雙向晶閘管的電極引線不規(guī)則，通常G極是在T1極側(cè)引出而不是T2極側(cè)。雙向晶閘管的兩個主電極T1和T2還是有區(qū)別的，雙向晶閘管的觸發(fā)通常是相對與T1與G之間的電流。

可控硅的作用之一就是可控整流，這也是可控硅**基本也**重要的作用。大家所熟知的二極管整流電路只可完成整流的功能，并沒有實現(xiàn)可控，而一旦把二極管換做可控硅，便構(gòu)成了一個可控整流電路。

 在一個**基本的單相半波可控整流電路中，當(dāng)正弦交流電壓處于正半周時，只有在控制極外加觸發(fā)脈沖時，可控硅才被觸發(fā)導(dǎo)通，負(fù)載上才會有電壓輸出，因此可以通過改變控制極上觸發(fā)脈沖到來的時間，來進一步調(diào)節(jié)負(fù)載上輸出電壓的平均值，達到可控整流的作用。 在雙變換UPS中，此裝置既為逆變器供電，又給蓄電池充電，故稱為整流器/充電機。山東可控硅訂制

    應(yīng)用KY-TSC系列投切開關(guān)是在三相系統(tǒng)中用來投切電容，和其他投切器相比，該投切開關(guān)具有在投切時無涌流，無接觸噪聲以及很高的開關(guān)頻率。這些優(yōu)點是通過觸發(fā)電路，晶閘管，二極管，以及一些輔助電路實現(xiàn)。該投切器適合用在負(fù)載變化較快的場合。組成單元該投切器主要有雙向可控硅，觸發(fā)電路，吸收電路，散熱片，以及冷卻裝置等元件組成。出點電路在電壓過零前后進行判斷是否輸出控制信號(DC12V)，進而使可控硅進行導(dǎo)通或關(guān)斷。觸發(fā)電路能夠可靠的保證控制信號的輸出，散熱片的良好的導(dǎo)熱作用以及散熱風(fēng)機的添加，改善了投切開關(guān)的散熱效果。該裝置有內(nèi)置過溫保護開關(guān)，以及控制風(fēng)機自動運行的溫度開關(guān)，從而為安全的運行提供了良好的條件。 單相整流可控硅貨源在自動化設(shè)備中,用無觸點開關(guān)代替通用繼電器已被逐步應(yīng)用。其***特點是無噪音,壽命長。

    控制極與陰極之間是一個P-N結(jié)，因此它的正向電阻大約在幾歐-幾百歐的范圍，反向電阻比正向電阻要大?？墒强刂茦O二極管特性是不太理想的，反向不是完全呈阻斷狀態(tài)的，可以有比較大的電流通過，因此，有時測得控制極反向電阻比較小，并不能說明控制極特性不好。另外，在測量控制極正反向電阻時，萬用表應(yīng)放在R*10或R*1擋，防止電壓過高控制極反向擊穿。若測得元件陰陽極正反向已短路，或陽極與控制極短路，或控制極與陰極反向短路，或控制極與陰極斷路，說明元件已損壞。可控硅一經(jīng)觸發(fā)導(dǎo)通后，由于循環(huán)反饋的原因，流入BG1基極的電流已不只是初始的Ib1，而是經(jīng)過BG1、BG2放大后的電流（β1*β2*Ib1）這一電流遠大于Ib1，足以保持BG1的持續(xù)導(dǎo)通。此時觸發(fā)信號即使消失，可控硅仍保持導(dǎo)通狀態(tài)只有斷開電源Ea或降低Ea，使BG1、BG2中的集電極電流小于維持導(dǎo)通的**小值時，可控硅方可關(guān)斷。當(dāng)然，如果Ea極性反接，BG1、BG2由于受到反向電壓作用將處于截止?fàn)顟B(tài)。這時，即使輸入觸發(fā)信號，可控硅也不能工作。反過來，Ea接成正向，而觸動發(fā)信號是負(fù)的，可控硅也不能導(dǎo)通。另外，如果不加觸發(fā)信號，而正向陽極電壓大到超過一定值時，可控硅也會導(dǎo)通。

