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單相整流可控硅訂制

來源: 發(fā)布時間:2022-02-26

    應(yīng)用KY-TSC系列投切開關(guān)是在三相系統(tǒng)中用來投切電容,和其他投切器相比,該投切開關(guān)具有在投切時無涌流,無接觸噪聲以及很高的開關(guān)頻率。這些優(yōu)點是通過觸發(fā)電路,晶閘管,二極管,以及一些輔助電路實現(xiàn)。該投切器適合用在負(fù)載變化較快的場合。組成單元該投切器主要有雙向可控硅,觸發(fā)電路,吸收電路,散熱片,以及冷卻裝置等元件組成。出點電路在電壓過零前后進(jìn)行判斷是否輸出控制信號(DC12V),進(jìn)而使可控硅進(jìn)行導(dǎo)通或關(guān)斷。觸發(fā)電路能夠可靠的保證控制信號的輸出,散熱片的良好的導(dǎo)熱作用以及散熱風(fēng)機(jī)的添加,改善了投切開關(guān)的散熱效果。該裝置有內(nèi)置過溫保護(hù)開關(guān),以及控制風(fēng)機(jī)自動運行的溫度開關(guān),從而為安全的運行提供了良好的條件。 調(diào)整器具有“自動限流”功能,負(fù)載電流大于額定值時,調(diào)壓器輸出電流被限制在額定值左右。單相整流可控硅訂制

    選擇價格便宜、性能很好的熱敏元件AD590,將其加裝在調(diào)整管的散熱片上。當(dāng)溫度達(dá)60℃左右時,啟動風(fēng)扇降溫,當(dāng)溫度回落至40℃左右時,關(guān)閉風(fēng)扇。當(dāng)溫度高達(dá)85℃時,給可控硅觸發(fā)回路發(fā)出***信號,關(guān)斷可控硅,進(jìn)而關(guān)斷電路,避免調(diào)整管過熱損壞。電路如圖3所示。AD590的外部特性:0℃時,其電流為273μA;溫度每上升1℃,電流增加1μA;溫度每下降1℃,電流減小1μA;工作溫度為-50℃~+150℃;為避免比較器頻繁動作或誤動作,選擇滯環(huán)寬度為1V。取R=40kΩ;選擇集成運放由單電源+5V供電,可由CW78M15分壓得到。設(shè)溫度65℃時比較器基準(zhǔn)電壓為EmH,有:設(shè)溫度40℃時比較器基準(zhǔn)電壓為EmL,有?。篟1=2k;Rf=10k校驗:所以:當(dāng)溫度為61℃時,啟動風(fēng)扇;當(dāng)降低為40℃時,關(guān)閉風(fēng)扇。當(dāng)調(diào)整管溫度達(dá)80℃左右時,比較器輸出零電平,***可控硅,進(jìn)而關(guān)斷電路。該穩(wěn)壓電源中,短路保護(hù)的功能為當(dāng)檢測到輸出電壓低于2V并延時2s后時,就判斷為短路。發(fā)出***信號關(guān)斷可控硅,關(guān)斷電路,防止損壞器件。限流保護(hù)的作用是當(dāng)負(fù)載電流超過20A時,減小調(diào)整管基極電流,使輸出電流減小。3結(jié)束語這種新型跟.蹤式可控硅直流穩(wěn)壓電源成本低,性能較好,精度較高,適于BP機(jī)發(fā)射臺使用。安徽散熱可控硅隔離開關(guān)應(yīng)能同時提供滿足負(fù)載的電流和蓄電池的再充電電流,并能承受較大的短路電流。

上海凱月電子科技有限公司是一家集科研開發(fā)、制造、銷售于一體的高科技民營企業(yè),專業(yè)生產(chǎn)銷售可控硅觸發(fā)器、大功率高精度可控硅觸發(fā)板、電力調(diào)整器、軟啟動器、智能調(diào)壓模塊、中小型固態(tài)繼電器、中頻電源和節(jié)電設(shè)備等700多個產(chǎn)品規(guī)格。廣泛應(yīng)用于工業(yè)機(jī)床、加熱設(shè)備、節(jié)能、電力驅(qū)動等自動化控制領(lǐng)域。

公司擁有先進(jìn)的研發(fā)測試生產(chǎn)設(shè)備,雄厚的技術(shù)力量。公司視質(zhì)量為企業(yè)***生命,嚴(yán)格按照國際ISO9001質(zhì)量體系組織設(shè)計生產(chǎn)。產(chǎn)品均采用無鉛自動焊接技術(shù)全自動電腦貼片生產(chǎn),每臺產(chǎn)品須通過電磁兼容測試,須在高溫及高壓環(huán)境下老化48小時工作以上,確保能夠生產(chǎn)出高質(zhì)量、高精度、高可靠的產(chǎn)品。主要技術(shù)指標(biāo)均達(dá)國際標(biāo)準(zhǔn)。質(zhì)量的優(yōu)化,從而使本公司的銷售網(wǎng)絡(luò)廣褒千里,縱橫全國,部分產(chǎn)品遠(yuǎn)銷中東、馬來西亞、等***和中國臺灣地區(qū)。

