控制交流負(fù)載回路的通斷，通常會(huì)用到繼電器。繼電器是機(jī)械式觸點(diǎn)的電磁元器件，可以實(shí)現(xiàn)弱電控制強(qiáng)電的目的。但是在帶電流分?jǐn)嘭?fù)載回路時(shí)，會(huì)產(chǎn)生電弧腐蝕觸點(diǎn)，降低了繼電器的使用壽命，并且繼電器觸點(diǎn)的響應(yīng)時(shí)間在ms級(jí)別，不適合用于高速通斷的回路中。題目不想用繼電器來(lái)控制交流回路的通斷，那么可以考慮使用可控硅來(lái)實(shí)現(xiàn)。1什么是可控硅可控硅是具有四層結(jié)構(gòu)的PNPN型半導(dǎo)體器件，可以看作是由兩個(gè)三極管所構(gòu)成的元器件，可控硅的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)如下圖所示?？煽毓鑿膶?dǎo)通方向可以分為單向可控硅SCR和雙向可控硅Triac。單向可控硅的三個(gè)電極分別是陽(yáng)極A、陰極K和控制極G；雙向可控硅的三個(gè)電極分別為T1，T2以及控制G。可控硅的在導(dǎo)通后，及時(shí)將控制信號(hào)去掉，可控硅仍然處于導(dǎo)通狀態(tài)。在交流負(fù)載回路中，一般使用雙向可控硅。2可控硅控制回路的設(shè)計(jì)單片機(jī)控制可控硅回路的通斷時(shí)，比較好使用光耦做隔離。所設(shè)計(jì)的可控硅控制電路如下圖所示。單片機(jī)的輸出端接三極管的基極，通過(guò)三極管來(lái)控制光耦的通斷，圖中以燈泡作為負(fù)載。當(dāng)單片機(jī)輸出高電平時(shí)，光耦導(dǎo)通，此時(shí)可控硅的控制極有觸發(fā)信號(hào)，并且T1和T2上的交流電源滿足導(dǎo)通條件。單片機(jī)輸出低電平時(shí)，光耦截止。隔離開(kāi)關(guān)應(yīng)能同時(shí)提供滿足負(fù)載的電流和蓄電池的再充電電流，并能承受較大的短路電流。單相整流可控硅芯片廠家

工作原理

本控制器輸出觸發(fā)脈沖必須同時(shí)具備兩個(gè)條件，分別是：控制輸入有效和可控硅兩端電壓為零，兩個(gè)條件缺其中任何一個(gè)都不能輸出觸發(fā)脈沖?？刂菩盘?hào)有效的較早周波檢測(cè)過(guò)零，過(guò)零條件滿足即輸出觸發(fā)脈沖，在以后的控制信號(hào)有效的時(shí)間段內(nèi)持續(xù)輸出觸發(fā)脈沖。

性能特點(diǎn)

