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四川節(jié)能模塊

來源: 發(fā)布時間:2022-11-14

可控硅為什么其有“以小控大”的可控性呢?下面我們用圖表-27來簡單分析可控硅的工作原理。   首先,我們可以把從陰極向上數(shù)、二、三層看面是一只NPN 型號晶體管,而二、三四層組成另一只PNP 型晶體管。其中第二、第三層為兩管交迭共用。這樣就可畫出圖表-27(C)的等效電路圖來分析。當在陽極和陰極之間加上一個正向電壓Ea ,又在控制極G和陰極C之間(相當BG1 的基一射間)輸入一個正的觸發(fā)信號,BG1 將產(chǎn)生基極電流Ib1 ,經(jīng)放大,BG1 將有一個放大了β1 倍的集電極電流IC1 。因為BG1 集電極與BG2 基極相連,IC1 又是BG2 的基極電流Ib2 。BG2 又把比Ib2 (Ib1 )放大了β2 的集電極電流IC2 送回BG1 的基極放大。如此循環(huán)放大,直到BG1 、BG2 完全導通。實際這一過程是“一觸即發(fā)”的過程,對可控硅來說,觸發(fā)信號加入控制極,可控硅立即導通。導通的時間主要決定于可控硅的性能。   當速晶閘管模塊承受反向陽極電壓時,無論柵極電壓如何,晶閘管都會關(guān)閉。四川節(jié)能模塊

晶閘管誕生后,其結(jié)構(gòu)的改進和工藝的改進,為新器件的不斷出現(xiàn)提供了條件。1964年,雙向晶閘管在GE公司開發(fā)成功,應用于調(diào)光和馬達控制;1965年,小功率光觸發(fā)晶閘管出現(xiàn),為其后出現(xiàn)的光耦合器打下了基礎;60年代后期,大功率逆變晶閘管問世,成為當時逆變電路的基本元件;1974年,逆導晶閘管和非對稱晶閘管研制完成。普通晶閘廣泛應用于交直流調(diào)速、調(diào)光、調(diào)溫等低頻(400Hz以下)領(lǐng)域,運用由它所構(gòu)成的電路對電網(wǎng)進行控制和變換是一種簡便而經(jīng)濟的辦法。不過,這種裝置的運行會產(chǎn)生波形畸變和降低功率因數(shù)、影響電網(wǎng)的質(zhì)量。目前水平為12kV/1kA和6500V/4000A。雙向晶閘可視為一對反并聯(lián)的普通晶閘管的集成,常用于交流調(diào)壓和調(diào)功電路中。正、負脈沖都可觸發(fā)導通,因而其控制電路比較簡單。其缺點是換向能力差、觸發(fā)靈敏度低、關(guān)斷時間較長,其水平已超過2000V/500A。上海大規(guī)模模塊市價光控晶閘是通過光信號控制晶閘管觸發(fā)導通的器件,它具有很強的抗干擾能力。

■可控硅一經(jīng)觸發(fā)導通后,由于循環(huán)反饋的原因,流入BG1基極的電流已不只是初始的Ib1,而是經(jīng)過BG1、BG2放大后的電流(β1*β2*Ib1)這一電流遠大于Ib1,足以保持BG1的持續(xù)導通。此時觸發(fā)信號即使消失,可控硅仍保持導通狀態(tài)只有斷開電源Ea或降低Ea,使BG1、BG2中的集電極電流小于維持導通的最小值時,可控硅方可關(guān)斷。當然,如果Ea極性反接,BG1、BG2由于受到反向電壓作用將處于截止狀態(tài)。這時,即使輸入觸發(fā)信號,可控硅也不能工作。反過來,Ea接成正向,而觸動發(fā)信號是負的,可控硅也不能導通。另外,如果不加觸發(fā)信號,而正向陽極電壓大到超過一定值時,可控硅也會導通,但已屬于非正常工作情況了。

可控硅工作原理可控硅是可控硅整流元件的簡稱,是一種具有三個PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導體器件,通常由兩晶閘管反向連接而成.它的功用不只是整流,還可以用作無觸點開關(guān)以快速接通或切斷電路,實現(xiàn)將直流電變成交流電的轉(zhuǎn)變,將一種頻率的交流電變成另一種頻率的交流電等等??煽毓韬推渌雽w器件一樣,其有體積小、效率高、穩(wěn)定性好、工作可靠等優(yōu)點。它的出現(xiàn),使半導體技術(shù)從弱電范疇進入了強電范疇,成為工業(yè)、農(nóng)業(yè)、交通運輸、科研以至商業(yè)、民用電器等方面爭相采用的元件。當集-射極電壓UCE<0時,J3的PN結(jié)處于反偏,IGBT呈反向阻斷狀態(tài)。

本系統(tǒng)壓敏電阻的選擇為:710-1000V。阻容吸收回路能抑制模塊內(nèi)品閘管由導通到截止時產(chǎn)生的過電壓,避免品閘管被擊穿,但它只能吸收時間很短.電壓不高的過電壓。單相電路用電阻和電容串聯(lián)后并聯(lián)在交流輸人端,三相電路用電阻和電容接成星形或3角形并聯(lián)在交流輸人端,阻容吸收回路。3.模塊領(lǐng)配備相應敢熱器以保證其可靠性和安全性,本系統(tǒng)使用的模塊翰出額定電流較大(SOA),電動機額定電德為12A,因此模塊達不到滿負荷工作,采用自然冷卻方式即可。4.三相整流模塊直流輸出給電動機電樞供電時,電樞回路要接入電抗器來限制直流電流的脈動,使電動機輕載或空載時維持電流連續(xù)。超快恢復二極管模塊,包括紫銅底板,氮化鋁陶瓷覆銅板,塑料外殼,三個主電極,環(huán)氧樹脂保護層。進口模塊供應商

若柵-射極電壓UGE<Uth,溝道不能形成,IGBT呈正向阻斷狀態(tài)。四川節(jié)能模塊

早在1970年由西門康公司率先將模塊原理引入電力電子技術(shù)領(lǐng)域,是采用模塊封裝形式,具有三個PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導體器件??煽毓枘K從內(nèi)部封裝芯片上可以分為可控模塊和整流模塊兩大類;從具體的用途上區(qū)分,可以分為:普通晶閘管模塊(MTC\MTX\MTK\MTA)、普通整流管模塊(MDC)、普通晶閘管、整流管混合模塊(MFC)、快速晶閘管、整流管及混合模塊(MKC\MZC)、非絕緣型晶閘管、整流管及混合模塊(也就是通常所說的電焊機模塊MTG\MDG)、三相整流橋輸出可控硅模塊(MDS)、單相(三相)整流橋模塊(MDQ)、單相半控橋(三相全控橋)模塊(MTS)以及肖特基模塊等。四川節(jié)能模塊

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