用于在電源電壓掉電時(shí)根據(jù)所述至少一個(gè)信號(hào)輸入端、所述信號(hào)輸出端以及電源端中電位更高者得到一參考電壓，并將所述參考電壓提供至所述至少一個(gè)驅(qū)動(dòng)電路的供電端和所述p型開(kāi)關(guān)管的襯底，其中，所述掉電保護(hù)電路包括多個(gè)***晶體管，所述多個(gè)***晶體管的漏極分別與所述至少一個(gè)信號(hào)輸入端、所述信號(hào)輸出端以及所述電源端連接，所述多個(gè)***晶體管的源極彼此連接以輸出所述參考電壓。推薦地，所述掉電保護(hù)電路還包括電壓上拉模塊，用于在所述電源電壓正常時(shí)將所述參考電壓上拉至電源電壓。推薦地，所述***晶體管的柵極、漏極和襯底彼此連接，以構(gòu)成二極管結(jié)構(gòu)。推薦地，所述參考電壓等于所述至少一個(gè)信號(hào)輸入端、所述信號(hào)輸出端以及所述電源端中電位更高者與所述***晶體管的導(dǎo)通閾值的電壓差。推薦地，所述電壓上拉模塊包括：連接于所述多個(gè)***晶體管的源極和地之間的第二晶體管和電阻，所述第二晶體管的柵極用于接收所述電源電壓；以及第三晶體管，源極用于接收所述電源電壓，柵極與所述第二晶體管和所述電阻的中間節(jié)點(diǎn)連接，漏極和襯底與所述p型開(kāi)關(guān)管的襯底以及所述驅(qū)動(dòng)電路的供電端連接。推薦地，每個(gè)所述驅(qū)動(dòng)電路都包括第四晶體管和第五晶體管。上海金樽自動(dòng)化控制科技有限公司為您提供 八路模擬開(kāi)關(guān)板，有想法可以來(lái)我司咨詢(xún)！江蘇編程八路模擬開(kāi)關(guān)板芯片型號(hào)

晶體管m5的柵極電壓被電阻r1下拉至地，晶體管m5導(dǎo)通，將參考電壓vmax上拉至電源電壓vcc，使得模擬開(kāi)關(guān)電路300可以正常工作。此外，本實(shí)施例的模擬開(kāi)關(guān)電路300還包括驅(qū)動(dòng)電路303，驅(qū)動(dòng)電路303與模擬開(kāi)關(guān)301相連接，用于根據(jù)控制信號(hào)cp1控制開(kāi)關(guān)管mp1的導(dǎo)通和關(guān)斷。在本實(shí)施例中，驅(qū)動(dòng)電路303例如通過(guò)緩沖器實(shí)現(xiàn)。緩沖器可隔離前端控制電路與開(kāi)關(guān)管mp1的柵極之間的較大的寄生電容，且可使得開(kāi)關(guān)管mp1具有較快的擺率驅(qū)動(dòng)，可以提高開(kāi)關(guān)管的響應(yīng)速度。在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述緩沖器可以為源跟隨器、cmos緩沖器或者其他合適的緩沖器。進(jìn)一步的，驅(qū)動(dòng)電路303包括晶體管m6和m7，晶體管m6選自pmos管，晶體管m7選自nmos管。晶體管m6的源極連接至掉電保護(hù)電路302，用于接收所述參考電壓vmax，晶體管m6的漏極與晶體管m7的漏極連接，晶體管m7的源極接地。晶體管m6和晶體管m7的柵極彼此連接且接收所述控制信號(hào)cp1，晶體管m6和晶體管m7的中間節(jié)點(diǎn)連接至開(kāi)關(guān)管mp1的柵極。掉電保護(hù)電路302還用于在電源端掉電時(shí)將參考電壓vmax提供至驅(qū)動(dòng)電路303的供電端，并在電源端正常工作時(shí)將電源電壓vcc提供至驅(qū)動(dòng)電路303的供電端。當(dāng)電源端掉電時(shí)。江蘇控制八路模擬開(kāi)關(guān)板價(jià)格咨詢(xún)上海金樽自動(dòng)化控制科技有限公司為您提供 八路模擬開(kāi)關(guān)板，歡迎您的來(lái)電哦！