高可靠的可控硅電壓過(guò)零觸發(fā)，三相**控制，脈沖隔離輸出，安全可靠。

有自同步功能，免去傳統(tǒng)可控硅電路認(rèn)定同步和相序的麻煩，使用與調(diào)試方便。

適用于阻性負(fù)載、感性負(fù)載、容性負(fù)載等類型。

一體化結(jié)構(gòu)，接線簡(jiǎn)單，互換性好。

驅(qū)動(dòng)能力強(qiáng)，每路可以輸出600毫安的電流，6V觸發(fā)電壓,可以驅(qū)動(dòng)4000A可控硅。

工作可靠,有非常強(qiáng)的抗干擾能力，適用性強(qiáng)，耐壓高。

山東通用可控硅可控硅調(diào)壓器是一種以可控硅（電力電子功率器件）為基礎(chǔ)，以**控制電路為**的電源功率控制電器。

    主要應(yīng)用如下：◇以鎳鉻、鐵鉻鋁、遠(yuǎn)紅外發(fā)熱元件及硅鉬棒、硅碳棒等為加熱元件的溫度控制?！篼}浴爐、工頻感應(yīng)爐、淬火爐、熔融玻璃的溫度控制?！笳髯儔浩?、電爐變壓器一次側(cè)控制?！笳婵斟兡ぴO(shè)備等◇三相力矩電動(dòng)機(jī)的速度控制?！箅妷?、電流、功率、燈光等無(wú)級(jí)平滑調(diào)節(jié)?！蠛銐骸⒑懔?、恒功率控制?！鎏攸c(diǎn):*可用380V電源頻率為50HZ/60HZ電**殊電壓要求可定制。*采用移相式觸發(fā)方式、適用于阻性負(fù)載、感性負(fù)載、變壓器一次側(cè)等各種負(fù)載類型。*能與國(guó)內(nèi)外各種控制儀表、微機(jī)的輸出信號(hào)直接接口。*一臺(tái)儀表可以同時(shí)控制多臺(tái)觸發(fā)板。*具有軟啟動(dòng)功能，減少對(duì)電網(wǎng)的沖擊干擾，使主電路更加安全可靠。*脈沖輸出對(duì)稱度小于。*同步電壓范圍寬。恒電壓反饋:電源電壓波動(dòng)±10%，負(fù)載阻抗變化10倍時(shí)，負(fù)荷電壓保持恒定，輸出電壓與控制信號(hào)成線性關(guān)系恒電流反饋:電源電壓波動(dòng)±10%，負(fù)載阻抗變化10倍時(shí)，負(fù)荷電流保持恒定，輸出電流與控制信號(hào)成線性關(guān)系恒功率反饋:電源電壓波動(dòng)±10%，負(fù)載阻抗變化10倍時(shí)，負(fù)荷功率保持恒定，輸出功率與控制信號(hào)成線性關(guān)系■正常使用條件:*海拔不超過(guò)3000米。*工作環(huán)境溫度-30℃~55℃。*空氣比較大相對(duì)濕度不超過(guò)90%。

    只要用萬(wàn)用表測(cè)出A極和G極即可。將萬(wàn)用表置于R×1kΩ檔，兩表筆任接被測(cè)晶閘管的某兩個(gè)引腳(測(cè)其正、反向電阻值)，若測(cè)出某對(duì)引腳為低阻值時(shí)，則黑表筆接的陽(yáng)極A，而紅表筆接的是門極G，另外一個(gè)引腳即是陰極K。(2)判斷其好壞：用萬(wàn)用表R×1kΩ檔測(cè)量BTG晶閘管各電極之間的正、反向電阻值。正常時(shí)，陽(yáng)極A與陰極K之間的正、反向電阻均為無(wú)窮大；陽(yáng)極A與門極G之間的正向電阻值(指黑表筆接A極時(shí))為幾百歐姆至幾千歐姆，反向電阻值為無(wú)窮大。若測(cè)得某兩極之間的正、反向電阻值均很小，則說(shuō)明該晶閘管已短路損壞。(3)觸發(fā)能力檢測(cè)：將萬(wàn)用表置于R×1Ω檔，黑表筆接陽(yáng)極A，紅表筆接陰極K，測(cè)得阻值應(yīng)為無(wú)窮大。然后用手指觸摸門極G，給其加一個(gè)人體感應(yīng)信號(hào)，若此時(shí)A、K極之間的電阻值由無(wú)窮大變?yōu)榈妥柚?數(shù)歐姆)，則說(shuō)明晶閘管的觸發(fā)能力良好。否則說(shuō)明此晶閘管的性能不良。在雙變換UPS中，此裝置既為逆變器供電，又給蓄電池充電，故稱為整流器/充電機(jī)。