    焊接場效應(yīng)管是比較方便的,并且確保安全;在未關(guān)斷電源時,***不可以把管插人電路或從電路中拔出。以上安全措施在使用場效應(yīng)管時必須注意。(5)在安裝場效應(yīng)管時,注意安裝的位置要盡量避免靠近發(fā)熱元件;為了防管件振動,有必要將管殼體緊固起來;管腳引線在彎曲時,應(yīng)當(dāng)大于根部尺寸5毫米處進(jìn)行,以防止彎斷管腳和引起漏氣等。對于功率型場效應(yīng)管,要有良好的散熱條件。因為功率型場效應(yīng)管在高負(fù)荷條件下運用,必須設(shè)計足夠的散熱器,確保殼體溫度不超過額定值,使器件長期穩(wěn)定可靠地工作。總之,確保場效應(yīng)管安全使用,要注意的事項是多種多樣,采取的安全措施也是各種各樣,廣大的專業(yè)技術(shù)人員,特別是廣大的電子愛好者,都要根據(jù)自己的實際情況出發(fā),采取切實可行的辦法,安全有效地用好場效應(yīng)管。三.VMOS場效應(yīng)管VMOS場效應(yīng)管(VMOSFET)簡稱VMOS管或功率場效應(yīng)管,其全稱為V型槽MOS場效應(yīng)管。它是繼MOSFET之后新發(fā)展起來的高.效、功率開關(guān)器件。它不僅繼承了MOS場效應(yīng)管輸入阻抗高(≥108W)、驅(qū)動電流小(μA左右),還具有耐壓高(比較高1200V)、工作電流大(~100A)、輸出功率高(1~250W)、跨導(dǎo)的線性好、開關(guān)速度快等優(yōu)良特性。三相恒壓|恒流|恒功率晶閘管功率控制器是移相觸發(fā)型的晶閘管電力控制器。

    穩(wěn)壓二極管的負(fù)極連接電阻R4的另一端、光耦OC的腳4、NPN三極管T1的集電極、單結(jié)晶體管T2的發(fā)射極b2、單向可控硅SCR1的A極、單向可控硅SCR2的K極以及電源輸出端1,所述光耦OC的腳1連接輸入控制端的正極,光耦OC的腳2經(jīng)由電阻R5連接輸入控制端的負(fù)極,光耦OC的腳3連接NPN三極管T1的基極,NPN三極管T1的發(fā)射極連接電阻R6的一端,電阻R6的另一端連接電容C4的另一端以及單結(jié)晶體管T2的發(fā)射極b1,單結(jié)晶體管T2的發(fā)射極b1連接變壓器B1的輸入端1,變壓器B1的輸入端2連接變壓器B2輸入端1,變壓器B1的輸出端1連接電源輸出端1,變壓器B2的輸出端2連接電源輸出端2,所述單向可控硅SCR1的G極連接變壓器B2的輸出端1,所述單向可控硅SCR2的G極連接變壓器B1的輸出端2,所述單向可控硅SCR1的A極和K極分別連接電源輸出端1和電源輸出端2,所述單向可控硅SCR2的A極和K極分別連接電源輸出端2和電源輸出端1。作為推薦,所述電源輸出端1和電源輸出端2分別連接電容C的一端和電阻R的一端,電容C的另一端和電阻R的另一端連接。本實用新型與現(xiàn)有技術(shù)相比,具有以下優(yōu)點和效果:單向可控硅分別通過**的光耦進(jìn)行隔離,提高了單向可控硅的耐受性能,實現(xiàn)負(fù)載電壓從零伏到電網(wǎng)全電壓的無級可調(diào)。整流器/充電機(jī)應(yīng)有輸出濾波器以將加在蓄電池的紋波電壓減少到**小。安徽散熱可控硅

常用的半導(dǎo)體整流器有硅整流器和硒整流器,產(chǎn)品規(guī)格很多,電壓從幾十伏到幾千伏,電流從幾安到幾千安。單相整流可控硅訂制

    也可以用圖4中的測試電路測試普通晶閘管的觸發(fā)能力。電路中,vT為被測晶閘管,HL為6.3V指示燈(手電筒中的小電珠),GB為6V電源(可使用4節(jié)1.5V干電池或6V穩(wěn)壓電源),S為按鈕,R為限流電阻。當(dāng)按鈕S未接通時,晶閘管VT處于阻斷狀態(tài),指示燈HL不亮(若此時HL亮,則是vT擊穿或漏電損壞)。按動一下按鈕S后(使S接通一下,為晶閘管VT的門極G提供觸發(fā)電壓),若指示燈HL一直點亮,則說明晶閘管的觸發(fā)能力良好。若指示燈亮度偏低,則表明晶閘管性能不良、導(dǎo)通壓降大(正常時導(dǎo)通壓降應(yīng)為1v左右)。若按鈕S接通時,指示燈亮,而按鈕S斷開時,指示燈熄滅,則說明晶閘管已損壞,觸發(fā)性能不良。2.雙向晶閘管的檢測(1)判別各電極:用萬用表R×1或R×10檔分別測量雙向晶閘管三個引腳間的正、反向電阻值,若測得某一管腳與其他兩腳均不通,則此腳便是主電極T2。找出T2極之后,剩下的兩腳便是主電極Tl和門極G3。測量這兩腳之間的正、反向電阻值,會測得兩個均較小的電阻值。在電阻值較小(約幾十歐姆)的一次測量中,黑表筆接的是主電極T1,紅表筆接的是門極G。螺栓形雙向晶閘管的螺栓一端為主電極T2,較細(xì)的引線端為門極G,較粗的引線端為主電極T1。金屬封裝(To—3)雙向晶閘管的外殼為主電極T2。單相整流可控硅訂制

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