10ms內截止輸出過熱保護主回路SCR溫度>75℃,截止輸出相序保護輸入電源相序錯誤報警環(huán)境溫度－5～+45℃濕度≤90%RH，無水珠凝結海拔高度低于1000米(超過1000米降額使用)第二章控制原理及功能特性控制原理三相晶閘管閉環(huán)技術可控硅調壓器采用移相觸發(fā)控制方式，輸出電壓、電流或功率連續(xù)可調，具有恒電壓、恒電流或恒功率的特性。三相晶閘管閉環(huán)技術觸發(fā)板的原理框圖，其控制原理為一個典型的雙閉環(huán)控制，電流環(huán)為內環(huán)，電壓環(huán)為外環(huán)?，F以調壓器的“恒電壓控制特性”來介紹其控制原理。調節(jié)過程如下：給定信號(Ug)、電壓反饋信號(Uf)、電流反饋信號(If)當由于某種原因使調壓器輸出電壓降低時(如電網電壓降低)：（Ug-Uf）↑→UO↑→Uy↑→α↓→調壓器輸出電壓U↑***達到Uf與Ug相互平衡，調壓器輸出穩(wěn)定電壓。。圖2-1恒電壓原理框圖電流環(huán)作用是，在突加負載或負載電流超過限流值時，限制調壓器的輸出電流在額定電流范圍內，確保輸出和調壓器正常工作。其調節(jié)過程如下：U0恒定，負載電流增加：If↑→（UO-If）↓→IO↓→Uy↓→α↑→調壓器輸出電壓U↓——If↓；同時電壓環(huán)也參與調節(jié)，使調壓器的輸出電流被限制在額定電流范圍內。整流器***用于各種形式的整流電源中。晶閘管可控硅經銷批發(fā)

    控制交流電斷電的器件主要有兩種：繼電器和雙向可控硅題主說不用繼電器，那么我們可以用雙向可控硅了，繼電器是通過觸點的閉合和斷開實現機械式的通斷；雙向可控硅是電子式的通斷控制，不止可以實現高速的通斷控制，還可以進行功率控制，比繼電器更加靈活。雙向可控硅怎么驅動控制220V交流電的通斷？因為雙向可控硅兩個方向都是可以導通的，所以就不區(qū)分陽級和陰極了，把它叫它T1極和T2極。我們只要在它的G極注入正向電壓就可以讓它導通了當然我們需要設計一個驅動電路來驅動雙向可控硅工作，為了更加安全，我們可以用光耦進行高低壓隔離驅動。當DR為高電平時，Q2導通，U2會觸發(fā)雙向可控硅Q1導通，使馬達工作。雙向可控硅怎么驅動控制220V交流器件的功率？我們平常使用的是正弦波形的交流電只要我們想辦法控制雙向可控壓的導通時間，就可以實現功率控制了，比如正半周的時候1/4T~1/2T導通，負半周的時候3/4T~T的時候導通。這樣是不是只剩下一半的功率了？如果想通過雙向可控硅來實現功率控制，比如馬達轉速，燈光亮度，加熱功率等的控制，還需要用到過零檢測電路。檢測到零點后，根據功率要求，讓雙向可控硅延時導通就可以了。多路可控硅訂制整流變壓器、調功機（純電感線圈）、電爐變壓器一次側、升磁/退磁調節(jié)、直流電機控制。

    應用同樣方法改測其他電極，直到找出三個電極為止。也可以測任兩腳之間的正、反向電阻，若正、反向電阻均接近無窮大，則兩極即為陽極A和陰極K，而另一腳即為門極G。普通晶閘管也可以根據其封裝形式來判斷出各電極。例如：螺栓形普通晶閘管的螺栓一端為陽極A，較細的引線端為門極G，較粗的引線端為陰極K。平板形普通晶閘管的引出線端為門極G，平面端為陽極A，另一端為陰極K。金屬殼封裝(T0—3)的普通晶閘管，其外殼為陽極A。塑封(T0—220)的普通晶閘管的中間引腳為陽極A，且多與自帶散熱片相連。圖1為幾種普通晶閘管的引腳排列。(2)判斷其好壞：用萬用表R×1kΩ檔測量普通晶閘管陽極A與陰極K之間的正、反向電阻，正常時均應為無窮大(∞)；若測得A、K之間的正、反向電阻值為零或阻值均較小，則說明晶閘管內部擊穿短路或漏電。測量門極G與陰極K之間的正、反向電阻值，正常時應有類似二極管的正、反向電阻值(實際測量結果要較普通二極管的正、反向電阻值小一些)，即正向電阻值較小(小于2kΩ)，反向電阻值較**于80kΩ)。若兩次測量的電阻值均很大或均很小，則說明該晶閘管G、K極之間開路或短路。若正、反電阻值均相等或接近，則說明該晶閘管已失效。

