應(yīng)用同樣方法改測其他電極，直到找出三個(gè)電極為止。也可以測任兩腳之間的正、反向電阻，若正、反向電阻均接近無窮大，則兩極即為陽極A和陰極K，而另一腳即為門極G。普通晶閘管也可以根據(jù)其封裝形式來判斷出各電極。例如：螺栓形普通晶閘管的螺栓一端為陽極A，較細(xì)的引線端為門極G，較粗的引線端為陰極K。平板形普通晶閘管的引出線端為門極G，平面端為陽極A，另一端為陰極K。金屬殼封裝(T0—3)的普通晶閘管，其外殼為陽極A。塑封(T0—220)的普通晶閘管的中間引腳為陽極A，且多與自帶散熱片相連。圖1為幾種普通晶閘管的引腳排列。(2)判斷其好壞：用萬用表R×1kΩ檔測量普通晶閘管陽極A與陰極K之間的正、反向電阻，正常時(shí)均應(yīng)為無窮大(∞)；若測得A、K之間的正、反向電阻值為零或阻值均較小，則說明晶閘管內(nèi)部擊穿短路或漏電。測量門極G與陰極K之間的正、反向電阻值，正常時(shí)應(yīng)有類似二極管的正、反向電阻值(實(shí)際測量結(jié)果要較普通二極管的正、反向電阻值小一些)，即正向電阻值較小(小于2kΩ)，反向電阻值較**于80kΩ)。若兩次測量的電阻值均很大或均很小，則說明該晶閘管G、K極之間開路或短路。若正、反電阻值均相等或接近，則說明該晶閘管已失效?？煽毓枵{(diào)整器采用移相式觸發(fā)方式、適用于阻性負(fù)載、感性負(fù)載、變壓器一次側(cè)等各種負(fù)載類型。單相整流可控硅經(jīng)銷

    10ms內(nèi)截止輸出過熱保護(hù)主回路SCR溫度>75℃,截止輸出相序保護(hù)輸入電源相序錯(cuò)誤報(bào)警環(huán)境溫度－5～+45℃濕度≤90%RH，無水珠凝結(jié)海拔高度低于1000米(超過1000米降額使用)第二章控制原理及功能特性控制原理三相晶閘管閉環(huán)技術(shù)可控硅調(diào)壓器采用移相觸發(fā)控制方式，輸出電壓、電流或功率連續(xù)可調(diào)，具有恒電壓、恒電流或恒功率的特性。三相晶閘管閉環(huán)技術(shù)觸發(fā)板的原理框圖，其控制原理為一個(gè)典型的雙閉環(huán)控制，電流環(huán)為內(nèi)環(huán)，電壓環(huán)為外環(huán)?，F(xiàn)以調(diào)壓器的“恒電壓控制特性”來介紹其控制原理。調(diào)節(jié)過程如下：給定信號(hào)(Ug)、電壓反饋信號(hào)(Uf)、電流反饋信號(hào)(If)當(dāng)由于某種原因使調(diào)壓器輸出電壓降低時(shí)(如電網(wǎng)電壓降低)：（Ug-Uf）↑→UO↑→Uy↑→α↓→調(diào)壓器輸出電壓U↑***達(dá)到Uf與Ug相互平衡，調(diào)壓器輸出穩(wěn)定電壓。。圖2-1恒電壓原理框圖電流環(huán)作用是，在突加負(fù)載或負(fù)載電流超過限流值時(shí)，限制調(diào)壓器的輸出電流在額定電流范圍內(nèi)，確保輸出和調(diào)壓器正常工作。其調(diào)節(jié)過程如下：U0恒定，負(fù)載電流增加：If↑→（UO-If）↓→IO↓→Uy↓→α↑→調(diào)壓器輸出電壓U↓——If↓；同時(shí)電壓環(huán)也參與調(diào)節(jié)，使調(diào)壓器的輸出電流被限制在額定電流范圍內(nèi)。南京可控硅直銷整流器***用于各種形式的整流電源中。

