晶體管m6和晶體管m7根據(jù)參考電壓vmax將開(kāi)關(guān)管mp1的柵極電壓保持在參考電壓vmax，此時(shí)開(kāi)關(guān)管mp1的柵源電壓為：vgs＝vmax-vy＝由上式可以看出，掉電保護(hù)電路302可在電源電壓掉電時(shí)將開(kāi)關(guān)管mp1的柵源電壓vgs保持在，小于開(kāi)關(guān)管mp1的導(dǎo)通閾值vtp(本實(shí)施例的pmos管的導(dǎo)通閾值vtp為)，因此當(dāng)電源電壓掉電時(shí)開(kāi)關(guān)管mp1可以一直處于截止?fàn)顟B(tài)，進(jìn)一步解決了電源電壓掉電時(shí)開(kāi)關(guān)管mp1的誤導(dǎo)通造成的信號(hào)泄露問(wèn)題。在上述實(shí)施例中以單通道的模擬開(kāi)關(guān)電路對(duì)本發(fā)明的掉電保護(hù)電路進(jìn)行了說(shuō)明。需要說(shuō)明的是，本發(fā)明實(shí)施例的掉電保護(hù)電路也適用于其他通道數(shù)量的模擬開(kāi)關(guān)電路，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以根據(jù)具體情況進(jìn)行適應(yīng)性修改。如圖4示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的另一種模擬開(kāi)關(guān)電路的電路示意圖，圖4中的模擬開(kāi)關(guān)電路400例如為單刀雙擲開(kāi)關(guān)，包括模擬開(kāi)關(guān)401、掉電保護(hù)電路402、驅(qū)動(dòng)電路403、模擬開(kāi)關(guān)404、以及驅(qū)動(dòng)電路405。模擬開(kāi)關(guān)401包括開(kāi)關(guān)管mp1和開(kāi)關(guān)管mn1，開(kāi)關(guān)管mp1為pmos管，開(kāi)關(guān)管mn1為nmos管。開(kāi)關(guān)管mp1和開(kāi)關(guān)管mn1并聯(lián)連接，二者的漏極彼此連接且都連接至信號(hào)輸入端a，二者的源極彼此連接且都連接至信號(hào)輸出端y，開(kāi)關(guān)管mp1的襯底與掉電保護(hù)電路402連接，開(kāi)關(guān)管mn1的襯底接地。上海金樽自動(dòng)化控制科技有限公司致力于提供 八路模擬開(kāi)關(guān)板，有想法可以來(lái)我司咨詢(xún)。上海單片機(jī)八路模擬開(kāi)關(guān)板生產(chǎn)廠家

    柵極與晶體管m2和晶體管m3的中間節(jié)點(diǎn)連接。其中，晶體管m1、晶體管m2和晶體管m4為pmos管，晶體管m3為nmos管。在現(xiàn)有技術(shù)的模擬開(kāi)關(guān)電路200中，當(dāng)電源電壓vcc發(fā)生掉電時(shí)，晶體管m1導(dǎo)通并將開(kāi)關(guān)管mp1的襯底連接到信號(hào)輸入端a，可以避免當(dāng)信號(hào)輸入端a有輸入信號(hào)時(shí)開(kāi)關(guān)管mp1的誤導(dǎo)通。但是模擬開(kāi)關(guān)電路200的開(kāi)關(guān)管mp1仍然具有誤導(dǎo)通的風(fēng)險(xiǎn)，例如當(dāng)信號(hào)輸出端y存在信號(hào)時(shí)仍然可以導(dǎo)通開(kāi)關(guān)管mp1的寄生二極管，形成從信號(hào)輸出端y至信號(hào)輸入端a的信號(hào)通路，從而產(chǎn)生信號(hào)泄露，尤其對(duì)于多通道的模擬開(kāi)關(guān)電路來(lái)說(shuō)這種信號(hào)泄露情況更加明顯。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：有鑒于此，本發(fā)明的目的在于提供一種模擬開(kāi)關(guān)電路，解決了電源電壓掉電時(shí)模擬開(kāi)關(guān)誤導(dǎo)通造成的信號(hào)泄露問(wèn)題。根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例，提供了一種模擬開(kāi)關(guān)電路，包括至少一個(gè)信號(hào)輸入端和信號(hào)輸出端，其中，所述模擬開(kāi)關(guān)電路還包括：至少一個(gè)模擬開(kāi)關(guān)，每個(gè)所述模擬開(kāi)關(guān)都包括連接于對(duì)應(yīng)的所述信號(hào)輸入端和信號(hào)輸出端之間的p型開(kāi)關(guān)管；至少一個(gè)驅(qū)動(dòng)電路，所述驅(qū)動(dòng)電路用于控制對(duì)應(yīng)的模擬開(kāi)關(guān)的p型開(kāi)關(guān)管的導(dǎo)通和關(guān)斷；以及掉電保護(hù)電路。上海單片機(jī)八路模擬開(kāi)關(guān)板修理上海金樽自動(dòng)化控制科技有限公司為您提供 八路模擬開(kāi)關(guān)板，歡迎您的來(lái)電！

