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江蘇可控硅生產(chǎn)加工

來源: 發(fā)布時(shí)間:2022-06-13

    此時(shí)表內(nèi)電壓較高。當(dāng)用手接觸柵極G時(shí),會(huì)發(fā)現(xiàn)管的反向電阻值有明顯地變化,其變化越大,說明管的跨導(dǎo)值越高;如果被測(cè)管的跨導(dǎo)很小,用此法測(cè)時(shí),反向阻值變化不大。二、.場效應(yīng)管的使用注意事項(xiàng)(1)為了安全使用場效應(yīng)管,在線路的設(shè)計(jì)中不能超過管的耗散功率,比較大漏源電壓、比較大柵源電壓和比較大電流等參數(shù)的極限值。(2)各類型場效應(yīng)管在使用時(shí),都要嚴(yán)格按要求的偏置接人電路中,要遵守場效應(yīng)管偏置的極性。如結(jié)型場效應(yīng)管柵源漏之間是PN結(jié),N溝道管柵極不能加正偏壓;P溝道管柵極不能加負(fù)偏壓,等等。(3)MOS場效應(yīng)管由于輸人阻抗極高,所以在運(yùn)輸、貯藏中必須將引出腳短路,要用金屬屏蔽包裝,以防止外來感應(yīng)電勢(shì)將柵極擊穿。尤其要注意,不能將MOS場效應(yīng)管放人塑料盒子內(nèi),保存時(shí)比較好放在金屬盒內(nèi),同時(shí)也要注意管的防潮。(4)為了防止場效應(yīng)管柵極感應(yīng)擊穿,要求一切測(cè)試儀器、工作臺(tái)、電烙鐵、線路本身都必須有良好的接地;管腳在焊接時(shí),先焊源極;在連入電路之前,管的全部引線端保持互相短接狀態(tài),焊接完后才把短接材料去掉;從元器件架上取下管時(shí),應(yīng)以適當(dāng)?shù)姆绞酱_保人體接地如采用接地環(huán)等;當(dāng)然,如果能采用先進(jìn)的氣熱型電烙鐵??煽毓栌|發(fā)板是通過調(diào)整可控硅的導(dǎo)通角來實(shí)現(xiàn)電氣設(shè)備的電壓電流功率調(diào)整的一種移相型的電力控制器。江蘇可控硅生產(chǎn)加工

    讀數(shù)相對(duì)較小的那次測(cè)量的黑表筆所接的引腳為***陽極A1,紅表筆所接引腳為控制極G。將黑表筆接已確定的第二陽極A2,紅表筆接***陽極A1,此時(shí)萬用表指針不應(yīng)發(fā)生偏轉(zhuǎn),阻值為無窮大。再用短接線將A2、G極瞬間短接,給G極加上正向觸發(fā)電壓,A2、A1間阻值約10歐姆左右。隨后斷開A2、G間短接線,萬用表讀數(shù)應(yīng)保持10歐姆左右。互換紅、黑表筆接線,紅表筆接第二陽極A2,黑表筆接***陽極A1。同樣萬用表指針應(yīng)不發(fā)生偏轉(zhuǎn),阻值為無窮大。用短接線將A2、G極間再次瞬間短接,給G極加上負(fù)的觸發(fā)電壓,A1、A2間的阻值也是10歐姆左右。隨后斷開A2、G極間短接線,萬用表讀數(shù)應(yīng)不變,保持在10歐姆左右。符合以上規(guī)律,說明被測(cè)雙向可控硅未損壞且三個(gè)引腳極性判斷正確。檢測(cè)較大功率可控硅時(shí),需要在萬用表黑筆中串接一節(jié),以提高觸發(fā)電壓。晶閘管(可控硅)的管腳判別晶閘管管腳的判別可用下述方法:先用萬用表R*1K擋測(cè)量三腳之間的阻值,阻值小的兩腳分別為控制極和陰極,所剩的一腳為陽極。再將萬用表置于R*10K擋,用手指捏住陽極和另一腳,且不讓兩腳接觸,黑表筆接陽極,紅表筆接剩下的一腳,如表針向右擺動(dòng),說明紅表筆所接為陰極,不擺動(dòng)則為控制極。山東正高牌可控硅硅材料的禁帶寬度較大,導(dǎo)熱性能良好,適于制作大功率整流器件。

