1、用到單電源時，CD4051的VEE可以和GND相接。2、強(qiáng)烈提議A，B，C三路片選端要加上拉電阻。3、CD4051的公共輸出端不必加濾波電容（并聯(lián)到地），否則不同通道變換后的電壓經(jīng)電容沖放電后會引起巨大的誤差。4、明令禁止輸出端（INH）為高電平時，所有輸出切斷，所以在運(yùn)用時此端接地。作音頻信號切換時，比較好在輸入輸出端串入隔直電容。運(yùn)用CD4051模擬開關(guān)芯片實(shí)現(xiàn)IO口擴(kuò)展1、CD4051介紹詳實(shí)信息參考：TICD4051Datasheet可將其了解為單刀8擲開關(guān)，法則如圖：CD4051模擬開關(guān)芯片實(shí)現(xiàn)IO口擴(kuò)展用三個IO控制A，B，C地址腳，可實(shí)現(xiàn)3腳與0-7這8個腳的連接。真值表如圖：CD4051模擬開關(guān)芯片實(shí)現(xiàn)IO口擴(kuò)展2、典型應(yīng)用原理圖CD4051模擬開關(guān)芯片實(shí)現(xiàn)IO口擴(kuò)展通過這種方法開展電路連接，可實(shí)現(xiàn)4個IO口擴(kuò)充為8個，實(shí)現(xiàn)輸入輸出功用。不過它們之間不能同時工作，只能切換著工作。0次關(guān)鍵詞：模擬開關(guān)中國，2019年10月15日——意法半導(dǎo)體64通道高壓模擬開關(guān)芯片的集成度達(dá)到空前的程度，適用于先進(jìn)的超聲系統(tǒng)、超聲探頭、壓電驅(qū)動器、自動化測試裝置、工業(yè)自動化和工業(yè)制造過程控制系統(tǒng)。STHV64SW集成邏輯控制信號移位寄存器、自偏置高壓MOSFET柵極驅(qū)動器和輸出峰流±3A的N溝道MOSFET開關(guān)。上海金樽自動化控制科技有限公司為您提供 八路模擬開關(guān)板，有想法的不要錯過哦！湖北智能八路模擬開關(guān)板價格咨詢

這些開關(guān)管的響應(yīng)速度快，開通時間μs;低靜態(tài)電流節(jié)約關(guān)閉狀況功耗。低導(dǎo)通電阻和低失真以及低串?dāng)_保證信號完整性上佳。內(nèi)部過熱關(guān)斷和欠壓鎖保護(hù)(UVLO)機(jī)能保證開關(guān)安全工作。這款先進(jìn)產(chǎn)品使用意法半導(dǎo)體專有的BCD6s-SOI(絕緣體上硅)和BCD8sSOI制造工藝，在同一芯片上集成精細(xì)模擬電路(雙極晶體管)、低壓CMOS邏輯電路和穩(wěn)健精確的DMOS功率級。STHV64SW可以采用高達(dá)-100V/+100V、0V/200V或-200V/0V的各種高壓電源組合。目前已有創(chuàng)新的高科技裝置使用STHV64SW，例如，工業(yè)無損檢測(NDT)超聲波探傷儀和經(jīng)濟(jì)便攜的醫(yī)學(xué)超聲回波影像診斷裝置，其中后者正在提高邊遠(yuǎn)小村地區(qū)的產(chǎn)前保健水準(zhǔn)。與不久前推出的配套產(chǎn)品STHV160016通道脈沖發(fā)生器芯片一樣，這款高集成度的64通道模擬開關(guān)芯片同樣使用了連貫的FCBGA封裝，讓系統(tǒng)制造商能夠提高通道密度，實(shí)現(xiàn)杰出的超聲圖像分辨率，而占用很小的電路板空間。STHV64SW業(yè)已上市，使用BGA-196封裝。STEVAL-IME015V1評估板也已上市。、74HCT4053是一款三路二選一模擬開關(guān)電路，它的優(yōu)點(diǎn)是能夠通過交流信號，筆者一般用它切換不同的音頻通道或者直流控制電壓。如上圖，X0,X1,X為一組；Y0,Y1,Y為一組；Z0,Z1,Z為一組；這三組信號分別受A,B。江蘇單八路模擬開關(guān)板成本價八路模擬開關(guān)板，就選上海金樽自動化控制科技有限公司，用戶的信賴之選，有想法可以來我司咨詢！

