當T1與T2之間接通電源后，給G極正向觸發(fā)信號（相對于T1、T2所接電源負極而言），其工作原理如前面單向可控硅完全相同。當G極接負觸發(fā)信號時，其工作過原理如圖4所示，此時Q3的基極B和發(fā)射極E處于正偏電壓而致使Q3導通，繼而Q1導通給電容C充電后致Q2導通并保持導通狀態(tài)。雙向可控硅的英文簡稱TRIC是英文TriadACsemiconductorswitch的縮寫，其意思是三端交流半導體開關，目前主要用于對交流電源的控制，主要特點表現(xiàn)在能在四個象限來使可控硅觸發(fā)導通和保持導通，直到所接電源撤出或反向[6][7]。***象限是T2接電源V的正極T1接電源V的負極，G觸發(fā)信號Vg的正。第二象限是T2接電源V的正極T1接電源V的負極，G觸發(fā)信號Vg的負。第三、四象限是T1接電源V的正極T2接電源V的負極，G觸發(fā)信號分別接Vg的正、負極。2類雙向可控硅電路設計在理解了前面所述雙向可控硅的內部結構和工作原理之后，依據(jù)其內部結構采用我們熟悉的晶體管來設計一種類似有雙向可控硅工作的雙向可觸發(fā)電路。如圖5所示，電路采用用7個三極管和幾個電阻組成。把圖5電路中PN結的結構按圖6所示結構圖描出，與圖3-a、b比較很是相似。在圖5所示電路中，內部電流在外界所接電源的極性不同而有兩種流向。在雙變換UPS中，此裝置既為逆變器供電，又給蓄電池充電，故稱為整流器/充電機。晶閘管可控硅銷售

    從而通過該電路來達到深入解析可控硅和設計實際運用電路的目的。1雙向可控硅工作原理與特點從理論上來講，雙向可控硅可以說是有兩個反向并列的單向可控硅組成，理解單向可控硅的工作原理是理解雙向可控硅工作原理的基礎[2-5]。單向可控硅也叫晶閘管，其組成結構圖如圖1-a所示，可以分割成四個硅區(qū)P、N、P、N和A、K、G三個接線極。把圖一按圖1-b所示切成兩半，就很容易理解成如圖1-c所示由一個PNP三極管和一個NPN三極管為主組成一個單向可控硅管。在圖1-c的基礎上接通電源控制電路如圖2所示，當陽極-陰極（A-K）接上正向電壓V后，只要柵極G接通觸發(fā)電源Vg，三極管Q2就會正向導通，開通瞬間Q1只是類似于接在Q1集電極的一個負載與電源正極接通，隨后Q1也在Q2的拉電流下導通，此時由于C被充電，即便斷開G極的觸發(fā)電源Vg，Q1和Q2在相互作用下仍能維持導通狀態(tài)，只有當電源電壓V變得相當小之后Q1和Q2才會再次截止。相比于單向可控硅，雙向可控硅在原理上比較大的區(qū)別就是能雙向導通，不再有陽極陰極之分，取而代之以T1和T2，其結構示意圖如圖3-a所示，如果不考慮G級的不同，把它分割成圖3-b所示，可以看出相當于兩個單向可控硅反向并聯(lián)而成[1-2]，如圖3-c所示連接。靈敏可控硅銷售觸發(fā)板具有過流、缺相、相序、晶閘管過熱等多種保護功能。

    5.光控晶閘管檢測用萬用表檢測小功率光控晶閘管時，可將萬用表置于R×1檔，在黑表筆上串接1～3節(jié)1．5V干電池，測量兩引腳之間的正、反向電阻值，正常時均應為無窮大。然后再用小手電筒或激光筆照射光控晶閘管的受光窗口，此時應能測出一個較小的正向電阻值，但反向電阻值仍為無窮大。在較小電阻值的一次測量中，黑表筆接的是陽極A，紅表筆接的是陰極K。也可用圖lO中電路對光控晶閘管進行測量。接通電源開關S，用手電筒照射晶閘管VT的受光窗口。為其加上觸發(fā)光源(大功率光控晶閘管自帶光源，只要將其光纜中的發(fā)光二極管或半導體激光器加上工作電壓即可，不用外加光源)后，指示燈EL應點亮，撤離光源后指示燈EL應維持發(fā)光。若接通電源開關S后(尚未加光源)，指示燈FL即點亮，則說明被測晶閘管已擊穿短路。若接通電源開關、并加上觸發(fā)光源后，指示燈EL仍不亮，在被測晶閘管電極連接正確的情況下，則是該晶閘管內部損壞。若加上觸發(fā)光源后，指示燈發(fā)光，但取消光源后指示燈即熄滅，則說明該晶閘管觸發(fā)性能不良。(1)判別各電極：根據(jù)BTG晶閘管的內部結構可知，其陽極A、陰極K之間和門極G、陰極K之間均包含有多個正、反向串聯(lián)的PN結，而陽極A與門極G之問卻只有一個PN結。因此。

