,其中TiN的效果更好.45鋼、TiN與TiAlN的磨損量都會(huì)隨載荷的增大而增大.TiN、TiAlN涂層比45鋼有較明顯的耐磨損的能力,TiAlN涂層比TiN涂層的抗磨損能力更強(qiáng).45鋼的比磨損率趨近于線性變化,TiAlN、TiN涂層的比磨損率趨近于非線性變化.TiN涂層的臨界載荷高于TiAlN涂層的臨界載荷.

氮化鈦具有耐腐蝕性強(qiáng)、抗氧化性好、化學(xué)穩(wěn)定性高以及電導(dǎo)性好等優(yōu)點(diǎn)。本文以陽(yáng)極氧化法制得的納米TiO2薄膜、多孔結(jié)構(gòu)和納米管材料為前驅(qū)體,通過(guò)氨氣高溫還原氮化法制得了納米氮化鈦薄膜、多孔結(jié)構(gòu)和納米管材料。XRD和EDS分析結(jié)果表明,三種納米結(jié)構(gòu)氮化鈦的化學(xué)組分均只含Ti、N兩種元素,且前驅(qū)體TiO2已經(jīng)被完全轉(zhuǎn)化為氮化鈦,主要以TiN相和Ti2N相存在。SEM結(jié)果表明,高溫氮化得到的三種納米結(jié)構(gòu)氮化鈦仍保持了前驅(qū)體的微觀結(jié)構(gòu),氮化鈦多孔結(jié)構(gòu)和納米管均具有有序陣列特征,納米管管徑和孔道直徑均小于100nm,TiN薄膜表面具有很多大小不均的突起顆粒。四探針?lè)y(cè)試得到三種納米氮化鈦的電阻率約為5.0×l0-7?·m,顯示了很好的電子導(dǎo)電性。恒電位階躍測(cè)試得到氮化鈦納米管的真實(shí)表面積為1591.2cm2,多孔結(jié)構(gòu)為366.3cm2,薄膜為125.8cm2。采用線性伏安曲線和Tafel曲線研究了制備得到的三種納米結(jié)構(gòu)氮化鈦電極在硫酸溶液中的電化學(xué)析氫性能。研究表明,雖然三種TiO2前驅(qū)體具有較大的比表面積,但由于其導(dǎo)電性較差,導(dǎo)致析氫過(guò)電位高,而形成氮化物后則能顯著提高其析氫能力。氮化鈦納米管電極真實(shí)表面積比較大,且高度有序的納米管陣列結(jié)構(gòu),具有比氮化鈦薄膜和多孔結(jié)構(gòu)更好的析氫電催化活性。氮化鈦具有熔點(diǎn)高，化學(xué)穩(wěn)定性好硬度大導(dǎo)電、導(dǎo)熱和光性能好等良好的理化性質(zhì)。

氮化鈦的制備方法有哪些

1金屬鈦粉或TiH

2直接氮化法2TiO2碳熱還原氮化法

3微波碳熱還原法

4物物理相沉積法

5化學(xué)氣相沉積法

6機(jī)械合金化法

7熔鹽合成法8溶膠-凝膠法9自蔓延高溫合成法TiN的性質(zhì)及結(jié)構(gòu)。

TiN屬于間隙相，熔點(diǎn)高達(dá)2955℃，原子之間的結(jié)合為共價(jià)鍵、金屬鍵及離子鍵的混合鍵，其中金屬原子間存在金屬鍵。因此，TiN薄膜具有高硬度（理論硬度21GPa）、優(yōu)異的耐熱耐磨和耐腐蝕等特性，并且具有較好的金屬特性：金屬光澤、優(yōu)良的導(dǎo)電性及超導(dǎo)性。TiN具有典型的NaCl型結(jié)構(gòu)，屬于面心立方點(diǎn)陣（F.C.C），其中Ti原子占據(jù)面心立方的角頂。并且TiN是非計(jì)量化合物，Ti和N組成的化合物TiN1-x可以在很寬的組成范圍內(nèi)穩(wěn)定存在，其范圍為TiN0.6—TiN1.16。氮的含量可在一定范圍內(nèi)變化而不引起TiN的結(jié)構(gòu)變化。 在鎂碳磚中添加一定量的TiN能夠使鎂碳磚的抗渣侵蝕性得到很大程度的提高。北京壓鑄模具氮化鈦供應(yīng)商

DLC涂層相對(duì)光滑，粗糙度Ra為0.10μm,而TiN涂層Ra為0.16μm。天津涂層氮化鈦價(jià)格

口腔是有生物化學(xué)和電化學(xué)因素影響的復(fù)雜環(huán)境，具有較強(qiáng)的腐蝕性。因而對(duì)應(yīng)用于口腔中的金屬材料也提出了更高的要求。在磁性附著體的研究及臨床應(yīng)用中，我們發(fā)現(xiàn)磁性附著體在口腔中長(zhǎng)期使用后所出現(xiàn)的腐蝕和磨損是導(dǎo)致磁性附著體的固位力下降的主要原因，也是影響磁性附著體遠(yuǎn)期應(yīng)用效果的主要問(wèn)題。進(jìn)一步提高磁性附著體的耐腐蝕性和耐磨損性是解決這一問(wèn)題的適合途徑。近年來(lái)，隨著當(dāng)今各種鍍膜技術(shù)，如化學(xué)氣相沉積(chemicalvapordepositionCVD)、物物理相沉積(physicalvapordepositionPVD)、等離子體輔助化學(xué)氣相沉積(physicalchemicalvapordepositionPCVD)、激光輔助化學(xué)氣相沉積(laserchemicalvapordepositionLCVD)、離子鍍(ionplateIP)和離子束輔助沉積技術(shù)(ionbeamassisteddepositionIBAD)等不斷完善和發(fā)展，使具有高硬度、高耐磨性、良好耐腐蝕性的氮化鈦納米膜在國(guó)際和國(guó)內(nèi)都得到了適合研究與應(yīng)用。天津涂層氮化鈦價(jià)格

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