    采用比較常用的NPN三級(jí)管S8050和PNP三極管S8550來設(shè)計(jì)制作實(shí)際的測(cè)試電路板(PCB),如圖5所示。圖6中所標(biāo)識(shí)的T2、T1和G與圖5所示的相同,也類似于雙向可控硅的T2、T1和G三個(gè)接線極。利用該模塊電路串入負(fù)載接通正或負(fù)的直流電源和觸發(fā)信號(hào)來測(cè)試,所得結(jié)果如圖7所示,在正或負(fù)觸發(fā)信號(hào)接入前電流表上的指示為0,當(dāng)正或負(fù)觸發(fā)信號(hào)接通并撤離后電流表指示依然保持原來的電流值。該實(shí)驗(yàn)表明該電路在正負(fù)電源供電情況下能雙向觸發(fā)導(dǎo)通。該模塊電路在接通交流電源和脈沖控制信號(hào)時(shí),其測(cè)驗(yàn)結(jié)果如圖8所示。示波器探針1接觸發(fā)信號(hào),探針2接模塊電路的兩端T1-T2之間的電壓。在觸發(fā)信號(hào)為0是,T1-T2之間的電壓等于電源電壓值,表明該電路沒有導(dǎo)通,當(dāng)觸發(fā)信號(hào)脈沖到來時(shí),T1-T2兩端的電壓值為0,表明模塊電路已經(jīng)導(dǎo)通。4結(jié)束語在詳細(xì)解讀了雙向可控硅的內(nèi)部結(jié)構(gòu)和工作原理的基礎(chǔ)之上,設(shè)計(jì)了一款以7個(gè)三極管為主要元器件和電阻電容可以被雙向觸發(fā)的控制電路。利用常用的對(duì)管S8050和S8550制作出實(shí)驗(yàn)電路驗(yàn)證了該電路的正確性。在今后具體運(yùn)用過程中可以通過對(duì)此電路的相關(guān)器件做適當(dāng)調(diào)整來滿足具體的需求和設(shè)計(jì)要求。同時(shí)。

    應(yīng)當(dāng)G-S極間短路一下。這是因?yàn)镚-S結(jié)電容上會(huì)充有少量電荷,建立起VGS電壓,造成再進(jìn)行測(cè)量時(shí)表針可能不動(dòng),只有將G-S極間電荷短路放掉才行。(4)用測(cè)電阻法判別無標(biāo)志的場效應(yīng)管首先用測(cè)量電阻的方法找出兩個(gè)有電阻值的管腳,也就是源極S和漏極D,余下兩個(gè)腳為***柵極G1和第二柵極G2。把先用兩表筆測(cè)的源極S與漏極D之間的電阻值記下來,對(duì)調(diào)表筆再測(cè)量一次,把其測(cè)得電阻值記下來,兩次測(cè)得阻值較大的一次,黑表筆所接的電極為漏極D;紅表筆所接的為源極S。用這種方法判別出來的S、D極,還可以用估測(cè)其管的放大能力的方法進(jìn)行驗(yàn)證,即放大能力大的黑表筆所接的是D極;紅表筆所接地是8極,兩種方法檢測(cè)結(jié)果均應(yīng)一樣。當(dāng)確定了漏極D、源極S的位置后,按D、S的對(duì)應(yīng)位置裝人電路,一般G1、G2也會(huì)依次對(duì)準(zhǔn)位置,這就確定了兩個(gè)柵極G1、G2的位置,從而就確定了D、S、G1、G2管腳的順序。(5)用測(cè)反向電阻值的變化判斷跨導(dǎo)的大小對(duì)VMOSN溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)管測(cè)量跨導(dǎo)性能時(shí),可用紅表筆接源極S、黑表筆接漏極D,這就相當(dāng)于在源、漏極之間加了一個(gè)反向電壓。此時(shí)柵極是開路的,管的反向電阻值是很不穩(wěn)定的。將萬用表的歐姆檔選在R×10kΩ的高阻檔。整流器***用于各種形式的整流電源中。

