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四川智能八路模擬開關板報價

來源: 發(fā)布時間:2022-03-23

當某個開關斷開時電阻兩端阻值仍維持原阻值不變此處假設該電阻阻值RROFF(ROFF為模擬開關斷開時的電阻)四個開關的控制端由四位二進制數(shù)A、B、C、D控制因此在A、B、C、D端輸入不同的四位二進制數(shù)可控制電阻網(wǎng)絡的電阻變化并從其上得到2~16種不同的電阻值按圖8所給的電阻值該電阻網(wǎng)絡所對應的16種阻值列于表5中圖8數(shù)字控制電阻網(wǎng)絡電阻值尺寸的電路表5該電阻網(wǎng)絡所對應的16種阻值4.音量調(diào)節(jié)電路音量調(diào)節(jié)電路見圖9音頻信號由Vi端輸入經(jīng)分壓電阻R11和隔直電容加到由R1~R10組成的加/減電阻網(wǎng)絡CD40192為十進制加/減計數(shù)器“與非”門YF3、YF4構(gòu)成低頻振蕩器“與非”門YF1、YF2分別為加計數(shù)端CPU和減計數(shù)端CPD的計數(shù)閘門圖9音量調(diào)節(jié)電路當D1端為高電平時閘門YF1開通低頻脈沖經(jīng)YF1加到CD40192的CPU端使其作加法計數(shù)輸出端Q0~Q3數(shù)據(jù)增大使16路模擬開關的刀向低端轉(zhuǎn)換次序接通R1~R10接通的電阻增大經(jīng)與R11分壓后使輸出音頻信號Vo增大;當D2端為高電平時水閘YF2開通低頻脈沖經(jīng)YF2加到CD40192的CPD端使其作減法計數(shù)輸出端Q0~Q3數(shù)據(jù)減少使16路模擬開關的刀向**轉(zhuǎn)換次序接通R10~R1接通的電阻減少經(jīng)與R11分壓后使輸出音頻信號Vo減少1、采用單電源時,CD4051的VEE可以和GND相接。上海金樽自動化控制科技有限公司是一家專業(yè)提供 八路模擬開關板的公司,歡迎新老客戶來電!四川智能八路模擬開關板報價

在測試測量相關應用中,模擬開關和多路復用器具有十分普遍的應用,例如運放的增益調(diào)節(jié)、ADC分時搜集多路傳感器信號等等。雖然它的機能很簡單,但是依然有很多細節(jié),需大家在用到的過程中留意。所以,在這里為大家介紹一下模擬開關和多路復用器的根基參數(shù)。在開始介紹基石的參數(shù)之前,我們有必要介紹一下模擬開關和多路復用器的基本單元MOSFET開關的基本構(gòu)造。一.MOSFET開關的架構(gòu)MOSFET開關常見的架構(gòu)有3種,如圖1所示。1)NFET。2)NFET和PFET。3)含有電荷泵的NFET。三種架構(gòu)各有特色,詳實的介紹,可以參閱《TIPrecisionLabs-SwitchesandMultiplexers》培訓視頻和《SelectingtheRightTexasInstrumentsSignalSwitch》應用文檔。本文主要基于NFET和PFET架構(gòu)進行介紹和仿真,但是關乎到的定義在三種架構(gòu)中都是適用的。圖1MOSFET開關構(gòu)造另外,需留意的是,此處的MOSFET構(gòu)造,S和D是對稱的,所以在功用上是可以對調(diào)的,也因此,開關是雙向的,為了便于討論,我們統(tǒng)一把S極作為輸入。二.模擬開關和多路復用器直流參數(shù)介紹1.導通電阻OnResistance(1).概念圖2OnResistance概念(2).特征1)隨輸入信號電壓而變動:當芯片的供電電壓固定時,對于NMOS而言,S級的電壓越高。安徽雙電源八路模擬開關板廠家上海金樽自動化控制科技有限公司 八路模擬開關板值得用戶放心。

本發(fā)明屬于油壓控制領域,關乎一種多路轉(zhuǎn)輸開關。背景技術:繁復的油壓系統(tǒng)一般而言包括多個子系統(tǒng),在使用過程中不免出現(xiàn)“跑冒滴漏”的現(xiàn)象,從前在向每個子系統(tǒng)加注液體介質(zhì)時都是通過卸下加油口蓋直接展開重力式加注,這樣可能會致使液體介質(zhì)受到不同程度的污染,影響整個油壓系統(tǒng)的可靠性,再者經(jīng)常性的拆卸加油口蓋還可能會引致口蓋密封不嚴或損壞。技術實現(xiàn)元素:本發(fā)明的目的:提供一種多路液體介質(zhì)轉(zhuǎn)輸開關,實現(xiàn)液體介質(zhì)進口和液體介質(zhì)的不同出口相通,實現(xiàn)液體介質(zhì)從一個分系統(tǒng)向多個不同的分系統(tǒng)開展液體介質(zhì)轉(zhuǎn)輸?shù)墓τ?。本發(fā)明的技術方案:***方面,提供了一種多路轉(zhuǎn)輸開關,包括:殼體、輸入口、n個輸出口、活門組件、操縱桿和圓盤,其中,n為大于1的正整數(shù),輸入口設立在殼體下方,n個輸出口分別設立在殼體的四周且在程度方向上間距***預定視角分布,活門組件設立在殼體中,操縱桿和圓盤與活門組件連結(jié)??蛇x地,n個輸出口包括***輸出口、第二輸出口、第三輸出口、第四輸出口。可選地,活門組件包括錐活門和球活門,錐活門和球活門通過能軸向運動的***銷子連通,可選地,操縱桿與活門組件聯(lián)接,實際包括:操縱桿通過第二銷子與錐活門聯(lián)接??蛇x地。

