控制交流負(fù)載回路的通斷，通常會(huì)用到繼電器。繼電器是機(jī)械式觸點(diǎn)的電磁元器件，可以實(shí)現(xiàn)弱電控制強(qiáng)電的目的。但是在帶電流分?jǐn)嘭?fù)載回路時(shí)，會(huì)產(chǎn)生電弧腐蝕觸點(diǎn)，降低了繼電器的使用壽命，并且繼電器觸點(diǎn)的響應(yīng)時(shí)間在ms級(jí)別，不適合用于高速通斷的回路中。題目不想用繼電器來控制交流回路的通斷，那么可以考慮使用可控硅來實(shí)現(xiàn)。1什么是可控硅可控硅是具有四層結(jié)構(gòu)的PNPN型半導(dǎo)體器件，可以看作是由兩個(gè)三極管所構(gòu)成的元器件，可控硅的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)如下圖所示?？煽毓鑿膶?dǎo)通方向可以分為單向可控硅SCR和雙向可控硅Triac。單向可控硅的三個(gè)電極分別是陽極A、陰極K和控制極G；雙向可控硅的三個(gè)電極分別為T1，T2以及控制G。可控硅的在導(dǎo)通后，及時(shí)將控制信號(hào)去掉，可控硅仍然處于導(dǎo)通狀態(tài)。在交流負(fù)載回路中，一般使用雙向可控硅。2可控硅控制回路的設(shè)計(jì)單片機(jī)控制可控硅回路的通斷時(shí)，比較好使用光耦做隔離。所設(shè)計(jì)的可控硅控制電路如下圖所示。單片機(jī)的輸出端接三極管的基極，通過三極管來控制光耦的通斷，圖中以燈泡作為負(fù)載。當(dāng)單片機(jī)輸出高電平時(shí)，光耦導(dǎo)通，此時(shí)可控硅的控制極有觸發(fā)信號(hào)，并且T1和T2上的交流電源滿足導(dǎo)通條件。單片機(jī)輸出低電平時(shí)，光耦截止。調(diào)整器具有恒電壓、恒電流、恒功率三種反饋形式供用戶選擇。散熱可控硅銷售

    應(yīng)用KY-TSC系列投切開關(guān)是在三相系統(tǒng)中用來投切電容，和其他投切器相比，該投切開關(guān)具有在投切時(shí)無涌流，無接觸噪聲以及很高的開關(guān)頻率。這些優(yōu)點(diǎn)是通過觸發(fā)電路，晶閘管，二極管，以及一些輔助電路實(shí)現(xiàn)。該投切器適合用在負(fù)載變化較快的場(chǎng)合。組成單元該投切器主要有雙向可控硅，觸發(fā)電路，吸收電路，散熱片，以及冷卻裝置等元件組成。出點(diǎn)電路在電壓過零前后進(jìn)行判斷是否輸出控制信號(hào)(DC12V)，進(jìn)而使可控硅進(jìn)行導(dǎo)通或關(guān)斷。觸發(fā)電路能夠可靠的保證控制信號(hào)的輸出，散熱片的良好的導(dǎo)熱作用以及散熱風(fēng)機(jī)的添加，改善了投切開關(guān)的散熱效果。該裝置有內(nèi)置過溫保護(hù)開關(guān)，以及控制風(fēng)機(jī)自動(dòng)運(yùn)行的溫度開關(guān)，從而為安全的運(yùn)行提供了良好的條件。 晶閘管可控硅定做當(dāng)采用遠(yuǎn)端溫度檢測(cè)器時(shí)，整流器/充電機(jī)應(yīng)自動(dòng)調(diào)節(jié)蓄電池浮充電壓（一般按?5mv/只/℃）。

    控制極與陰極之間是一個(gè)P-N結(jié)，因此它的正向電阻大約在幾歐-幾百歐的范圍，反向電阻比正向電阻要大。可是控制極二極管特性是不太理想的，反向不是完全呈阻斷狀態(tài)的，可以有比較大的電流通過，因此，有時(shí)測(cè)得控制極反向電阻比較小，并不能說明控制極特性不好。另外，在測(cè)量控制極正反向電阻時(shí)，萬用表應(yīng)放在R*10或R*1擋，防止電壓過高控制極反向擊穿。若測(cè)得元件陰陽極正反向已短路，或陽極與控制極短路，或控制極與陰極反向短路，或控制極與陰極斷路，說明元件已損壞?？煽毓枰唤?jīng)觸發(fā)導(dǎo)通后，由于循環(huán)反饋的原因，流入BG1基極的電流已不只是初始的Ib1，而是經(jīng)過BG1、BG2放大后的電流（β1*β2*Ib1）這一電流遠(yuǎn)大于Ib1，足以保持BG1的持續(xù)導(dǎo)通。此時(shí)觸發(fā)信號(hào)即使消失，可控硅仍保持導(dǎo)通狀態(tài)只有斷開電源Ea或降低Ea，使BG1、BG2中的集電極電流小于維持導(dǎo)通的最小值時(shí)，可控硅方可關(guān)斷。當(dāng)然，如果Ea極性反接，BG1、BG2由于受到反向電壓作用將處于截止?fàn)顟B(tài)。這時(shí)，即使輸入觸發(fā)信號(hào)，可控硅也不能工作。反過來，Ea接成正向，而觸動(dòng)發(fā)信號(hào)是負(fù)的，可控硅也不能導(dǎo)通。另外，如果不加觸發(fā)信號(hào)，而正向陽極電壓大到超過一定值時(shí)，可控硅也會(huì)導(dǎo)通。

