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南通逆導(dǎo)可控硅

來(lái)源: 發(fā)布時(shí)間:2022-02-19

    可控整流電路的作用是把交流電變換為電壓值可以調(diào)節(jié)的直流電。圖20-1所示為單相半控橋式整流實(shí)驗(yàn)電路。主電路由負(fù)載RL(燈炮)和晶閘管T1組成,觸發(fā)電路為單結(jié)晶體管T2及一些阻容元件構(gòu)成的阻容移相橋觸發(fā)電路。改變晶閘管T1的導(dǎo)通角,便可調(diào)節(jié)主電路的可控輸出整流電壓(或電流)的數(shù)值,這點(diǎn)可由燈炮負(fù)載的亮度變化看出。晶閘管導(dǎo)通角的大小決定于觸發(fā)脈沖的頻率f,由公式圖1單相半控橋式整流實(shí)驗(yàn)電路可知,當(dāng)單結(jié)晶體管的分壓比η(一般在~)及電容C值固定時(shí),則頻率f大小由R決定,因此,通過(guò)調(diào)節(jié)電位器Rw,使可以改變觸發(fā)脈沖頻率,主電路的輸出電壓也,從而達(dá)到可控調(diào)壓的目的。用萬(wàn)用電表的電阻檔(或用數(shù)字萬(wàn)用表二極管檔)可以對(duì)單結(jié)晶體管和晶閘管進(jìn)行簡(jiǎn)易測(cè)試。圖2為單結(jié)晶體管BT33管腳排列、結(jié)構(gòu)圖及電路符號(hào)。好的單結(jié)晶體管PN結(jié)正向電阻REB1、REB2均較小,且REB1稍大于REB2,PN結(jié)的反向電阻RB1E、RB2E均應(yīng)很大,根據(jù)所測(cè)阻值,即可判斷出各管腳及管子的質(zhì)量?jī)?yōu)劣。圖2單結(jié)晶體管BT33管腳排列、結(jié)構(gòu)圖及電路符號(hào)圖3為晶閘管3CT3A管腳排列、結(jié)構(gòu)圖及電路符號(hào)。晶閘管陽(yáng)極(A)—陰極(K)及陽(yáng)極(A)—門(mén)極(G)之間的正、反向電阻RAK、RKA、RAG、RGA均應(yīng)很大。整流器可以由真空管,引燃管,固態(tài)矽半導(dǎo)體二極管,汞弧等制成。南通逆導(dǎo)可控硅

    2具體電路實(shí)現(xiàn)電路結(jié)構(gòu)框圖如圖1所示。該電路選取單向橋式半控整流電路,降低了成本。大功率或大電流的穩(wěn)壓電源,一般采用L-C濾波電路。但是,大電流的濾波電抗器體積大,重量重,價(jià)格也較貴,因此,在該穩(wěn)壓電源的設(shè)計(jì)中仍采用大電容濾波。線(xiàn)性穩(wěn)壓器部分仍采用串聯(lián)反饋調(diào)整型穩(wěn)壓器原理,構(gòu)成一個(gè)閉環(huán)反饋系統(tǒng)。主要包括:調(diào)整管,取樣電路,基準(zhǔn)電壓源,誤差比較放大器。由于該穩(wěn)壓電源輸出電流20A,電流很大,所以,為減小調(diào)整管功耗,采用并聯(lián)形式,在本電源中,調(diào)整管用兩個(gè)大功率三極管并聯(lián),使每管流過(guò)電流為10A左右。這樣,每個(gè)管子的功耗不大于40W,減小了調(diào)整管功耗。調(diào)整管集電極電流為10A左右,因此應(yīng)采用大功率晶體三極管,選取β=40~50,這樣,基極電流應(yīng)達(dá)2×0.3A,即600mA。而一般集成運(yùn)算放大器輸出電流只有幾十毫安級(jí),不能讓比較放大電路的輸出端直接來(lái)推動(dòng)調(diào)整管,因此在比較放大電路的輸出端與調(diào)整管的基極之間,加入推動(dòng)級(jí),此處選擇一個(gè)小功率三極管,構(gòu)成復(fù)合管的形式。啟動(dòng)電阻Rc取2k。防振電容C取10μF。在穩(wěn)壓電路中,基準(zhǔn)源是整個(gè)穩(wěn)壓系統(tǒng)工作的參考,穩(wěn)壓的**終效果取決于基準(zhǔn)源的水平。因此,該電源中。逆導(dǎo)可控硅經(jīng)銷(xiāo) 可控硅調(diào)整器能與國(guó)內(nèi)外各種控制儀表、微機(jī)的輸出信號(hào)直接接口。