off),如圖83)On-leakagecurrent:當開關閉合時,從漏極注入或流出的電流叫作Id(on),如圖8。圖8漏電流概念(2).特色漏電流隨溫度變化劇烈。圖9漏電流隨溫度變動的曲線(3).影響在很多數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)中,接入MUX前的傳感器有或許是高阻抗的傳感器。這時,漏電流的影響就會凸顯出來。例如,在圖10的仿真中,輸入源有1MΩ的源阻抗,我們對這個電阻展開直流參數(shù)掃描,觀察它從1MΩ轉(zhuǎn)變至10MΩ時,對輸出電壓的影響,結(jié)果可以見到,漏電流通過傳感器的內(nèi)阻會給輸出電壓帶來一個直流誤差。所以,在為高輸出阻抗的傳感器選項MUX時,要盡量挑選低漏電流的芯片。圖10漏電流仿真電路圖11漏電流仿真結(jié)果三.模擬開關和多路復用器動態(tài)參數(shù)介紹1.導通電容OnCapacitance(1).概念CS和CD**了開關在斷開時的源極和漏極電容。當開關導通時,CON相等源極的電容和漏極的電容之和,如圖12。圖12OnCapacitance(2).影響圖13MUX36S08示例當MUX在不同通道之間切換時,CD也會隨著通道的切換被充電或者放電。例如,當S1閉合時,CD會被充電至V1。那么此時CD上的電荷QD1:當MUX從S1切換至S2時,CD會被充電至V2。那么此時CD上的電荷QD2:那么兩次CD上的電荷差就需V2來提供,所以這時候。八路模擬開關板,就選上海金樽自動化控制科技有限公司,用戶的信賴之選,有需求可以來電咨詢!

輸入信號從信號輸入端b傳輸至信號輸出端y。傳統(tǒng)的模擬開關電路100在電源電壓掉電時可能具有信號泄露的風險。以模擬開關101為例,開關管mp1的源極和襯底之間以及漏極和襯底之間都存在寄生二極管,如果電源電壓掉電時信號輸入端a的輸入信號的電壓大于寄生二極管的正向?qū)妷簳r,開關管mp1的寄生二極管將正向?qū)?,形成信號輸入端a到電源電壓vcc的漏電流。如果電源電壓掉電時該輸入信號的電壓大于開關管mp1的導通閾值,此時開關管mp1的柵源電壓大于晶體管的導通閾值,開關管mp1將導通,形成信號輸入端a到信號輸出端y之間的通路,造成信號的泄露。圖2示出根據(jù)現(xiàn)有技術的一種模擬開關電路的電路示意圖。如圖2所示,模擬開關電路200包括模擬開關201和掉電保護電路202。掉電保護電路202包括晶體管m1至m4以及電阻r1和電阻r2。晶體管m1的漏極與開關管mp1的襯底連接,源極與電阻r1連接,電阻r1的另一端連接至信號輸入端a。晶體管m1的柵極與電阻r2的一端連接,電阻r2的另一端連接至電源電壓vcc。晶體管m2和晶體管m3依次串聯(lián)連接在晶體管m1和電阻r1的中間節(jié)點與地之間。晶體管m4的漏極與開關管mp1的襯底連接,源極與晶體管m1和電阻r2的中間節(jié)點連接。八路模擬開關板,就選上海金樽自動化控制科技有限公司,讓您滿意,歡迎您的來電哦!山東智能八路模擬開關板應用

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MUX輸出就會需一定的時間來平穩(wěn)。對于一個N-bit的ADC:K實際上是**RC電路中,電壓抵達目標誤差以內(nèi)時所需的時間常數(shù)的數(shù)目,例如10-bitaccuracy(LSB%FS=),K=-ln()=。接下來用一個仿真來說明這種現(xiàn)象:為了更明顯地觀察到這種現(xiàn)象,在Vout端加入一個電容C1,可以明白為增加了CD,也可以明白為負載電容和CD的并聯(lián)。圖14OnCapacitance對輸出影響的仿真示例電路當C1=50pF時,整個回路的時間常數(shù)較大,需更長時間平穩(wěn),所以在開關導通20uS之后,輸出電壓依然并未平穩(wěn)到信號源的電壓。圖15C1=50pF仿真結(jié)果當C1=10pF時,整個回路的時間常數(shù)較小,需較短時間安定,所以在開關導通20uS之內(nèi),輸出電壓平穩(wěn)到了信號源的電壓。圖16C1=10pF仿真結(jié)果2.流入電荷ChargeInjection(1).概念流入電荷指的是從控制端EN耦合至輸出端的電荷。(2).影響因為在開關導通的通道上,缺失損耗這部分電荷的通道,所以當這部分電荷注入漏極電容和輸出電容上時,會在輸出產(chǎn)生一個電壓誤差。圖17ChargeInjection過程示意圖過程如下:當在EN端有一個階躍信號時,這個階躍電壓會通過柵極和漏極之間的寄生電容CGD,耦合至輸出端,輸出電壓的改變?nèi)Q流入電荷QINJ,CD和CL。所以,當流入的電荷越小時。四川智能八路模擬開關板報價