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來(lái)源: 發(fā)布時(shí)間:2022-06-04

    5.光控晶閘管檢測(cè)用萬(wàn)用表檢測(cè)小功率光控晶閘管時(shí),可將萬(wàn)用表置于R×1檔,在黑表筆上串接1~3節(jié)1.5V干電池,測(cè)量?jī)梢_之間的正、反向電阻值,正常時(shí)均應(yīng)為無(wú)窮大。然后再用小手電筒或激光筆照射光控晶閘管的受光窗口,此時(shí)應(yīng)能測(cè)出一個(gè)較小的正向電阻值,但反向電阻值仍為無(wú)窮大。在較小電阻值的一次測(cè)量中,黑表筆接的是陽(yáng)極A,紅表筆接的是陰極K。也可用圖lO中電路對(duì)光控晶閘管進(jìn)行測(cè)量。接通電源開(kāi)關(guān)S,用手電筒照射晶閘管VT的受光窗口。為其加上觸發(fā)光源(大功率光控晶閘管自帶光源,只要將其光纜中的發(fā)光二極管或半導(dǎo)體激光器加上工作電壓即可,不用外加光源)后,指示燈EL應(yīng)點(diǎn)亮,撤離光源后指示燈EL應(yīng)維持發(fā)光。若接通電源開(kāi)關(guān)S后(尚未加光源),指示燈FL即點(diǎn)亮,則說(shuō)明被測(cè)晶閘管已擊穿短路。若接通電源開(kāi)關(guān)、并加上觸發(fā)光源后,指示燈EL仍不亮,在被測(cè)晶閘管電極連接正確的情況下,則是該晶閘管內(nèi)部損壞。若加上觸發(fā)光源后,指示燈發(fā)光,但取消光源后指示燈即熄滅,則說(shuō)明該晶閘管觸發(fā)性能不良。(1)判別各電極:根據(jù)BTG晶閘管的內(nèi)部結(jié)構(gòu)可知,其陽(yáng)極A、陰極K之間和門(mén)極G、陰極K之間均包含有多個(gè)正、反向串聯(lián)的PN結(jié),而陽(yáng)極A與門(mén)極G之問(wèn)卻只有一個(gè)PN結(jié)。因此。鹽浴爐、工頻感應(yīng)爐、淬火爐、熔融玻璃的溫度加熱控制。上??煽毓桎N(xiāo)售

    應(yīng)用KY-TSC系列投切開(kāi)關(guān)是在三相系統(tǒng)中用來(lái)投切電容,和其他投切器相比,該投切開(kāi)關(guān)具有在投切時(shí)無(wú)涌流,無(wú)接觸噪聲以及很高的開(kāi)關(guān)頻率。這些優(yōu)點(diǎn)是通過(guò)觸發(fā)電路,晶閘管,二極管,以及一些輔助電路實(shí)現(xiàn)。該投切器適合用在負(fù)載變化較快的場(chǎng)合。組成單元該投切器主要有雙向可控硅,觸發(fā)電路,吸收電路,散熱片,以及冷卻裝置等元件組成。出點(diǎn)電路在電壓過(guò)零前后進(jìn)行判斷是否輸出控制信號(hào)(DC12V),進(jìn)而使可控硅進(jìn)行導(dǎo)通或關(guān)斷。觸發(fā)電路能夠可靠的保證控制信號(hào)的輸出,散熱片的良好的導(dǎo)熱作用以及散熱風(fēng)機(jī)的添加,改善了投切開(kāi)關(guān)的散熱效果。該裝置有內(nèi)置過(guò)溫保護(hù)開(kāi)關(guān),以及控制風(fēng)機(jī)自動(dòng)運(yùn)行的溫度開(kāi)關(guān),從而為安全的運(yùn)行提供了良好的條件。 電子可控硅銷(xiāo)售在以大功率二極管或晶閘管為基礎(chǔ)的兩種基本類(lèi)型的整流器中,電網(wǎng)的高壓交流功率通過(guò)整流器變換為直流功率。