    其G、K極問(wèn)PN結(jié)已失去單向?qū)щ娮饔谩y(cè)量陽(yáng)極A與門(mén)極G之間的正、反向電阻,正常時(shí)兩個(gè)阻值均應(yīng)為幾百千歐姆(kΩ)或無(wú)窮大,若出現(xiàn)正、反向電阻值不一樣(有類(lèi)似二極管的單向?qū)щ?。則是G、A極之間反向串聯(lián)的兩個(gè)PN結(jié)中的一個(gè)已擊穿短路。(3)觸發(fā)能力檢測(cè):對(duì)于小功率(工作電流為5A以下)的普通晶閘管,可用萬(wàn)用表R×1檔測(cè)量。測(cè)量時(shí)黑表筆接陽(yáng)極A,紅表筆接陰極K,此時(shí)表針不動(dòng),顯示阻值為無(wú)窮大(∞)。用鑷子或?qū)Ь€(xiàn)將晶閘管的陽(yáng)極A與門(mén)極短路(見(jiàn)圖2),相當(dāng)于給G極加上正向觸發(fā)電壓,此時(shí)若電阻值為幾歐姆至幾十歐姆(具體阻值根據(jù)晶閘管的型號(hào)不同會(huì)有所差異),則表明晶閘管因正向觸發(fā)而導(dǎo)通。再斷開(kāi)A極與G極的連接(A、K極上的表筆不動(dòng),只將G極的觸發(fā)電壓斷掉)。若表針示值仍保持在幾歐姆至幾十歐姆的位置不動(dòng),則說(shuō)明此晶閘管的觸發(fā)性能良好。對(duì)于工作電流在5A以上的中、大功率普通晶閘管,因其通態(tài)壓降VT維持電流IH及門(mén)極觸發(fā)電壓Vo均相對(duì)較大,萬(wàn)用表R×1kΩ檔所提供的電流偏低,晶閘管不能完全導(dǎo)通,故檢測(cè)時(shí)可在黑表筆端串接一只200Ω可調(diào)電阻和1~3節(jié)1.5V干電池(視被測(cè)晶閘管的容量而定,其工作電流大于100A的,應(yīng)用3節(jié)1.5V干電池),如圖3所示。

    該充電器除可為各種鎳鎘電池充電外,也可為干電池充電。其充電電流可調(diào)。充電終止電壓由RP1預(yù)先確定。開(kāi)始充電時(shí),電池組兩端電壓較低,不足以使晶體管VT導(dǎo)通。由RC組成的移相電路給可控硅提供觸發(fā)電流。移相角度由RP2決定。負(fù)半周時(shí)可控硅截止。因此可控硅以可控半波整流方式經(jīng)電池組充電。調(diào)整RP2即可調(diào)整充電電流,比較大充電電流由R1既定。指示燈串在電路中以指示充電情況和充電電流的大小。R3用以調(diào)節(jié)指示燈的亮度。當(dāng)電池組電壓慢慢升高,快到預(yù)定值時(shí),三極管開(kāi)始導(dǎo)通,可控硅的導(dǎo)通角減小,充電電流下降,直至完全截止,這樣充電自動(dòng)停止,并使電池組保持在預(yù)定電壓上。因?yàn)楫?dāng)電壓下降時(shí),晶體管又趨向截止,可控硅重新啟動(dòng),不過(guò)此時(shí)導(dǎo)通角很小,電流出很小,對(duì)充電電池有保護(hù)作用,防止過(guò)充。元器件選擇與制作元器件清單見(jiàn)下表。編號(hào)名稱(chēng)型號(hào)數(shù)量R1電阻(需調(diào)整)1R2電阻1R3電阻根據(jù)指示燈選用1RP1電位器100K1RP2電位器2K1C滌綸電容1VD1、VD2晶體二極管2CP類(lèi)2VT晶體三極管3DG類(lèi)1VS單向可控硅1A/25V1元器件連接完成,檢查無(wú)誤,即可進(jìn)行調(diào)整。調(diào)整時(shí),將電流表串在輸入回路中,先將R3短路,RP2旋至阻值**小處,調(diào)整R1。觸發(fā)板應(yīng)用于工業(yè)各領(lǐng)域的電壓電流調(diào)節(jié),用于電阻性負(fù)載、電感性負(fù)載、變壓器一次側(cè)及各種整流裝置等。

