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來(lái)源: 發(fā)布時(shí)間:2025-06-12

以及高速信號(hào),如UFS,DDR3/DDR4,USBtypeC等高速協(xié)議抓取和分析的服務(wù)。除非已在觸發(fā)序列中使用了它們。一般情況下,如果可能的話(huà),應(yīng)使用發(fā)生計(jì)數(shù)器代替全局計(jì)數(shù)器,原因是發(fā)生計(jì)數(shù)器的用法比較簡(jiǎn)單,而且全局計(jì)數(shù)器的數(shù)量有限。定時(shí)器:定時(shí)器用于檢查事件之間消耗的時(shí)間。例如,如果想在出現(xiàn)一個(gè)時(shí)鐘沿后的500ns內(nèi)出現(xiàn)另一個(gè)時(shí)鐘沿的情況下引發(fā)觸發(fā),請(qǐng)使用定時(shí)器。使用定時(shí)器時(shí)要記住的關(guān)鍵一點(diǎn)是:先啟動(dòng)定時(shí)器,然后再對(duì)其進(jìn)行測(cè)試。換句話(huà)說(shuō),定時(shí)器無(wú)法自動(dòng)啟動(dòng)。設(shè)置定時(shí)器的關(guān)鍵是確定在何種情況下進(jìn)行啟動(dòng)和測(cè)試。存儲(chǔ)限定:存儲(chǔ)限定用于確定應(yīng)該存儲(chǔ)(即,存入內(nèi)存)還是丟棄已獲得的樣本。這可以避免不需要的樣本占用邏輯分析儀內(nèi)存。設(shè)置存儲(chǔ)限定簡(jiǎn)單的方法是設(shè)置“默認(rèn)存儲(chǔ)”。默認(rèn)存儲(chǔ)表示“如果未經(jīng)序列步驟指定,則進(jìn)行存儲(chǔ)”。例如,可能只想在ADDR的范圍為1000到2000時(shí)存儲(chǔ)樣本,那么就應(yīng)將“默認(rèn)存儲(chǔ)”設(shè)置為:ADDRInRange1000to2000默認(rèn)情況下,“默認(rèn)存儲(chǔ)”設(shè)置為存儲(chǔ)所有已獲得的樣本。也可以將“默認(rèn)存儲(chǔ)”設(shè)置為不存儲(chǔ)任何樣本,這意味著除非某序列步驟覆蓋該默認(rèn)存儲(chǔ),否則將不存儲(chǔ)任何樣本。PMBus協(xié)議分析儀/訓(xùn)練器找歐奧!無(wú)錫SDIO邏輯分析儀廠(chǎng)家

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還要對(duì)信號(hào)進(jìn)行放,因?yàn)閭鬟f過(guò)來(lái)的信號(hào)幅度比較小。圖23探頭的信號(hào)完整性考慮探頭的負(fù)載效應(yīng)主要分為兩種類(lèi)型:直流負(fù)載和交流負(fù)載。直流負(fù)載:探頭看起來(lái)象一個(gè)對(duì)地的直流負(fù)載,一般是20K歐姆。如果被測(cè)總線(xiàn)具有弱上拉或弱下拉特性(即上下拉電阻較),這個(gè)負(fù)載可能會(huì)導(dǎo)致邏輯錯(cuò)誤。直流負(fù)載主要由探頭尖的電阻決定,這個(gè)電阻阻值越,直流負(fù)載越小,阻值越小,直流負(fù)載越。交流負(fù)載:探頭包含寄生電容和電感。這些寄生參數(shù)會(huì)減小探頭帶寬和導(dǎo)致信號(hào)反射。我們需要在被測(cè)電路接收端和探頭尖處考慮信號(hào)完整性。探頭帶寬被降低主要來(lái)自2個(gè)方面:探頭電容和探頭與目標(biāo)連接的連線(xiàn)的電容。探頭導(dǎo)致信號(hào)反射的原因是4個(gè)方面:探頭電容和電感;探頭在被測(cè)總線(xiàn)上的探測(cè)位置;總線(xiàn)的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu);探頭和目標(biāo)間連線(xiàn)的長(zhǎng)度。對(duì)于交流負(fù)載,我們需要考慮:探測(cè)點(diǎn)在傳輸線(xiàn)的位置,總線(xiàn)的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)和探頭和目標(biāo)間連線(xiàn)的長(zhǎng)度。探頭的負(fù)載除了可以用復(fù)雜的Spice模型仿真分析外,也可以用簡(jiǎn)單的RC模型簡(jiǎn)單預(yù)估負(fù)載效應(yīng)。下圖是典型探頭的RC模型。圖24常用探頭的RC模型我們需要仔細(xì)考慮探頭和目標(biāo)之間的連線(xiàn)。為了可靠的電氣連接,有三種方式可選擇:短線(xiàn)探測(cè)(StubProbing),阻尼電阻探測(cè)。茂名I3C邏輯分析儀售價(jià)eMMC協(xié)議分析儀/訓(xùn)練器找歐奧!

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