采用比較常用的NPN三級(jí)管S8050和PNP三極管S8550來設(shè)計(jì)制作實(shí)際的測試電路板(PCB)，如圖5所示。圖6中所標(biāo)識(shí)的T2、T1和G與圖5所示的相同，也類似于雙向可控硅的T2、T1和G三個(gè)接線極。利用該模塊電路串入負(fù)載接通正或負(fù)的直流電源和觸發(fā)信號(hào)來測試，所得結(jié)果如圖7所示，在正或負(fù)觸發(fā)信號(hào)接入前電流表上的指示為0，當(dāng)正或負(fù)觸發(fā)信號(hào)接通并撤離后電流表指示依然保持原來的電流值。該實(shí)驗(yàn)表明該電路在正負(fù)電源供電情況下能雙向觸發(fā)導(dǎo)通。該模塊電路在接通交流電源和脈沖控制信號(hào)時(shí)，其測驗(yàn)結(jié)果如圖8所示。示波器探針1接觸發(fā)信號(hào)，探針2接模塊電路的兩端T1-T2之間的電壓。在觸發(fā)信號(hào)為0是，T1-T2之間的電壓等于電源電壓值，表明該電路沒有導(dǎo)通，當(dāng)觸發(fā)信號(hào)脈沖到來時(shí)，T1-T2兩端的電壓值為0，表明模塊電路已經(jīng)導(dǎo)通。4結(jié)束語在詳細(xì)解讀了雙向可控硅的內(nèi)部結(jié)構(gòu)和工作原理的基礎(chǔ)之上，設(shè)計(jì)了一款以7個(gè)三極管為主要元器件和電阻電容可以被雙向觸發(fā)的控制電路。利用常用的對管S8050和S8550制作出實(shí)驗(yàn)電路驗(yàn)證了該電路的正確性。在今后具體運(yùn)用過程中可以通過對此電路的相關(guān)器件做適當(dāng)調(diào)整來滿足具體的需求和設(shè)計(jì)要求。同時(shí)?？煽毓栌|發(fā)板是通過調(diào)整可控硅的導(dǎo)通角來實(shí)現(xiàn)電氣設(shè)備的電壓電流功率調(diào)整的一種移相型的電力控制器。單可控硅銷售

    場效應(yīng)管檢測一、用指針式萬用表對場效應(yīng)管進(jìn)行判別（1）用測電阻法判別結(jié)型場效應(yīng)管的電極根據(jù)場效應(yīng)管的PN結(jié)正、反向電阻值不一樣的現(xiàn)象，可以判別出結(jié)型場效應(yīng)管的三個(gè)電極。具體方法：將萬用表撥在R×1k檔上，任選兩個(gè)電極，分別測出其正、反向電阻值。當(dāng)某兩個(gè)電極的正、反向電阻值相等，且為幾千歐姆時(shí)，則該兩個(gè)電極分別是漏極D和源極S。因?yàn)閷Y(jié)型場效應(yīng)管而言，漏極和源極可互換，剩下的電極肯定是柵極Ｇ。也可以將萬用表的黑表筆（紅表筆也行）任意接觸一個(gè)電極，另一只表筆依次去接觸其余的兩個(gè)電極，測其電阻值。當(dāng)出現(xiàn)兩次測得的電阻值近似相等時(shí)，則黑表筆所接觸的電極為柵極，其余兩電極分別為漏極和源極。若兩次測出的電阻值均很大，說明是ＰＮ結(jié)的反向，即都是反向電阻，可以判定是Ｎ溝道場效應(yīng)管，且黑表筆接的是柵極；若兩次測出的電阻值均很小，說明是正向ＰＮ結(jié)，即是正向電阻，判定為Ｐ溝道場效應(yīng)管，黑表筆接的也是柵極。若不出現(xiàn)上述情況，可以調(diào)換黑、紅表筆按上述方法進(jìn)行測試，直到判別出柵極為止。。單可控硅銷售可控硅觸發(fā)板用于單相、三相電焊機(jī)控制、電解電鍍控制等。