   門(mén)極關(guān)斷晶閘管的檢測(cè)1)判別各電極:門(mén)極關(guān)斷晶閘管三個(gè)電極的判別方法與普通晶閘管相同,即用萬(wàn)用表的R×100檔,找出具有二極管特性的兩個(gè)電極,其中一次為低阻值(幾百歐姆),另一次阻值較大。在阻值小的那一次測(cè)量中,紅表筆接的是陰極K,黑表筆接的是門(mén)極G,剩下的一只引腳即為陽(yáng)極A。觸發(fā)能力和關(guān)斷能力的檢測(cè):可關(guān)斷晶閘管觸發(fā)能力的檢測(cè)方法與普通晶閘管相同。檢測(cè)門(mén)極關(guān)斷晶閘管的關(guān)斷能力時(shí),可先按檢測(cè)觸發(fā)能力的方法使晶閘管處于導(dǎo)通狀態(tài),即用萬(wàn)用表R×1檔,黑表筆接陽(yáng)極A,紅表筆接陰極K,測(cè)得電阻值為無(wú)窮大。再將A極與門(mén)極G短路,給G極加上正向觸發(fā)信號(hào)時(shí),晶閘管被觸發(fā)導(dǎo)通,其A、K極間電阻值由無(wú)窮大變?yōu)榈妥锠顟B(tài)。斷開(kāi)A極與G極的短路點(diǎn)后,晶閘管維持低阻導(dǎo)通狀態(tài),說(shuō)明其觸發(fā)能力正常。再在晶閘管的門(mén)極G與陽(yáng)極A之間加上反向觸發(fā)信號(hào),若此時(shí)A極與K極間電阻值由低阻值變?yōu)闊o(wú)窮大,則說(shuō)明晶閘管的關(guān)斷能力正常,圖7是關(guān)斷能力的檢測(cè)示意圖。也可以電路來(lái)檢測(cè)門(mén)極關(guān)斷晶閘管的觸發(fā)能力和關(guān)斷能力。電路中,EL為6.3V指示燈(小電珠),S為轉(zhuǎn)換開(kāi)關(guān),VT為被測(cè)晶閘管。當(dāng)開(kāi)關(guān)S關(guān)斷時(shí),晶閘管不導(dǎo)通,指示燈不亮。將開(kāi)關(guān)S的K1觸點(diǎn)接通時(shí)。

    正是由于它將電子管與功率晶體管之優(yōu)點(diǎn)集于一身,因此在電壓放大器(電壓放大倍數(shù)可達(dá)數(shù)千倍)、功率放大器、開(kāi)關(guān)電源和逆變器中正獲得廣泛應(yīng)用。VMOS場(chǎng)效應(yīng)功率管具有極高的輸入阻抗及較大的線性放大區(qū)等優(yōu)點(diǎn),尤其是其具有負(fù)的電流溫度系數(shù),即在柵-源電壓不變的情況下,導(dǎo)通電流會(huì)隨管溫升高而減小,故不存在由于“二次擊穿”現(xiàn)象所引起的管子損壞現(xiàn)象。因此,VMOS管的并聯(lián)得到廣泛應(yīng)用。眾所周知,傳統(tǒng)的MOS場(chǎng)效應(yīng)管的柵極、源極和漏極**致處于同一水平面的芯片上,其工作電流基本上是沿水平方向流動(dòng)。VMOS管則不同,從圖1上可以看出其兩大結(jié)構(gòu)特點(diǎn):***,金屬柵極采用V型槽結(jié)構(gòu);第二,具有垂直導(dǎo)電性。由于漏極是從芯片的背面引出,所以ID不是沿芯片水平流動(dòng),而是自重?fù)诫sN+區(qū)(源極S)出發(fā),經(jīng)過(guò)P溝道流入輕摻雜N-漂移區(qū),***垂直向下到達(dá)漏極D。電流方向如圖中箭頭所示,因?yàn)榱魍ń孛娣e增大,所以能通過(guò)大電流。由于在柵極與芯片之間有二氧化硅絕緣層,因此它仍屬于絕緣柵型MOS場(chǎng)效應(yīng)管。國(guó)內(nèi)生產(chǎn)VMOS場(chǎng)效應(yīng)管的主要廠家有877廠、天津半導(dǎo)體器件四廠、杭州電子管廠等,典型產(chǎn)品有VN401、VN672、VMPT2等。下面介紹檢測(cè)VMOS管的方法。整流器常用的冷卻方式有自然冷卻、純風(fēng)扇冷卻、自然冷卻和風(fēng)扇冷卻相結(jié)合三種。