    應(yīng)用KY-TSC系列投切開(kāi)關(guān)是在三相系統(tǒng)中用來(lái)投切電容,和其他投切器相比,該投切開(kāi)關(guān)具有在投切時(shí)無(wú)涌流,無(wú)接觸噪聲以及很高的開(kāi)關(guān)頻率。這些優(yōu)點(diǎn)是通過(guò)觸發(fā)電路,晶閘管,二極管,以及一些輔助電路實(shí)現(xiàn)。該投切器適合用在負(fù)載變化較快的場(chǎng)合。組成單元該投切器主要有雙向可控硅,觸發(fā)電路,吸收電路,散熱片,以及冷卻裝置等元件組成。出點(diǎn)電路在電壓過(guò)零前后進(jìn)行判斷是否輸出控制信號(hào)(DC12V),進(jìn)而使可控硅進(jìn)行導(dǎo)通或關(guān)斷。觸發(fā)電路能夠可靠的保證控制信號(hào)的輸出,散熱片的良好的導(dǎo)熱作用以及散熱風(fēng)機(jī)的添加,改善了投切開(kāi)關(guān)的散熱效果。該裝置有內(nèi)置過(guò)溫保護(hù)開(kāi)關(guān),以及控制風(fēng)機(jī)自動(dòng)運(yùn)行的溫度開(kāi)關(guān),從而為安全的運(yùn)行提供了良好的條件。 鹽浴爐、工頻感應(yīng)爐、淬火爐、熔融玻璃的溫度加熱控制。逆導(dǎo)可控硅經(jīng)銷(xiāo)

可控硅觸發(fā)板現(xiàn)場(chǎng)調(diào)試一般不需要示波器即可完成。南通逆導(dǎo)可控硅

    只要用萬(wàn)用表測(cè)出A極和G極即可。將萬(wàn)用表置于R×1kΩ檔,兩表筆任接被測(cè)晶閘管的某兩個(gè)引腳(測(cè)其正、反向電阻值),若測(cè)出某對(duì)引腳為低阻值時(shí),則黑表筆接的陽(yáng)極A,而紅表筆接的是門(mén)極G,另外一個(gè)引腳即是陰極K。(2)判斷其好壞:用萬(wàn)用表R×1kΩ檔測(cè)量BTG晶閘管各電極之間的正、反向電阻值。正常時(shí),陽(yáng)極A與陰極K之間的正、反向電阻均為無(wú)窮大;陽(yáng)極A與門(mén)極G之間的正向電阻值(指黑表筆接A極時(shí))為幾百歐姆至幾千歐姆,反向電阻值為無(wú)窮大。若測(cè)得某兩極之間的正、反向電阻值均很小,則說(shuō)明該晶閘管已短路損壞。(3)觸發(fā)能力檢測(cè):將萬(wàn)用表置于R×1Ω檔,黑表筆接陽(yáng)極A,紅表筆接陰極K,測(cè)得阻值應(yīng)為無(wú)窮大。然后用手指觸摸門(mén)極G,給其加一個(gè)人體感應(yīng)信號(hào),若此時(shí)A、K極之間的電阻值由無(wú)窮大變?yōu)榈妥柚?數(shù)歐姆),則說(shuō)明晶閘管的觸發(fā)能力良好。否則說(shuō)明此晶閘管的性能不良。南通逆導(dǎo)可控硅

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