    正是由于它將電子管與功率晶體管之優(yōu)點集于一身，因此在電壓放大器（電壓放大倍數(shù)可達數(shù)千倍）、功率放大器、開關電源和逆變器中正獲得廣泛應用。VMOS場效應功率管具有極高的輸入阻抗及較大的線性放大區(qū)等優(yōu)點，尤其是其具有負的電流溫度系數(shù)，即在柵-源電壓不變的情況下，導通電流會隨管溫升高而減小，故不存在由于“二次擊穿”現(xiàn)象所引起的管子損壞現(xiàn)象。因此，VMOS管的并聯(lián)得到廣泛應用。眾所周知，傳統(tǒng)的MOS場效應管的柵極、源極和漏極**致處于同一水平面的芯片上，其工作電流基本上是沿水平方向流動。VMOS管則不同，從圖1上可以看出其兩大結構特點:***，金屬柵極采用V型槽結構；第二，具有垂直導電性。由于漏極是從芯片的背面引出，所以ID不是沿芯片水平流動，而是自重摻雜N+區(qū)（源極S）出發(fā)，經(jīng)過P溝道流入輕摻雜N-漂移區(qū)，***垂直向下到達漏極D。電流方向如圖中箭頭所示，因為流通截面積增大，所以能通過大電流。由于在柵極與芯片之間有二氧化硅絕緣層，因此它仍屬于絕緣柵型MOS場效應管。國內生產(chǎn)VMOS場效應管的主要廠家有877廠、天津半導體器件四廠、杭州電子管廠等，典型產(chǎn)品有VN401、VN672、VMPT2等。下面介紹檢測VMOS管的方法。除了為負載供電外，整流器/充電機應能在10倍于放電時間的時間內，將蓄電池的放電功率恢復到95%。

    由此可以觀察到表針有較大幅度的擺動。如果手捏柵極表針擺動較小，說明管的放大能力較差；表針擺動較大，表明管的放大能力大；若表針不動，說明管是壞的。根據(jù)上述方法，我們用萬用表的R×100檔，測結型場效應管3DJ2F。先將管的Ｇ極開路，測得漏源電阻RDS為600Ω，用手捏?。菢O后，表針向左擺動，指示的電阻RDS為12kΩ，表針擺動的幅度較大，說明該管是好的，并有較大的放大能力。運用這種方法時要說明幾點：首先，在測試場效應管用手捏住柵極時，萬用表針可能向右擺動（電阻值減?。部赡芟蜃髷[動（電阻值增加）。這是由于人體感應的交流電壓較高，而不同的場效應管用電阻檔測量時的工作點可能不同（或者工作在飽和區(qū)或者在不飽和區(qū)）所致，試驗表明，多數(shù)管的RDS增大，即表針向左擺動；少數(shù)管的RDS減小，使表針向右擺動。但無論表針擺動方向如何，只要表針擺動幅度較大，就說明管有較大的放大能力。第二，此方法對MOS場效應管也適用。但要注意，MOS場效應管的輸人電阻高，柵極Ｇ允許的感應電壓不應過高，所以不要直接用手去捏柵極，必須用于握螺絲刀的絕緣柄，用金屬桿去碰觸柵極，以防止人體感應電荷直接加到柵極，引起柵極擊穿。第三，每次測量完畢。 可控硅調整器能與國內外各種控制儀表、微機的輸出信號直接接口。可控硅訂做

半導體PN結在正向偏置時電流很大，反向偏置時電流很小。晶閘管可控硅銷售

    選用具有溫度補償特性的2CW234系列硅穩(wěn)壓管作為基準源，并選擇其穩(wěn)定電壓為6．4V。由特性較好的三端集成穩(wěn)壓器供電，限流電阻采用精密金屬膜電阻R（溫度系數(shù)約為±1×10－5／℃）。為了減小噪聲的影響，將穩(wěn)壓管封裝在盛油的小容器里，噪聲指標將會有明顯的改善。電壓取樣如圖2所示。分別將調整管的集－射極電壓經(jīng)電阻分壓，并將分壓后的射極電壓通過一電阻送入比較放大器反相端；在集電極電壓的取樣電路中串入一穩(wěn)壓管，由該管決定調整管壓降大小。此處選3．3V。并將集電極電壓減去穩(wěn)壓管穩(wěn)壓值后分壓送入比較放大器的同相端。為保證取樣精度，應使集－射極采樣電阻完全對稱，并選取溫度特性較好、同一型號的精密金屬膜電阻。比較放大器采用集成運放并接成負反饋。令R1＝R3，R2＝R4；設分壓系數(shù)n＝R2／（R1＋R2）；集成運算放大器輸出為Uo；放大系數(shù)為K；調整管集電極電壓為UC；調整管發(fā)射極電壓為UE；A點電壓為UA；B點電壓為UB；有：當調整管壓降增大，UcE上升，使Uo增大，即觸發(fā)器的控制電壓Ub增大，而集成觸發(fā)器KJ785是負極型的：控制電壓增大，導通角減小。因此，觸發(fā)脈沖后移，整流輸出減小?？煽毓枵鲹?**步的穩(wěn)壓工作。晶閘管可控硅銷售

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