在測試測量相關(guān)應(yīng)用中，模擬開關(guān)和多路復(fù)用器具有十分普遍的應(yīng)用，例如運(yùn)放的增益調(diào)節(jié)、ADC分時搜集多路傳感器信號等等。雖然它的機(jī)能很簡單，但是依然有很多細(xì)節(jié)，需大家在用到的過程中留意。所以，在這里為大家介紹一下模擬開關(guān)和多路復(fù)用器的根基參數(shù)。在開始介紹基石的參數(shù)之前，我們有必要介紹一下模擬開關(guān)和多路復(fù)用器的基本單元MOSFET開關(guān)的基本構(gòu)造。一.MOSFET開關(guān)的架構(gòu)MOSFET開關(guān)常見的架構(gòu)有3種，如圖1所示。1）NFET。2）NFET和PFET。3）含有電荷泵的NFET。三種架構(gòu)各有特色，詳實(shí)的介紹，可以參閱《TIPrecisionLabs-SwitchesandMultiplexers》培訓(xùn)視頻和《SelectingtheRightTexasInstrumentsSignalSwitch》應(yīng)用文檔。本文主要基于NFET和PFET架構(gòu)進(jìn)行介紹和仿真，但是關(guān)乎到的定義在三種架構(gòu)中都是適用的。圖1MOSFET開關(guān)構(gòu)造另外，需留意的是，此處的MOSFET構(gòu)造，S和D是對稱的，所以在功用上是可以對調(diào)的，也因此，開關(guān)是雙向的，為了便于討論，我們統(tǒng)一把S極作為輸入。二.模擬開關(guān)和多路復(fù)用器直流參數(shù)介紹1.導(dǎo)通電阻OnResistance(1).概念圖2OnResistance概念(2).特征1）隨輸入信號電壓而變動：當(dāng)芯片的供電電壓固定時，對于NMOS而言，S級的電壓越高。

電源端的電壓等于0v)信號輸出端y的電位大于信號輸入端a的電位為例，假設(shè)晶體管m1至m3的導(dǎo)通閾值為，晶體管m1至m3形成的二極管的正向?qū)妷簽?，晶體管mp1寄生二極管的正向?qū)妷簽?，此時參考電壓vmax為：vmax＝max(va,vy,vcc)-vtn＝可以得到此時開關(guān)管mp1的源極和襯底之間的電壓差為，小于寄生二極管的正向?qū)妷海虼碎_關(guān)管mp1的寄生二極管保持在截止?fàn)顟B(tài)，有效的解決了電源電壓掉電時開關(guān)管mp1的寄生二極管導(dǎo)通造成的信號泄露問題。進(jìn)一步的，本實(shí)施例的掉電保護(hù)電路302還包括電壓上拉模塊321，電壓上拉模塊321與參考電壓vmax相連接，用于在電源電壓正常時將參考電壓vmax上拉至電源電壓vcc，保證模擬開關(guān)電路300可以正常工作。作為一個非限制性的例子，電壓上拉模塊321包括晶體管m4、晶體管m5以及電阻r1，晶體管m4和m5分別選自pmos管。晶體管m4和電阻r1連接于晶體管m1至m3的源極與地之間，晶體管m4的柵極連接至電源端以接收電源電壓vcc。晶體管m5的源極連接至電源端以接收電源電壓vcc，晶體管m5的柵極連接至晶體管m4和電阻r1的中間節(jié)點(diǎn)，晶體管m5的漏極連接至參考電壓vmax。當(dāng)電源電壓正常時，參考電壓vmax＝vcc–vtn，晶體管m4關(guān)斷。上海金樽自動化控制科技有限公司致力于提供 八路模擬開關(guān)板，竭誠為您服務(wù)。