   門極關(guān)斷晶閘管的檢測(cè)1)判別各電極：門極關(guān)斷晶閘管三個(gè)電極的判別方法與普通晶閘管相同，即用萬(wàn)用表的R×100檔，找出具有二極管特性的兩個(gè)電極，其中一次為低阻值(幾百歐姆)，另一次阻值較大。在阻值小的那一次測(cè)量中，紅表筆接的是陰極K，黑表筆接的是門極G，剩下的一只引腳即為陽(yáng)極A。觸發(fā)能力和關(guān)斷能力的檢測(cè)：可關(guān)斷晶閘管觸發(fā)能力的檢測(cè)方法與普通晶閘管相同。檢測(cè)門極關(guān)斷晶閘管的關(guān)斷能力時(shí)，可先按檢測(cè)觸發(fā)能力的方法使晶閘管處于導(dǎo)通狀態(tài)，即用萬(wàn)用表R×1檔，黑表筆接陽(yáng)極A，紅表筆接陰極K，測(cè)得電阻值為無(wú)窮大。再將A極與門極G短路，給G極加上正向觸發(fā)信號(hào)時(shí)，晶閘管被觸發(fā)導(dǎo)通，其A、K極間電阻值由無(wú)窮大變?yōu)榈妥锠顟B(tài)。斷開(kāi)A極與G極的短路點(diǎn)后，晶閘管維持低阻導(dǎo)通狀態(tài)，說(shuō)明其觸發(fā)能力正常。再在晶閘管的門極G與陽(yáng)極A之間加上反向觸發(fā)信號(hào)，若此時(shí)A極與K極間電阻值由低阻值變?yōu)闊o(wú)窮大，則說(shuō)明晶閘管的關(guān)斷能力正常，圖7是關(guān)斷能力的檢測(cè)示意圖。也可以電路來(lái)檢測(cè)門極關(guān)斷晶閘管的觸發(fā)能力和關(guān)斷能力。電路中，EL為6．3V指示燈(小電珠)，S為轉(zhuǎn)換開(kāi)關(guān)，VT為被測(cè)晶閘管。當(dāng)開(kāi)關(guān)S關(guān)斷時(shí)，晶閘管不導(dǎo)通，指示燈不亮。將開(kāi)關(guān)S的K1觸點(diǎn)接通時(shí)。 可控硅觸發(fā)板用于水泵、風(fēng)機(jī)等軟啟動(dòng)控制，調(diào)速節(jié)能控制等。通用可控硅定做

大家熟悉的二極管整流電路屬于不可控整流電路。單相整流可控硅芯片廠家

    可控硅檢測(cè)方法與經(jīng)驗(yàn)可控硅（SCR）國(guó)際通用名稱為Thyyistoy，中文簡(jiǎn)稱晶閘管。它能在高電壓、大電流條件下工作，具有耐壓高、容量大、體積小等優(yōu)點(diǎn)，它是大功率開(kāi)關(guān)型半導(dǎo)體器件，廣泛應(yīng)用在電力、電子線路中。1.可控硅的特性?？煽毓璺謫蜗蚩煽毓?、雙向可控硅。單向可控硅有陽(yáng)極A、陰極K、控制極G三個(gè)引出腳。雙向可控硅有***陽(yáng)極A1（T1），第二陽(yáng)極A2（T2）、控制極G三個(gè)引出腳。只有當(dāng)單向可控硅陽(yáng)極A與陰極K之間加有正向電壓，同時(shí)控制極G與陰極間加上所需的正向觸發(fā)電壓時(shí)，方可被觸發(fā)導(dǎo)通。此時(shí)A、K間呈低阻導(dǎo)通狀態(tài)，陽(yáng)極A與陰極K間壓降約1V。單向可控硅導(dǎo)通后，控制器G即使失去觸發(fā)電壓，只要陽(yáng)極A和陰極K之間仍保持正向電壓，單向可控硅繼續(xù)處于低阻導(dǎo)通狀態(tài)。只有把陽(yáng)極A電壓拆除或陽(yáng)極A、陰極K間電壓極性發(fā)生改變（交流過(guò)零）時(shí)，單向可控硅才由低阻導(dǎo)通狀態(tài)轉(zhuǎn)換為高阻截止?fàn)顟B(tài)。單向可控硅一旦截止，即使陽(yáng)極A和陰極K間又重新加上正向電壓，仍需在控制極G和陰極K間有重新加上正向觸發(fā)電壓方可導(dǎo)通。單向可控硅的導(dǎo)通與截止?fàn)顟B(tài)相當(dāng)于開(kāi)關(guān)的閉合與斷開(kāi)狀態(tài)，用它可制成無(wú)觸點(diǎn)開(kāi)關(guān)。雙向可控硅***陽(yáng)極A1與第二陽(yáng)極A2間，無(wú)論所加電壓極性是正向還是反向。單相整流可控硅芯片廠家

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