輸入信號(hào)從信號(hào)輸入端b傳輸至信號(hào)輸出端y。傳統(tǒng)的模擬開(kāi)關(guān)電路100在電源電壓掉電時(shí)可能具有信號(hào)泄露的風(fēng)險(xiǎn)。以模擬開(kāi)關(guān)101為例，開(kāi)關(guān)管mp1的源極和襯底之間以及漏極和襯底之間都存在寄生二極管，如果電源電壓掉電時(shí)信號(hào)輸入端a的輸入信號(hào)的電壓大于寄生二極管的正向?qū)妷簳r(shí)，開(kāi)關(guān)管mp1的寄生二極管將正向?qū)?，形成信?hào)輸入端a到電源電壓vcc的漏電流。如果電源電壓掉電時(shí)該輸入信號(hào)的電壓大于開(kāi)關(guān)管mp1的導(dǎo)通閾值，此時(shí)開(kāi)關(guān)管mp1的柵源電壓大于晶體管的導(dǎo)通閾值，開(kāi)關(guān)管mp1將導(dǎo)通，形成信號(hào)輸入端a到信號(hào)輸出端y之間的通路，造成信號(hào)的泄露。圖2示出根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的一種模擬開(kāi)關(guān)電路的電路示意圖。如圖2所示，模擬開(kāi)關(guān)電路200包括模擬開(kāi)關(guān)201和掉電保護(hù)電路202。掉電保護(hù)電路202包括晶體管m1至m4以及電阻r1和電阻r2。晶體管m1的漏極與開(kāi)關(guān)管mp1的襯底連接，源極與電阻r1連接，電阻r1的另一端連接至信號(hào)輸入端a。晶體管m1的柵極與電阻r2的一端連接，電阻r2的另一端連接至電源電壓vcc。晶體管m2和晶體管m3依次串聯(lián)連接在晶體管m1和電阻r1的中間節(jié)點(diǎn)與地之間。晶體管m4的漏極與開(kāi)關(guān)管mp1的襯底連接，源極與晶體管m1和電阻r2的中間節(jié)點(diǎn)連接。

所述防落罩的兩側(cè)均設(shè)立有l(wèi)型限位塊，所述l型限位塊與***流通閥和第二流通閥均固定連接，所述開(kāi)關(guān)電磁閥閥體內(nèi)部的上方設(shè)立有靜鐵芯，所述靜鐵芯的兩側(cè)均設(shè)立有連接柱置放槽，所述連接柱放到槽的內(nèi)部設(shè)置有伸縮連接柱，所述伸縮連接柱的頂端設(shè)立有拉動(dòng)扣環(huán)，所述伸縮連接柱的下方設(shè)立有動(dòng)鐵芯，且動(dòng)鐵芯與伸縮連接柱固定連接，所述動(dòng)鐵芯的下端設(shè)立有活動(dòng)連接塊，所述活動(dòng)連接塊的兩端均設(shè)立有彈簧，所述彈簧的外部設(shè)置有線(xiàn)圈，所述活動(dòng)連接塊的下端設(shè)立有伸縮管，所述伸縮管的內(nèi)部設(shè)置有固定柱，且固定柱與活動(dòng)連接塊固定聯(lián)接，所述固定柱的外部設(shè)置有***堵氣塊，所述***堵氣塊的下方設(shè)立有***密封塊，所述***堵氣塊上方的兩側(cè)均設(shè)立有***堵氣限位塊，且***堵氣限位塊與***流通閥固定連接，所述***密封塊的下方設(shè)立有第二密封塊，所述第二密封塊的下方設(shè)立有第二堵氣塊，所述第二堵氣塊下方的兩側(cè)均設(shè)立有第二堵氣限位塊，且第二堵氣限位塊與第二流通閥固定聯(lián)接。推薦的，所述開(kāi)關(guān)電磁閥閥體上方的一側(cè)設(shè)立有接線(xiàn)盒，且接線(xiàn)盒與開(kāi)關(guān)電磁閥閥體固定連結(jié)。推薦的，所述接線(xiàn)盒的一端設(shè)立有盒蓋放到槽，所述盒蓋置于槽的內(nèi)部設(shè)置有接線(xiàn)盒盒蓋。上海金樽自動(dòng)化控制科技有限公司是一家專(zhuān)業(yè)提供 八路模擬開(kāi)關(guān)板的公司，歡迎新老客戶(hù)來(lái)電！