導(dǎo)通電阻越發(fā)大，對于PMOS而言，S級的電壓越高，導(dǎo)通電阻愈加小。圖3導(dǎo)通電阻隨輸入信號電壓變化的曲線2）導(dǎo)通電阻的阻值與溫度有關(guān)：當(dāng)VDD和VSS固定不變時，隨著溫度的升高，導(dǎo)通電阻的曲線總體向上平移。圖4導(dǎo)通電阻隨溫度變動的曲線3）導(dǎo)通電阻的平坦度：On-resistanceflatness圖5On-resistanceflatness在一定的輸入電壓范圍內(nèi)，導(dǎo)通電阻的最大值與最小值的差叫作導(dǎo)通電阻的平坦度，這個值越大，解釋導(dǎo)通電阻的變化大幅度越大。(3).影響在這里，我們通過一個仿真實(shí)例來觀察一下導(dǎo)通電阻及平坦度對于系統(tǒng)的影響，如圖6。為了更容易地觀察到影響，我們選取設(shè)立R1和R2為100Ω。圖6MUX36S08仿真電路圖7輸入及輸出波形從仿真的結(jié)果我們可以看出：1）輸出電壓并不是我們輸入電壓乘以放大百分比后的結(jié)果，這是因?yàn)橛袑?dǎo)通電阻的存在。2）輸出電壓隨輸入電壓的并不是線性聯(lián)系，這是因?yàn)镽on隨著Vin在轉(zhuǎn)變，會在輸出端引入非線性誤差。所以，Ron的平坦度越小，輸出的非線性誤差越小。2.漏電流Leakagecurrent(1).概念1)Sourceoff-leakagecurrent:在開關(guān)斷開時，從源極注入或流出的電流稱做Is(off)，如圖8。2)Drainoff-leakagecurrent:在開關(guān)斷開時，從漏極注入或流出的電流稱做Id。八路模擬開關(guān)板，就選上海金樽自動化控制科技有限公司，用戶的信賴之選。江蘇單八路模擬開關(guān)板成本價

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容許音頻放大器和開關(guān)先加電，而主通道開關(guān)現(xiàn)在關(guān)閉。音頻輸出的共模電壓將從0升高到VCC/2。一段時間（參見10ms）后，耦合電容器的兩端均充電至等電位，然后開啟主通道，根本并未浪涌電流。因?yàn)榇藭r電容器的兩極之間的電壓差為0V。此開關(guān)十分適于通過單個USB連接器（D+/D針）與聽筒和USB數(shù)據(jù)線共享的手機(jī)和MP3/MP4播放器。低的總諧波失真（THD）對于音頻通道十分關(guān)鍵。另外，由于開關(guān)置于在交流耦合電容器之后，因此須要處置低THD時較大的反向信號擺幅。該開關(guān)的**關(guān)斷電容器容許通過裝置“有線”連通高速USB信號。較低的寄生電容也是Hi-Speed一致性測試的關(guān)鍵USB規(guī)格。隨著當(dāng)前市場趨向轉(zhuǎn)移到單個USB充電器/數(shù)據(jù)端口，特別應(yīng)用的USB開關(guān)已成為具充電器檢測機(jī)能的手機(jī)設(shè)計(jì)中的常用配置。圖2是此類交換機(jī)應(yīng)用程序的示例?；趦蓚€主要緣故，在此設(shè)計(jì)中需低導(dǎo)通電容開關(guān)。首先，由于基帶處理器和高速當(dāng)手機(jī)進(jìn)入高速模式時，USB控制器輸出在連接器側(cè)共享相同的D+/D-引腳USB模式（例如音樂下載或閃存功用），須要減低基帶/。全速控制器的輸出電容。D+/D-線上的任何附加電容都會毀損Hi-Speed的眼圖USB信號。其次，在高速USB模式下，須要切斷D+/D-線上的剩余走線。湖北智能八路模擬開關(guān)板價格咨詢