    若在晶閘管被觸發(fā)導(dǎo)通后斷開(kāi)G極,T2、T1極間不能維持低阻導(dǎo)通狀態(tài)而阻值變?yōu)闊o(wú)窮大,則說(shuō)明該雙向晶閘管性能不良或已經(jīng)損壞。若給G極加上正(或負(fù))極性觸發(fā)信號(hào)后,晶閘管仍不導(dǎo)通(T1與T2間的正、反向電阻值仍為無(wú)窮大),則說(shuō)明該晶閘管已損壞,無(wú)觸發(fā)導(dǎo)通能力。對(duì)于工作電流在8A以上的中、大功率雙向晶閘管,在測(cè)量其觸發(fā)能力時(shí),可先在萬(wàn)用表的某支表筆上串接1~3節(jié)1.5V干電池,然后再用R×1檔按上述方法測(cè)量。對(duì)于耐壓為400V以上的雙向晶閘管,也可以用220V交流電壓來(lái)測(cè)試其觸發(fā)能力及性能好壞。圖6是雙向晶閘管的測(cè)試電路。電路中,F(xiàn)L為60W/220V白熾燈泡,VT為被測(cè)雙向晶閘管,R為100Ω限流電阻,S為按鈕。將電源插頭接入市電后,雙向晶閘管處于截止?fàn)顟B(tài),燈泡不亮(若此時(shí)燈泡正常發(fā)光,則說(shuō)明被測(cè)晶閘管的T1、T2極之間已擊穿短路;若燈泡微亮,則說(shuō)明被測(cè)晶閘管漏電損壞)。按動(dòng)一下按鈕S,為晶閘管的門(mén)極G提供觸發(fā)電壓信號(hào),正常時(shí)晶閘管應(yīng)立即被觸發(fā)導(dǎo)通,燈泡正常發(fā)光。若燈泡不能發(fā)光,則說(shuō)明被測(cè)晶閘管內(nèi)部開(kāi)路損壞。若按動(dòng)按鈕s時(shí)燈泡點(diǎn)亮,松手后燈泡又熄滅,則表明被測(cè)晶閘管的觸發(fā)性能不良。調(diào)整器具有軟起動(dòng)、軟關(guān)斷功能,減少對(duì)電網(wǎng)的沖擊和干擾,使主回路晶閘管更加安全可靠。電子可控硅價(jià)位

在備用UPS中只需要給蓄電池充電,不需要給負(fù)載供電,故只有充電機(jī)。上??煽毓桎N(xiāo)售

電子元器件行業(yè)位于產(chǎn)業(yè)鏈的中游,介于電子整機(jī)行業(yè)和電子原材料行業(yè)之間,其發(fā)展的快慢,所達(dá)到的技術(shù)水平和生產(chǎn)規(guī)模,不僅直接影響著整個(gè)電子信息產(chǎn)業(yè)的發(fā)展,而且對(duì)發(fā)展信息技術(shù),改造傳統(tǒng)產(chǎn)業(yè),提高現(xiàn)代化裝備水平,促進(jìn)科技進(jìn)步都具有重要意義。對(duì)于下一步發(fā)展計(jì)劃,不少行家和企業(yè)表示,后續(xù)將繼續(xù)完善電子信息全產(chǎn)業(yè)鏈的交易服務(wù)平臺(tái),深耕拓展從事電子科技領(lǐng)域內(nèi)的技術(shù)開(kāi)發(fā),技術(shù)服務(wù),技術(shù)咨詢,電子元器件,電子系統(tǒng)設(shè)備,計(jì)算機(jī),軟件及輔助設(shè)備(除計(jì)算機(jī)信息系統(tǒng)安全**產(chǎn)品),電子元器件,可控硅半導(dǎo)體模塊,電子數(shù)碼產(chǎn)品,通信設(shè)備及相關(guān)產(chǎn)品,通訊器材銷(xiāo)售。線下授權(quán)分銷(xiāo)及上下游相關(guān)行業(yè),完善產(chǎn)業(yè)布局,通過(guò)發(fā)揮華強(qiáng)半導(dǎo)體集團(tuán)的大平臺(tái)優(yōu)勢(shì),整合優(yōu)化從事電子科技領(lǐng)域內(nèi)的技術(shù)開(kāi)發(fā),技術(shù)服務(wù),技術(shù)咨詢,電子元器件,電子系統(tǒng)設(shè)備,計(jì)算機(jī),軟件及輔助設(shè)備(除計(jì)算機(jī)信息系統(tǒng)安全**產(chǎn)品),電子元器件,可控硅半導(dǎo)體模塊,電子數(shù)碼產(chǎn)品,通信設(shè)備及相關(guān)產(chǎn)品,通訊器材銷(xiāo)售。線下授權(quán)分銷(xiāo)業(yè)務(wù)內(nèi)外部資源。近年來(lái),隨著國(guó)內(nèi)消費(fèi)電子產(chǎn)品的貿(mào)易型發(fā)展,電子元器件行業(yè)也突飛猛進(jìn)。從產(chǎn)業(yè)歷史沿革來(lái)看,2000年、2007年、2011年、2015年堪稱是行業(yè)的幾個(gè)高峰。從2016年至今,電子元器件產(chǎn)業(yè)更是陸續(xù)迎來(lái)了漲價(jià)潮。伴隨著國(guó)際制造業(yè)向中國(guó)轉(zhuǎn)移,中國(guó)大陸電子元器件行業(yè)得到了飛速發(fā)展。從細(xì)分領(lǐng)域來(lái)看,隨著4G、移動(dòng)支付、信息安全、汽車(chē)電子、物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域的發(fā)展,可控硅觸發(fā)板,電力調(diào)整器,SCR調(diào)功器,SCR整流器產(chǎn)業(yè)進(jìn)入飛速發(fā)展期;為行業(yè)發(fā)展帶來(lái)了廣闊的發(fā)展空間。上海可控硅銷(xiāo)售

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