在測(cè)試測(cè)量相關(guān)應(yīng)用中，模擬開(kāi)關(guān)和多路復(fù)用器具有十分普遍的應(yīng)用，例如運(yùn)放的增益調(diào)節(jié)、ADC分時(shí)搜集多路傳感器信號(hào)等等。雖然它的機(jī)能很簡(jiǎn)單，但是依然有很多細(xì)節(jié)，需大家在用到的過(guò)程中留意。所以，在這里為大家介紹一下模擬開(kāi)關(guān)和多路復(fù)用器的根基參數(shù)。在開(kāi)始介紹基石的參數(shù)之前，我們有必要介紹一下模擬開(kāi)關(guān)和多路復(fù)用器的基本單元MOSFET開(kāi)關(guān)的基本構(gòu)造。一.MOSFET開(kāi)關(guān)的架構(gòu)MOSFET開(kāi)關(guān)常見(jiàn)的架構(gòu)有3種，如圖1所示。1）NFET。2）NFET和PFET。3）含有電荷泵的NFET。三種架構(gòu)各有特色，詳實(shí)的介紹，可以參閱《TIPrecisionLabs-SwitchesandMultiplexers》培訓(xùn)視頻和《SelectingtheRightTexasInstrumentsSignalSwitch》應(yīng)用文檔。本文主要基于NFET和PFET架構(gòu)進(jìn)行介紹和仿真，但是關(guān)乎到的定義在三種架構(gòu)中都是適用的。圖1MOSFET開(kāi)關(guān)構(gòu)造另外，需留意的是，此處的MOSFET構(gòu)造，S和D是對(duì)稱(chēng)的，所以在功用上是可以對(duì)調(diào)的，也因此，開(kāi)關(guān)是雙向的，為了便于討論，我們統(tǒng)一把S極作為輸入。二.模擬開(kāi)關(guān)和多路復(fù)用器直流參數(shù)介紹1.導(dǎo)通電阻OnResistance(1).概念圖2OnResistance概念(2).特征1）隨輸入信號(hào)電壓而變動(dòng)：當(dāng)芯片的供電電壓固定時(shí)，對(duì)于NMOS而言，S級(jí)的電壓越高。八路模擬開(kāi)關(guān)板，就選上海金樽自動(dòng)化控制科技有限公司，讓您滿(mǎn)意，歡迎您的來(lái)電哦！江蘇控制八路模擬開(kāi)關(guān)板價(jià)格咨詢(xún)

上海金樽自動(dòng)化控制科技有限公司致力于提供 八路模擬開(kāi)關(guān)板，有想法的不要錯(cuò)過(guò)哦！江蘇編程八路模擬開(kāi)關(guān)板芯片型號(hào)

例如部件的結(jié)構(gòu)、材料、尺寸、處理工藝和技術(shù)，以便更清楚地理解本發(fā)明。但正如本領(lǐng)域的技術(shù)人員能夠理解的那樣，可以不按照這些特定的細(xì)節(jié)來(lái)實(shí)現(xiàn)本發(fā)明。應(yīng)當(dāng)理解，在以下的描述中，“電路”可包括單個(gè)或多個(gè)組合的硬件電路、可編程電路、狀態(tài)機(jī)電路和/或能存儲(chǔ)由可編程電路執(zhí)行的指令的元件。當(dāng)稱(chēng)元件或電路“連接到”另一元件或稱(chēng)元件/電路“連接在”兩個(gè)節(jié)點(diǎn)之間時(shí)，它可以直接耦合或連接到另一元件或者可以存在中間元件，元件之間的連接可以是物理上的、邏輯上的、或者其結(jié)合。相反，當(dāng)稱(chēng)元件“直接耦合到”或“直接連接到”另一元件時(shí)，意味著兩者不存在中間元件。圖3示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的一種模擬開(kāi)關(guān)電路的電路示意圖。如圖3所示，模擬開(kāi)關(guān)電路300包括模擬開(kāi)關(guān)301和掉電保護(hù)電路302。模擬開(kāi)關(guān)301包括開(kāi)關(guān)管mp1和開(kāi)關(guān)管mn1，開(kāi)關(guān)管mp1為pmos管，開(kāi)關(guān)管mn1為nmos管。開(kāi)關(guān)管mp1和開(kāi)關(guān)管mn1并聯(lián)連接，二者的漏極彼此連接且都連接至信號(hào)輸入端a，二者的源極彼此連接且都連接至信號(hào)輸出端y，開(kāi)關(guān)管mp1的襯底與掉電保護(hù)電路302連接，開(kāi)關(guān)管mn1的襯底接地。掉電保護(hù)電路302用于在電源電壓掉電時(shí)根據(jù)信號(hào)輸入端a、信號(hào)輸出端y以及電源端的電位更高者得到一參考電壓vmax。江蘇編程八路模擬開(kāi)關(guān)板芯片型號(hào)