    此時(shí)表內(nèi)電壓較高。當(dāng)用手接觸柵極Ｇ時(shí)，會(huì)發(fā)現(xiàn)管的反向電阻值有明顯地變化，其變化越大，說明管的跨導(dǎo)值越高；如果被測管的跨導(dǎo)很小，用此法測時(shí)，反向阻值變化不大。二、.場效應(yīng)管的使用注意事項(xiàng)（1）為了安全使用場效應(yīng)管，在線路的設(shè)計(jì)中不能超過管的耗散功率，比較大漏源電壓、比較大柵源電壓和比較大電流等參數(shù)的極限值。（2）各類型場效應(yīng)管在使用時(shí)，都要嚴(yán)格按要求的偏置接人電路中，要遵守場效應(yīng)管偏置的極性。如結(jié)型場效應(yīng)管柵源漏之間是ＰＮ結(jié)，Ｎ溝道管柵極不能加正偏壓；Ｐ溝道管柵極不能加負(fù)偏壓，等等。（3）MOS場效應(yīng)管由于輸人阻抗極高，所以在運(yùn)輸、貯藏中必須將引出腳短路，要用金屬屏蔽包裝，以防止外來感應(yīng)電勢將柵極擊穿。尤其要注意，不能將MOS場效應(yīng)管放人塑料盒子內(nèi)，保存時(shí)比較好放在金屬盒內(nèi)，同時(shí)也要注意管的防潮。（4）為了防止場效應(yīng)管柵極感應(yīng)擊穿，要求一切測試儀器、工作臺(tái)、電烙鐵、線路本身都必須有良好的接地；管腳在焊接時(shí)，先焊源極；在連入電路之前，管的全部引線端保持互相短接狀態(tài)，焊接完后才把短接材料去掉；從元器件架上取下管時(shí)，應(yīng)以適當(dāng)?shù)姆绞酱_保人體接地如采用接地環(huán)等；當(dāng)然，如果能采用先進(jìn)的氣熱型電烙鐵。

    **交流電機(jī)調(diào)速器、逆變器使用。例如美國IR公司生產(chǎn)的IRFT001型模塊，內(nèi)部有N溝道、P溝道管各三只，構(gòu)成三相橋式結(jié)構(gòu)。（4）現(xiàn)在市售VNF系列（N溝道）產(chǎn)品，是美國Supertex公司生產(chǎn)的超高頻功率場效應(yīng)管，其比較高工作頻率fp=120MHz，IDSM=1A，PDM=30W，共源小信號(hào)低頻跨導(dǎo)gm=2000μS。適用于高速開關(guān)電路和廣播、通信設(shè)備中。（5）使用VMOS管時(shí)必須加合適的散熱器后。以VNF306為例，該管子加裝140×140×4（mm）的散熱器后，比較大功率才能達(dá)到30W。（6）多管并聯(lián)后，由于極間電容和分布電容相應(yīng)增加，使放大器的高頻特性變壞，通過反饋容易引起放大器的高頻寄生振蕩。為此，并聯(lián)復(fù)合管管子一般不超過4個(gè)，而且在每管基極或柵極上串接防寄生振蕩電阻。單向可控硅、雙向可控硅檢測可控硅分單向可控硅、雙向可控硅。單向可控硅有陽極A、陰極K、控制極G三個(gè)引出腳。雙向可控硅有***陽極A1（T1），第二陽極A2（T2）、控制極G三個(gè)引出腳。只有當(dāng)單向可控硅陽極A與陰極K之間加有正向電壓，同時(shí)控制極G與陰極間加上所需的正向觸發(fā)電壓時(shí)，方可被觸發(fā)導(dǎo)通。此時(shí)A、K間呈低阻導(dǎo)通狀態(tài)，陽極A與陰極K間壓降約1V。單向可控硅導(dǎo)通后，控制器G即使失去觸發(fā)電壓。可控硅一個(gè)關(guān)鍵用途在于做為無觸點(diǎn)開關(guān)。

    控制極與陰極之間是一個(gè)P-N結(jié)，因此它的正向電阻大約在幾歐-幾百歐的范圍，反向電阻比正向電阻要大?？墒强刂茦O二極管特性是不太理想的，反向不是完全呈阻斷狀態(tài)的，可以有比較大的電流通過，因此，有時(shí)測得控制極反向電阻比較小，并不能說明控制極特性不好。另外，在測量控制極正反向電阻時(shí)，萬用表應(yīng)放在R*10或R*1擋，防止電壓過高控制極反向擊穿。若測得元件陰陽極正反向已短路，或陽極與控制極短路，或控制極與陰極反向短路，或控制極與陰極斷路，說明元件已損壞?？煽毓枰唤?jīng)觸發(fā)導(dǎo)通后，由于循環(huán)反饋的原因，流入BG1基極的電流已不只是初始的Ib1，而是經(jīng)過BG1、BG2放大后的電流（β1*β2*Ib1）這一電流遠(yuǎn)大于Ib1，足以保持BG1的持續(xù)導(dǎo)通。此時(shí)觸發(fā)信號(hào)即使消失，可控硅仍保持導(dǎo)通狀態(tài)只有斷開電源Ea或降低Ea，使BG1、BG2中的集電極電流小于維持導(dǎo)通的最小值時(shí)，可控硅方可關(guān)斷。當(dāng)然，如果Ea極性反接，BG1、BG2由于受到反向電壓作用將處于截止?fàn)顟B(tài)。這時(shí)，即使輸入觸發(fā)信號(hào)，可控硅也不能工作。反過來，Ea接成正向，而觸動(dòng)發(fā)信號(hào)是負(fù)的，可控硅也不能導(dǎo)通。另外，如果不加觸發(fā)信號(hào)，而正向陽極電壓大到超過一定值時(shí)，可控硅也會(huì)導(dǎo)通?？煽毓枵{(diào)整器可用380V電源頻率為50HZ/60HZ電**殊電壓要求可定制。昆山可控硅加熱