    采用比較常用的NPN三級管S8050和PNP三極管S8550來設(shè)計制作實際的測試電路板(PCB)，如圖5所示。圖6中所標(biāo)識的T2、T1和G與圖5所示的相同，也類似于雙向可控硅的T2、T1和G三個接線極。利用該模塊電路串入負(fù)載接通正或負(fù)的直流電源和觸發(fā)信號來測試，所得結(jié)果如圖7所示，在正或負(fù)觸發(fā)信號接入前電流表上的指示為0，當(dāng)正或負(fù)觸發(fā)信號接通并撤離后電流表指示依然保持原來的電流值。該實驗表明該電路在正負(fù)電源供電情況下能雙向觸發(fā)導(dǎo)通。該模塊電路在接通交流電源和脈沖控制信號時，其測驗結(jié)果如圖8所示。示波器探針1接觸發(fā)信號，探針2接模塊電路的兩端T1-T2之間的電壓。在觸發(fā)信號為0是，T1-T2之間的電壓等于電源電壓值，表明該電路沒有導(dǎo)通，當(dāng)觸發(fā)信號脈沖到來時，T1-T2兩端的電壓值為0，表明模塊電路已經(jīng)導(dǎo)通。4結(jié)束語在詳細解讀了雙向可控硅的內(nèi)部結(jié)構(gòu)和工作原理的基礎(chǔ)之上，設(shè)計了一款以7個三極管為主要元器件和電阻電容可以被雙向觸發(fā)的控制電路。利用常用的對管S8050和S8550制作出實驗電路驗證了該電路的正確性。在今后具體運用過程中可以通過對此電路的相關(guān)器件做適當(dāng)調(diào)整來滿足具體的需求和設(shè)計要求。同時。一臺儀表可以同時控制多臺觸發(fā)板。

KY3型電力調(diào)整器采用了新設(shè)計的KY3-T6S控制板。KY3-T6S控制板是運用數(shù)字電路觸發(fā)可控硅實現(xiàn)調(diào)壓和調(diào)功。調(diào)壓采用移相控制方式，調(diào)功有定周期調(diào)功和變周期調(diào)功兩種方式。該控制板帶有控制信號自由輸入、同步電路、自動判別相位、缺相保護、上電緩起動、緩關(guān)斷、散熱器超溫檢測、恒流恒壓輸出、電流限制、短路保護、過流保護、負(fù)載斷線檢測、LED數(shù)碼管顯示、MODBUS通訊（硬件接口是RS485）、PROFIBUS通訊、以太網(wǎng)CAN通訊等功能。

該電力調(diào)整器可與帶0~5V、0~10V或4~20mA等的智能PID調(diào)節(jié)器或PLC配套使用，也可**使用手動功能。KY3-T6S電力調(diào)整器的負(fù)載類型可以是三相阻性負(fù)載、感性負(fù)載及變壓器負(fù)載；負(fù)載方式可以是星形中心接地負(fù)載、星形中心不接地負(fù)載、三角形負(fù)載。KY3可廣泛應(yīng)用于工業(yè)電爐的加熱控制、冶金、化工、紡織機械、電解電鍍等領(lǐng)域。 調(diào)整器具有軟起動、軟關(guān)斷功能，減少對電網(wǎng)的沖擊和干擾，使主回路晶閘管更加安全可靠。逆導(dǎo)可控硅采購

整流器可以由真空管，引燃管，固態(tài)矽半導(dǎo)體二極管，汞弧等制成。山東可控硅訂制

    正是由于它將電子管與功率晶體管之優(yōu)點集于一身，因此在電壓放大器（電壓放大倍數(shù)可達數(shù)千倍）、功率放大器、開關(guān)電源和逆變器中正獲得廣泛應(yīng)用。VMOS場效應(yīng)功率管具有極高的輸入阻抗及較大的線性放大區(qū)等優(yōu)點，尤其是其具有負(fù)的電流溫度系數(shù)，即在柵-源電壓不變的情況下，導(dǎo)通電流會隨管溫升高而減小，故不存在由于“二次擊穿”現(xiàn)象所引起的管子損壞現(xiàn)象。因此，VMOS管的并聯(lián)得到廣泛應(yīng)用。眾所周知，傳統(tǒng)的MOS場效應(yīng)管的柵極、源極和漏極**致處于同一水平面的芯片上，其工作電流基本上是沿水平方向流動。VMOS管則不同，從圖1上可以看出其兩大結(jié)構(gòu)特點:***，金屬柵極采用V型槽結(jié)構(gòu)；第二，具有垂直導(dǎo)電性。由于漏極是從芯片的背面引出，所以ID不是沿芯片水平流動，而是自重?fù)诫sN+區(qū)（源極S）出發(fā)，經(jīng)過P溝道流入輕摻雜N-漂移區(qū)，***垂直向下到達漏極D。電流方向如圖中箭頭所示，因為流通截面積增大，所以能通過大電流。由于在柵極與芯片之間有二氧化硅絕緣層，因此它仍屬于絕緣柵型MOS場效應(yīng)管。國內(nèi)生產(chǎn)VMOS場效應(yīng)管的主要廠家有877廠、天津半導(dǎo)體器件四廠、杭州電子管廠等，典型產(chǎn)品有VN401、VN672、VMPT2等。下面介紹檢測VMOS管的方法。山東可控硅訂制

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