    以有效性避免480MbpsUSB信號(hào)迅速升高/下滑沿引起的信號(hào)反射。由于單個(gè)USB端口用以充電器和數(shù)據(jù)功用，因此充電器檢測(cè)機(jī)能在當(dāng)前設(shè)計(jì)中已變得十分風(fēng)靡。傳統(tǒng)方式是將D+/D-線饋入內(nèi)部A/D轉(zhuǎn)換器，以確定D+/D-線是不是短路。如前所述，該方案的主要局限性在于基帶處理器的GPIO端口的高輸入電容會(huì)在數(shù)據(jù)線上增加額外的電容電抗。這種新的容抗將造成在高數(shù)據(jù)速率下有效性觸發(fā)信號(hào)。不好影響，屬于USB一致性測(cè)試（例如，對(duì)于USB信號(hào)為480Mbps）。當(dāng)然，該方式的另一個(gè)弱點(diǎn)是它也占用了系統(tǒng)A/D轉(zhuǎn)換器的資源。在這些應(yīng)用中，需兼具**內(nèi)部電容檢測(cè)電路的USB開(kāi)關(guān)來(lái)實(shí)現(xiàn)充電器隔離和全速USB控制器輸出電容器的隔離。同時(shí)，用以確定將哪個(gè)USB通道當(dāng)做輸出的USB通道選項(xiàng)引腳（圖2中的S引腳）須要辨別V和3V邏輯輸入（注意：基帶中的V和3V處理器的GPIO輸出十分***）。傳統(tǒng)的開(kāi)關(guān)選取引腳接納高達(dá)V的輸入“高”（Vih）電平（TTL邏輯），當(dāng)直接從電池組中得到開(kāi)關(guān)電源（VCC）時(shí)，會(huì)導(dǎo)致嚴(yán)重的泄漏電流。能夠鑒別V輸入邏輯電平的能力也掃除了對(duì)外部電平轉(zhuǎn)換裝置的需要，從而使單片機(jī)開(kāi)發(fā)設(shè)計(jì)人員能夠更進(jìn)一步減低材質(zhì)成本。例如，飛兆半導(dǎo)體的FSUSB45和其他IC兼具**導(dǎo)通電容（7pF）和小大小。

    響度控制、水位監(jiān)測(cè)用模擬開(kāi)關(guān)：TC4066東芝模擬開(kāi)關(guān)，雙向模擬開(kāi)關(guān)，四通道雙向模擬開(kāi)關(guān)類(lèi)型：家電描述：TC4066是東芝推出的一款四通道雙向模擬開(kāi)關(guān)，模擬開(kāi)關(guān)在電子裝置中主要起接通信號(hào)或斷開(kāi)信號(hào)的效用。由于模擬開(kāi)關(guān)具有功耗低、速度快、無(wú)機(jī)械觸點(diǎn)、體積小和采用壽命長(zhǎng)等特征，因而，在自動(dòng)控制系統(tǒng)和電腦中獲得了普遍應(yīng)用。每個(gè)通道由一個(gè)支配極和一個(gè)輸入一個(gè)輸出端組成，為了實(shí)現(xiàn)雙向?qū)?，機(jī)能部分有一個(gè)PMOS和一個(gè)NMOS并聯(lián)，門(mén)極信號(hào)分為兩路，一路直接驅(qū)動(dòng)NMOS，另一路經(jīng)反相器反相后驅(qū)動(dòng)PMOS，確保雙向?qū)āＰ吞?hào)TC4066電源電壓VDD控制輸入電壓VCIN開(kāi)啟電阻RON70Ω關(guān)閉電阻Roff>10^9Ω下圖展示了在一些自動(dòng)檢查水位的具體應(yīng)用，當(dāng)器皿里的水日益升高時(shí)，支配極端子依次被浸沒(méi)，則LED依次被導(dǎo)通開(kāi)展顯示水位，水滿后自動(dòng)斷開(kāi)水源，因此他可以運(yùn)用在洗衣機(jī)等領(lǐng)域自動(dòng)操縱水位。上海金樽自動(dòng)化控制科技有限公司為您提供 八路模擬開(kāi)關(guān)板，有想法的不要錯(cuò)過(guò)哦！