在以大功率二極管或晶閘管為基礎(chǔ)的兩種基本類型的整流器中，電網(wǎng)的高壓交流功率通過整流器變換為直流功率。單可控硅銷售

    選擇價(jià)格便宜、性能很好的熱敏元件AD590，將其加裝在調(diào)整管的散熱片上。當(dāng)溫度達(dá)60℃左右時(shí)，啟動(dòng)風(fēng)扇降溫，當(dāng)溫度回落至40℃左右時(shí)，關(guān)閉風(fēng)扇。當(dāng)溫度高達(dá)85℃時(shí)，給可控硅觸發(fā)回路發(fā)出***信號(hào)，關(guān)斷可控硅，進(jìn)而關(guān)斷電路，避免調(diào)整管過熱損壞。電路如圖3所示。AD590的外部特性：0℃時(shí)，其電流為273μA；溫度每上升1℃，電流增加1μA；溫度每下降1℃，電流減小1μA；工作溫度為－50℃～＋150℃；為避免比較器頻繁動(dòng)作或誤動(dòng)作，選擇滯環(huán)寬度為1V。取R＝40kΩ；選擇集成運(yùn)放由單電源＋5V供電，可由CW78M15分壓得到。設(shè)溫度65℃時(shí)比較器基準(zhǔn)電壓為EmH，有：設(shè)溫度40℃時(shí)比較器基準(zhǔn)電壓為EmL，有?。篟1=2k;Rf=10k校驗(yàn)：所以：當(dāng)溫度為61℃時(shí)，啟動(dòng)風(fēng)扇；當(dāng)降低為40℃時(shí)，關(guān)閉風(fēng)扇。當(dāng)調(diào)整管溫度達(dá)80℃左右時(shí)，比較器輸出零電平，***可控硅，進(jìn)而關(guān)斷電路。該穩(wěn)壓電源中，短路保護(hù)的功能為當(dāng)檢測到輸出電壓低于2V并延時(shí)2s后時(shí)，就判斷為短路。發(fā)出***信號(hào)關(guān)斷可控硅，關(guān)斷電路，防止損壞器件。限流保護(hù)的作用是當(dāng)負(fù)載電流超過20A時(shí)，減小調(diào)整管基極電流，使輸出電流減小。3結(jié)束語這種新型跟.蹤式可控硅直流穩(wěn)壓電源成本低，性能較好，精度較高，適于BP機(jī)發(fā)射臺(tái)使用。單可控硅銷售

上海凱月電子科技有限公司是一家有著雄厚實(shí)力背景、信譽(yù)可靠、勵(lì)精圖治、展望未來、有夢想有目標(biāo)，有組織有體系的公司，堅(jiān)持于帶領(lǐng)員工在未來的道路上大放光明，攜手共畫藍(lán)圖，在上海市等地區(qū)的電子元器件行業(yè)中積累了大批忠誠的客戶粉絲源，也收獲了良好的用戶口碑，為公司的發(fā)展奠定的良好的行業(yè)基礎(chǔ)，也希望未來公司能成為*****，努力為行業(yè)領(lǐng)域的發(fā)展奉獻(xiàn)出自己的一份力量，我們相信精益求精的工作態(tài)度和不斷的完善創(chuàng)新理念以及自強(qiáng)不息，斗志昂揚(yáng)的的企業(yè)精神將**上海凱月電子科技供應(yīng)和您一起攜手步入輝煌，共創(chuàng)佳績，一直以來，公司貫徹執(zhí)行科學(xué)管理、創(chuàng)新發(fā)展、誠實(shí)守信的方針，員工精誠努力，協(xié)同奮取，以品質(zhì)、服務(wù)來贏得市場，我們一直在路上！