    也可以用圖4中的測試電路測試普通晶閘管的觸發(fā)能力。電路中，vT為被測晶閘管，HL為6．3V指示燈(手電筒中的小電珠)，GB為6V電源(可使用4節(jié)1．5V干電池或6V穩(wěn)壓電源)，S為按鈕，R為限流電阻。當(dāng)按鈕S未接通時(shí)，晶閘管VT處于阻斷狀態(tài)，指示燈HL不亮(若此時(shí)HL亮，則是vT擊穿或漏電損壞)。按動(dòng)一下按鈕S后(使S接通一下，為晶閘管VT的門極G提供觸發(fā)電壓)，若指示燈HL一直點(diǎn)亮，則說明晶閘管的觸發(fā)能力良好。若指示燈亮度偏低，則表明晶閘管性能不良、導(dǎo)通壓降大(正常時(shí)導(dǎo)通壓降應(yīng)為1v左右)。若按鈕S接通時(shí)，指示燈亮，而按鈕S斷開時(shí)，指示燈熄滅，則說明晶閘管已損壞，觸發(fā)性能不良。2．雙向晶閘管的檢測(1)判別各電極：用萬用表R×1或R×10檔分別測量雙向晶閘管三個(gè)引腳間的正、反向電阻值，若測得某一管腳與其他兩腳均不通，則此腳便是主電極T2。找出T2極之后，剩下的兩腳便是主電極Tl和門極G3。測量這兩腳之間的正、反向電阻值，會(huì)測得兩個(gè)均較小的電阻值。在電阻值較小(約幾十歐姆)的一次測量中，黑表筆接的是主電極T1，紅表筆接的是門極G。螺栓形雙向晶閘管的螺栓一端為主電極T2，較細(xì)的引線端為門極G，較粗的引線端為主電極T1。金屬封裝(To—3)雙向晶閘管的外殼為主電極T2。

    控制極與陰極之間是一個(gè)P-N結(jié)，因此它的正向電阻大約在幾歐-幾百歐的范圍，反向電阻比正向電阻要大。可是控制極二極管特性是不太理想的，反向不是完全呈阻斷狀態(tài)的，可以有比較大的電流通過，因此，有時(shí)測得控制極反向電阻比較小，并不能說明控制極特性不好。另外，在測量控制極正反向電阻時(shí)，萬用表應(yīng)放在R*10或R*1擋，防止電壓過高控制極反向擊穿。若測得元件陰陽極正反向已短路，或陽極與控制極短路，或控制極與陰極反向短路，或控制極與陰極斷路，說明元件已損壞?？煽毓枰唤?jīng)觸發(fā)導(dǎo)通后，由于循環(huán)反饋的原因，流入BG1基極的電流已不只是初始的Ib1，而是經(jīng)過BG1、BG2放大后的電流（β1*β2*Ib1）這一電流遠(yuǎn)大于Ib1，足以保持BG1的持續(xù)導(dǎo)通。此時(shí)觸發(fā)信號(hào)即使消失，可控硅仍保持導(dǎo)通狀態(tài)只有斷開電源Ea或降低Ea，使BG1、BG2中的集電極電流小于維持導(dǎo)通的最小值時(shí)，可控硅方可關(guān)斷。當(dāng)然，如果Ea極性反接，BG1、BG2由于受到反向電壓作用將處于截止?fàn)顟B(tài)。這時(shí)，即使輸入觸發(fā)信號(hào)，可控硅也不能工作。反過來，Ea接成正向，而觸動(dòng)發(fā)信號(hào)是負(fù)的，可控硅也不能導(dǎo)通。另外，如果不加觸發(fā)信號(hào)，而正向陽極電壓大到超過一定值時(shí)，可控硅也會(huì)導(dǎo)通。可控硅調(diào)整器可用380V電源頻率為50HZ/60HZ電**殊電壓要求可定制。