    電源端的電壓等于0v)信號(hào)輸出端y的電位大于信號(hào)輸入端a的電位為例，假設(shè)晶體管m1至m3的導(dǎo)通閾值為，晶體管m1至m3形成的二極管的正向?qū)妷簽?，晶體管mp1寄生二極管的正向?qū)妷簽椋藭r(shí)參考電壓vmax為：vmax＝max(va,vy,vcc)-vtn＝可以得到此時(shí)開(kāi)關(guān)管mp1的源極和襯底之間的電壓差為，小于寄生二極管的正向?qū)妷海虼碎_(kāi)關(guān)管mp1的寄生二極管保持在截止?fàn)顟B(tài)，有效的解決了電源電壓掉電時(shí)開(kāi)關(guān)管mp1的寄生二極管導(dǎo)通造成的信號(hào)泄露問(wèn)題。進(jìn)一步的，本實(shí)施例的掉電保護(hù)電路302還包括電壓上拉模塊321，電壓上拉模塊321與參考電壓vmax相連接，用于在電源電壓正常時(shí)將參考電壓vmax上拉至電源電壓vcc，保證模擬開(kāi)關(guān)電路300可以正常工作。作為一個(gè)非限制性的例子，電壓上拉模塊321包括晶體管m4、晶體管m5以及電阻r1，晶體管m4和m5分別選自pmos管。晶體管m4和電阻r1連接于晶體管m1至m3的源極與地之間，晶體管m4的柵極連接至電源端以接收電源電壓vcc。晶體管m5的源極連接至電源端以接收電源電壓vcc，晶體管m5的柵極連接至晶體管m4和電阻r1的中間節(jié)點(diǎn)，晶體管m5的漏極連接至參考電壓vmax。當(dāng)電源電壓正常時(shí)，參考電壓vmax＝vcc–vtn，晶體管m4關(guān)斷。上海金樽自動(dòng)化控制科技有限公司 八路模擬開(kāi)關(guān)板獲得眾多用戶的認(rèn)可。北京八路模擬開(kāi)關(guān)板應(yīng)用

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    導(dǎo)通電阻越發(fā)大，對(duì)于PMOS而言，S級(jí)的電壓越高，導(dǎo)通電阻愈加小。圖3導(dǎo)通電阻隨輸入信號(hào)電壓變化的曲線2）導(dǎo)通電阻的阻值與溫度有關(guān)：當(dāng)VDD和VSS固定不變時(shí)，隨著溫度的升高，導(dǎo)通電阻的曲線總體向上平移。圖4導(dǎo)通電阻隨溫度變動(dòng)的曲線3）導(dǎo)通電阻的平坦度：On-resistanceflatness圖5On-resistanceflatness在一定的輸入電壓范圍內(nèi)，導(dǎo)通電阻的最大值與最小值的差叫作導(dǎo)通電阻的平坦度，這個(gè)值越大，解釋導(dǎo)通電阻的變化大幅度越大。(3).影響在這里，我們通過(guò)一個(gè)仿真實(shí)例來(lái)觀察一下導(dǎo)通電阻及平坦度對(duì)于系統(tǒng)的影響，如圖6。為了更容易地觀察到影響，我們選取設(shè)立R1和R2為100Ω。圖6MUX36S08仿真電路圖7輸入及輸出波形從仿真的結(jié)果我們可以看出：1）輸出電壓并不是我們輸入電壓乘以放大百分比后的結(jié)果，這是因?yàn)橛袑?dǎo)通電阻的存在。2）輸出電壓隨輸入電壓的并不是線性聯(lián)系，這是因?yàn)镽on隨著Vin在轉(zhuǎn)變，會(huì)在輸出端引入非線性誤差。所以，Ron的平坦度越小，輸出的非線性誤差越小。2.漏電流Leakagecurrent(1).概念1)Sourceoff-leakagecurrent:在開(kāi)關(guān)斷開(kāi)時(shí)，從源極注入或流出的電流稱(chēng)做Is(off)，如圖8。2)Drainoff-leakagecurrent:在開(kāi)關(guān)斷開(kāi)時(shí)，從漏極注入或流出的電流稱(chēng)做Id。上海單片機(jī)八路模擬開(kāi)關(guān)板生產(chǎn)廠家