可控硅有三個(gè)極----陽極（A）、陰極（C）和控制極（G），管芯是P型導(dǎo)體和N型導(dǎo)體交迭組成的四層結(jié)構(gòu)，共有三個(gè)PN 結(jié)，與只有一個(gè)PN結(jié)的硅整流二極管在結(jié)構(gòu)上迥然不同?？煽毓璧乃膶咏Y(jié)構(gòu)和控制極的引入，為其發(fā)揮“以小控大”的優(yōu)異控制特性奠定了基礎(chǔ)?？煽毓钁?yīng)用時(shí)，只要在控制極加上很小的電流或電壓，就能控制很大的陽極電流或電壓。目前已能制造出電流容量達(dá)幾百安培以至上千安培的可控硅元件。一般把5安培以下的可控硅叫小功率可控硅，50安培以上的可控硅叫大功率可控硅。整流器***用于各種形式的整流電源中。

    應(yīng)用同樣方法改測(cè)其他電極，直到找出三個(gè)電極為止。也可以測(cè)任兩腳之間的正、反向電阻，若正、反向電阻均接近無窮大，則兩極即為陽極A和陰極K，而另一腳即為門極G。普通晶閘管也可以根據(jù)其封裝形式來判斷出各電極。例如：螺栓形普通晶閘管的螺栓一端為陽極A，較細(xì)的引線端為門極G，較粗的引線端為陰極K。平板形普通晶閘管的引出線端為門極G，平面端為陽極A，另一端為陰極K。金屬殼封裝(T0—3)的普通晶閘管，其外殼為陽極A。塑封(T0—220)的普通晶閘管的中間引腳為陽極A，且多與自帶散熱片相連。圖1為幾種普通晶閘管的引腳排列。(2)判斷其好壞：用萬用表R×1kΩ檔測(cè)量普通晶閘管陽極A與陰極K之間的正、反向電阻，正常時(shí)均應(yīng)為無窮大(∞)；若測(cè)得A、K之間的正、反向電阻值為零或阻值均較小，則說明晶閘管內(nèi)部擊穿短路或漏電。測(cè)量門極G與陰極K之間的正、反向電阻值，正常時(shí)應(yīng)有類似二極管的正、反向電阻值(實(shí)際測(cè)量結(jié)果要較普通二極管的正、反向電阻值小一些)，即正向電阻值較小(小于2kΩ)，反向電阻值較**于80kΩ)。若兩次測(cè)量的電阻值均很大或均很小，則說明該晶閘管G、K極之間開路或短路。若正、反電阻值均相等或接近，則說明該晶閘管已失效。整流器的主要應(yīng)用是把交流電源轉(zhuǎn)為直流電源。旋轉(zhuǎn)可控硅經(jīng)銷

調(diào)整器具有軟起動(dòng)、軟關(guān)斷功能，減少對(duì)電網(wǎng)的沖擊和干擾，使主回路晶閘管更加安全可靠。散熱可控硅銷售

    關(guān)鍵詞：單相可控硅電力調(diào)整器well唯樂摘要：使用可控硅與它的觸發(fā)控制電路用于調(diào)整負(fù)載功率的盤裝功率調(diào)整單元被稱為電力調(diào)整器，電力調(diào)整器采用移相控制的方式，它的調(diào)功有定周期調(diào)功和變周期調(diào)功兩種。***給大家說一說單相可控硅電力調(diào)整器的特點(diǎn)。使用可控硅與它的觸發(fā)控制電路用于調(diào)整負(fù)載功率的盤裝功率調(diào)整單元被稱為電力調(diào)整器，電力調(diào)整器采用移相控制的方式，它的調(diào)功有定周期調(diào)功和變周期調(diào)功兩種。***給大家說一說單相可控硅電力調(diào)整器的特點(diǎn)。單相交流調(diào)壓調(diào)功一體化技能電力調(diào)整器調(diào)壓使用移相控制辦法，調(diào)功有定周期調(diào)功和變周期調(diào)功兩種辦法。其功用包含：上電緩起動(dòng)、緩關(guān)斷、散熱器超溫檢測(cè)保護(hù)等功用。其特征：體積小，輸出起控點(diǎn)低、電源頻率習(xí)氣規(guī)劃寬（可用于發(fā)電機(jī)電源），外形美麗，是一款經(jīng)濟(jì)型單相電力調(diào)整器。系列單相調(diào)整器由控制板、散熱單元、功率模塊、外殼等組成?？刂瓢暹\(yùn)用控制板；散熱體系選用高.效散熱器，對(duì)等體積下行進(jìn)30%的散熱功率；低噪長壽命風(fēng)機(jī)，確保體系的牢靠。該電力調(diào)整器與帶0-5V、4-20mA的智能PID調(diào)節(jié)器或PLC配套運(yùn)用；主要用與工業(yè)電爐的加熱控制、負(fù)載類型可所以單相阻性負(fù)載、單相理性負(fù)載及單相變壓器負(fù)載。散熱可控硅銷售

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