    用短線瞬間短接陽極A和控制極G，此時(shí)萬用表電阻擋指針應(yīng)向右偏轉(zhuǎn)，阻值讀數(shù)為10歐姆左右。如陽極A接黑表筆，陰極K接紅表筆時(shí)，萬用表指針發(fā)生偏轉(zhuǎn)，說明該單向可控硅已擊穿損壞。雙向可控硅的檢測。用萬用表電阻R*1Ω擋，用紅、黑兩表筆分別測任意兩引腳間正反向電阻，結(jié)果其中兩組讀數(shù)為無窮大。若一組為數(shù)十歐姆時(shí)，該組紅、黑表所接的兩引腳為***陽極A1和控制極G，另一空腳即為第二陽極A2。確定A1、G極后，再仔細(xì)測量A1、G極間正、反向電阻，讀數(shù)相對(duì)較小的那次測量的黑表筆所接的引腳為***陽極A1，紅表筆所接引腳為控制極G。將黑表筆接已確定的第二陽極A2，紅表筆接***陽極A1，此時(shí)萬用表指針不應(yīng)發(fā)生偏轉(zhuǎn)，阻值為無窮大。再用短接線將A2、G極瞬間短接，給G極加上正向觸發(fā)電壓，A2、A1間阻值約10歐姆左右。隨后斷開A2、G間短接線，萬用表讀數(shù)應(yīng)保持10歐姆左右?；Q紅、黑表筆接線，紅表筆接第二陽極A2，黑表筆接***陽極A1。同樣萬用表指針應(yīng)不發(fā)生偏轉(zhuǎn)，阻值為無窮大。用短接線將A2、G極間再次瞬間短接，給G極加上負(fù)的觸發(fā)電壓，A1、A2間的阻值也是10歐姆左右。隨后斷開A2、G極間短接線，萬用表讀數(shù)應(yīng)不變，保持在10歐姆左右。符合以上規(guī)律。一臺(tái)儀表可以同時(shí)控制多臺(tái)觸發(fā)板。西門康可控硅調(diào)功

以鎳鉻、鐵鉻鋁、遠(yuǎn)紅外發(fā)熱元件及硅鉬棒、硅碳棒等為加熱元件的溫度控制。單相整流可控硅經(jīng)銷

    正是由于它將電子管與功率晶體管之優(yōu)點(diǎn)集于一身，因此在電壓放大器（電壓放大倍數(shù)可達(dá)數(shù)千倍）、功率放大器、開關(guān)電源和逆變器中正獲得廣泛應(yīng)用。VMOS場效應(yīng)功率管具有極高的輸入阻抗及較大的線性放大區(qū)等優(yōu)點(diǎn)，尤其是其具有負(fù)的電流溫度系數(shù)，即在柵-源電壓不變的情況下，導(dǎo)通電流會(huì)隨管溫升高而減小，故不存在由于“二次擊穿”現(xiàn)象所引起的管子損壞現(xiàn)象。因此，VMOS管的并聯(lián)得到廣泛應(yīng)用。眾所周知，傳統(tǒng)的MOS場效應(yīng)管的柵極、源極和漏極**致處于同一水平面的芯片上，其工作電流基本上是沿水平方向流動(dòng)。VMOS管則不同，從圖1上可以看出其兩大結(jié)構(gòu)特點(diǎn):***，金屬柵極采用V型槽結(jié)構(gòu)；第二，具有垂直導(dǎo)電性。由于漏極是從芯片的背面引出，所以ID不是沿芯片水平流動(dòng)，而是自重?fù)诫sN+區(qū)（源極S）出發(fā)，經(jīng)過P溝道流入輕摻雜N-漂移區(qū)，***垂直向下到達(dá)漏極D。電流方向如圖中箭頭所示，因?yàn)榱魍ń孛娣e增大，所以能通過大電流。由于在柵極與芯片之間有二氧化硅絕緣層，因此它仍屬于絕緣柵型MOS場效應(yīng)管。國內(nèi)生產(chǎn)VMOS場效應(yīng)管的主要廠家有877廠、天津半導(dǎo)體器件四廠、杭州電子管廠等，典型產(chǎn)品有VN401、VN672、VMPT2等。下面介紹檢測VMOS管的方法。單相整流可控硅經(jīng)銷

上海凱月電子科技有限公司致力于電子元器件，是一家貿(mào)易型公司。公司自成立以來，以質(zhì)量為發(fā)展，讓匠心彌散在每個(gè)細(xì)節(jié)，公司旗下可控硅觸發(fā)板，電力調(diào)整器，SCR調(diào)功器，SCR整流器深受客戶的喜愛。公司注重以質(zhì)量為中心，以服務(wù)為理念，秉持誠信為本的理念，打造電子元器件良好品牌。上海凱月電子科技憑借創(chuàng)新的產(chǎn)品、專業(yè)的服務(wù)、眾多的成功案例積累起來的聲譽(yù)和口碑，讓企業(yè)發(fā)展再上新高。