采用比較常用的NPN三級管S8050和PNP三極管S8550來設計制作實際的測試電路板(PCB),如圖5所示。圖6中所標識的T2、T1和G與圖5所示的相同,也類似于雙向可控硅的T2、T1和G三個接線極。利用該模塊電路串入負載接通正或負的直流電源和觸發(fā)信號來測試,所得結果如圖7所示,在正或負觸發(fā)信號接入前電流表上的指示為0,當正或負觸發(fā)信號接通并撤離后電流表指示依然保持原來的電流值。該實驗表明該電路在正負電源供電情況下能雙向觸發(fā)導通。該模塊電路在接通交流電源和脈沖控制信號時,其測驗結果如圖8所示。示波器探針1接觸發(fā)信號,探針2接模塊電路的兩端T1-T2之間的電壓。在觸發(fā)信號為0是,T1-T2之間的電壓等于電源電壓值,表明該電路沒有導通,當觸發(fā)信號脈沖到來時,T1-T2兩端的電壓值為0,表明模塊電路已經導通。4結束語在詳細解讀了雙向可控硅的內部結構和工作原理的基礎之上,設計了一款以7個三極管為主要元器件和電阻電容可以被雙向觸發(fā)的控制電路。利用常用的對管S8050和S8550制作出實驗電路驗證了該電路的正確性。在今后具體運用過程中可以通過對此電路的相關器件做適當調整來滿足具體的需求和設計要求。同時。當采用遠端溫度檢測器時,整流器/充電機應自動調節(jié)蓄電池浮充電壓(一般按?5mv/只/℃)。蘇州旋轉可控硅
2)用測電阻法判別場效應管的好壞測電阻法是用萬用表測量場效應管的源極與漏極、柵極與源極、柵極與漏極、柵極G1與柵極G2之間的電阻值同場效應管手冊標明的電阻值是否相符去判別管的好壞。具體方法:首先將萬用表置于R×10或R×100檔,測量源極S與漏極D之間的電阻,通常在幾十歐到幾千歐范圍(在手冊中可知,各種不同型號的管,其電阻值是各不相同的),如果測得阻值大于正常值,可能是由于內部接觸不良;如果測得阻值是無窮大,可能是內部斷極。然后把萬用表置于R×10k檔,再測柵極G1與G2之間、柵極與源極、柵極與漏極之間的電阻值,當測得其各項電阻值均為無窮大,則說明管是正常的;若測得上述各阻值太小或為通路,則說明管是壞的。要注意,若兩個柵極在管內斷極,可用元件代換法進行檢測。(3)用感應信號輸人法估測場效應管的放大能力具體方法:用萬用表電阻的R×100檔,紅表筆接源極S,黑表筆接漏極D,給場效應管加上V的電源電壓,此時表針指示出的漏源極間的電阻值。然后用手捏住結型場效應管的柵極G,將人體的感應電壓信號加到柵極上。這樣,由于管的放大作用,漏源電壓VDS和漏極電流Ib都要發(fā)生變化,也就是漏源極間電阻發(fā)生了變化。蘇州旋轉可控硅整流器***用于各種形式的整流電源中。
此時表內電壓較高。當用手接觸柵極G時,會發(fā)現(xiàn)管的反向電阻值有明顯地變化,其變化越大,說明管的跨導值越高;如果被測管的跨導很小,用此法測時,反向阻值變化不大。二、.場效應管的使用注意事項(1)為了安全使用場效應管,在線路的設計中不能超過管的耗散功率,比較大漏源電壓、比較大柵源電壓和比較大電流等參數(shù)的極限值。(2)各類型場效應管在使用時,都要嚴格按要求的偏置接人電路中,要遵守場效應管偏置的極性。如結型場效應管柵源漏之間是PN結,N溝道管柵極不能加正偏壓;P溝道管柵極不能加負偏壓,等等。