    應(yīng)用同樣方法改測(cè)其他電極,直到找出三個(gè)電極為止。也可以測(cè)任兩腳之間的正、反向電阻,若正、反向電阻均接近無窮大,則兩極即為陽極A和陰極K,而另一腳即為門極G。普通晶閘管也可以根據(jù)其封裝形式來判斷出各電極。例如:螺栓形普通晶閘管的螺栓一端為陽極A,較細(xì)的引線端為門極G,較粗的引線端為陰極K。平板形普通晶閘管的引出線端為門極G,平面端為陽極A,另一端為陰極K。金屬殼封裝(T0—3)的普通晶閘管,其外殼為陽極A。塑封(T0—220)的普通晶閘管的中間引腳為陽極A,且多與自帶散熱片相連。圖1為幾種普通晶閘管的引腳排列。(2)判斷其好壞:用萬用表R×1kΩ檔測(cè)量普通晶閘管陽極A與陰極K之間的正、反向電阻,正常時(shí)均應(yīng)為無窮大(∞);若測(cè)得A、K之間的正、反向電阻值為零或阻值均較小,則說明晶閘管內(nèi)部擊穿短路或漏電。測(cè)量門極G與陰極K之間的正、反向電阻值,正常時(shí)應(yīng)有類似二極管的正、反向電阻值(實(shí)際測(cè)量結(jié)果要較普通二極管的正、反向電阻值小一些),即正向電阻值較小(小于2kΩ),反向電阻值較**于80kΩ)。若兩次測(cè)量的電阻值均很大或均很小,則說明該晶閘管G、K極之間開路或短路。若正、反電阻值均相等或接近,則說明該晶閘管已失效。整流器是一個(gè)整流裝置,簡單的說就是將交流(AC)轉(zhuǎn)化為直流(DC)的裝置。山東正高牌可控硅

觸發(fā)板應(yīng)用于工業(yè)各領(lǐng)域的電壓電流調(diào)節(jié),用于電阻性負(fù)載、電感性負(fù)載、變壓器一次側(cè)及各種整流裝置等。江蘇可控硅生產(chǎn)加工

    控制極與陰極之間是一個(gè)P-N結(jié),因此它的正向電阻大約在幾歐-幾百歐的范圍,反向電阻比正向電阻要大??墒强刂茦O二極管特性是不太理想的,反向不是完全呈阻斷狀態(tài)的,可以有比較大的電流通過,因此,有時(shí)測(cè)得控制極反向電阻比較小,并不能說明控制極特性不好。另外,在測(cè)量控制極正反向電阻時(shí),萬用表應(yīng)放在R*10或R*1擋,防止電壓過高控制極反向擊穿。若測(cè)得元件陰陽極正反向已短路,或陽極與控制極短路,或控制極與陰極反向短路,或控制極與陰極斷路,說明元件已損壞。可控硅一經(jīng)觸發(fā)導(dǎo)通后,由于循環(huán)反饋的原因,流入BG1基極的電流已不只是初始的Ib1,而是經(jīng)過BG1、BG2放大后的電流(β1*β2*Ib1)這一電流遠(yuǎn)大于Ib1,足以保持BG1的持續(xù)導(dǎo)通。此時(shí)觸發(fā)信號(hào)即使消失,可控硅仍保持導(dǎo)通狀態(tài)只有斷開電源Ea或降低Ea,使BG1、BG2中的集電極電流小于維持導(dǎo)通的最小值時(shí),可控硅方可關(guān)斷。當(dāng)然,如果Ea極性反接,BG1、BG2由于受到反向電壓作用將處于截止?fàn)顟B(tài)。這時(shí),即使輸入觸發(fā)信號(hào),可控硅也不能工作。反過來,Ea接成正向,而觸動(dòng)發(fā)信號(hào)是負(fù)的,可控硅也不能導(dǎo)通。另外,如果不加觸發(fā)信號(hào),而正向陽極電壓大到超過一定值時(shí),可控硅也會(huì)導(dǎo)通。江蘇可控硅生產(chǎn)加工

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