    可控整流電路的作用是把交流電變換為電壓值可以調節(jié)的直流電。圖20－1所示為單相半控橋式整流實驗電路。主電路由負載RL（燈炮）和晶閘管T1組成，觸發(fā)電路為單結晶體管T2及一些阻容元件構成的阻容移相橋觸發(fā)電路。改變晶閘管T1的導通角，便可調節(jié)主電路的可控輸出整流電壓（或電流）的數值，這點可由燈炮負載的亮度變化看出。晶閘管導通角的大小決定于觸發(fā)脈沖的頻率f，由公式圖1單相半控橋式整流實驗電路可知，當單結晶體管的分壓比η（一般在～）及電容C值固定時，則頻率f大小由R決定，因此，通過調節(jié)電位器Rw，使可以改變觸發(fā)脈沖頻率，主電路的輸出電壓也，從而達到可控調壓的目的。用萬用電表的電阻檔（或用數字萬用表二極管檔）可以對單結晶體管和晶閘管進行簡易測試。圖2為單結晶體管BT33管腳排列、結構圖及電路符號。好的單結晶體管PN結正向電阻REB1、REB2均較小，且REB1稍大于REB2，PN結的反向電阻RB1E、RB2E均應很大，根據所測阻值，即可判斷出各管腳及管子的質量優(yōu)劣。圖2單結晶體管BT33管腳排列、結構圖及電路符號圖3為晶閘管3CT3A管腳排列、結構圖及電路符號。晶閘管陽極（A）—陰極（K）及陽極（A）—門極（G）之間的正、反向電阻RAK、RKA、RAG、RGA均應很大。普通可控硅**基本的用途就是可控整流。

    當T1與T2之間接通電源后，給G極正向觸發(fā)信號（相對于T1、T2所接電源負極而言），其工作原理如前面單向可控硅完全相同。當G極接負觸發(fā)信號時，其工作過原理如圖4所示，此時Q3的基極B和發(fā)射極E處于正偏電壓而致使Q3導通，繼而Q1導通給電容C充電后致Q2導通并保持導通狀態(tài)。雙向可控硅的英文簡稱TRIC是英文TriadACsemiconductorswitch的縮寫，其意思是三端交流半導體開關，目前主要用于對交流電源的控制，主要特點表現在能在四個象限來使可控硅觸發(fā)導通和保持導通，直到所接電源撤出或反向[6][7]。***象限是T2接電源V的正極T1接電源V的負極，G觸發(fā)信號Vg的正。第二象限是T2接電源V的正極T1接電源V的負極，G觸發(fā)信號Vg的負。第三、四象限是T1接電源V的正極T2接電源V的負極，G觸發(fā)信號分別接Vg的正、負極。2類雙向可控硅電路設計在理解了前面所述雙向可控硅的內部結構和工作原理之后，依據其內部結構采用我們熟悉的晶體管來設計一種類似有雙向可控硅工作的雙向可觸發(fā)電路。如圖5所示，電路采用用7個三極管和幾個電阻組成。把圖5電路中PN結的結構按圖6所示結構圖描出，與圖3-a、b比較很是相似。在圖5所示電路中，內部電流在外界所接電源的極性不同而有兩種流向。業(yè)界推出的節(jié)能燈和電子鎮(zhèn)流器**三極管都十分注重對貯存時間的控制。多路可控硅訂制

如果把二極管換成可控硅，就可以構成可控整流電路。晶閘管可控硅經銷批發(fā)

    用短線瞬間短接陽極A和控制極G，此時萬用表電阻擋指針應向右偏轉，阻值讀數為10歐姆左右。如陽極A接黑表筆，陰極K接紅表筆時，萬用表指針發(fā)生偏轉，說明該單向可控硅已擊穿損壞。雙向可控硅的檢測。用萬用表電阻R*1Ω擋，用紅、黑兩表筆分別測任意兩引腳間正反向電阻，結果其中兩組讀數為無窮大。若一組為數十歐姆時，該組紅、黑表所接的兩引腳為***陽極A1和控制極G，另一空腳即為第二陽極A2。確定A1、G極后，再仔細測量A1、G極間正、反向電阻，讀數相對較小的那次測量的黑表筆所接的引腳為***陽極A1，紅表筆所接引腳為控制極G。將黑表筆接已確定的第二陽極A2，紅表筆接***陽極A1，此時萬用表指針不應發(fā)生偏轉，阻值為無窮大。再用短接線將A2、G極瞬間短接，給G極加上正向觸發(fā)電壓，A2、A1間阻值約10歐姆左右。隨后斷開A2、G間短接線，萬用表讀數應保持10歐姆左右?；Q紅、黑表筆接線，紅表筆接第二陽極A2，黑表筆接***陽極A1。同樣萬用表指針應不發(fā)生偏轉，阻值為無窮大。用短接線將A2、G極間再次瞬間短接，給G極加上負的觸發(fā)電壓，A1、A2間的阻值也是10歐姆左右。隨后斷開A2、G極間短接線，萬用表讀數應不變，保持在10歐姆左右。符合以上規(guī)律。晶閘管可控硅經銷批發(fā)

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