(3)MOS場效應管由于輸人阻抗極高,所以在運輸、貯藏中必須將引出腳短路,要用金屬屏蔽包裝,以防止外來感應電勢將柵極擊穿。尤其要注意,不能將MOS場效應管放人塑料盒子內,保存時比較好放在金屬盒內,同時也要注意管的防潮。(4)為了防止場效應管柵極感應擊穿,要求一切測試儀器、工作臺、電烙鐵、線路本身都必須有良好的接地;管腳在焊接時,先焊源極;在連入電路之前,管的全部引線端保持互相短接狀態(tài),焊接完后才把短接材料去掉;從元器件架上取下管時,應以適當?shù)姆绞酱_保人體接地如采用接地環(huán)等;當然,如果能采用先進的氣熱型電烙鐵。
只要用萬用表測出A極和G極即可。將萬用表置于R×1kΩ檔,兩表筆任接被測晶閘管的某兩個引腳(測其正、反向電阻值),若測出某對引腳為低阻值時,則黑表筆接的陽極A,而紅表筆接的是門極G,另外一個引腳即是陰極K。(2)判斷其好壞:用萬用表R×1kΩ檔測量BTG晶閘管各電極之間的正、反向電阻值。正常時,陽極A與陰極K之間的正、反向電阻均為無窮大;陽極A與門極G之間的正向電阻值(指黑表筆接A極時)為幾百歐姆至幾千歐姆,反向電阻值為無窮大。若測得某兩極之間的正、反向電阻值均很小,則說明該晶閘管已短路損壞。(3)觸發(fā)能力檢測:將萬用表置于R×1Ω檔,黑表筆接陽極A,紅表筆接陰極K,測得阻值應為無窮大。然后用手指觸摸門極G,給其加一個人體感應信號,若此時A、K極之間的電阻值由無窮大變?yōu)榈妥柚?數(shù)歐姆),則說明晶閘管的觸發(fā)能力良好。否則說明此晶閘管的性能不良??煽毓枰粋€關鍵用途在于做為無觸點開關。
5.光控晶閘管檢測用萬用表檢測小功率光控晶閘管時,可將萬用表置于R×1檔,在黑表筆上串接1~3節(jié)1.5V干電池,測量兩引腳之間的正、反向電阻值,正常時均應為無窮大。然后再用小手電筒或激光筆照射光控晶閘管的受光窗口,此時應能測出一個較小的正向電阻值,但反向電阻值仍為無窮大。在較小電阻值的一次測量中,黑表筆接的是陽極A,紅表筆接的是陰極K。也可用圖lO中電路對光控晶閘管進行測量。接通電源開關S,用手電筒照射晶閘管VT的受光窗口。為其加上觸發(fā)光源(大功率光控晶閘管自帶光源,只要將其光纜中的發(fā)光二極管或半導體激光器加上工作電壓即可,不用外加光源)后,指示燈EL應點亮,撤離光源后指示燈EL應維持發(fā)光。若接通電源開關S后(尚未加光源),指示燈FL即點亮,則說明被測晶閘管已擊穿短路。若接通電源開關、并加上觸發(fā)光源后,指示燈EL仍不亮,在被測晶閘管電極連接正確的情況下,則是該晶閘管內部損壞。若加上觸發(fā)光源后,指示燈發(fā)光,但取消光源后指示燈即熄滅,則說明該晶閘管觸發(fā)性能不良。(1)判別各電極:根據BTG晶閘管的內部結構可知,其陽極A、陰極K之間和門極G、陰極K之間均包含有多個正、反向串聯(lián)的PN結,而陽極A與門極G之問卻只有一個PN結。因此。嚴格控制貯存時間ts并恰當調整整機電路,就可以降低對hFE參數(shù)的依賴程度。蘇州旋轉可控硅
業(yè)界推出的節(jié)能燈和電子鎮(zhèn)流器**三極管都十分注重對貯存時間的控制。蘇州旋轉可控硅
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