控制p型開關(guān)管的襯底電位，使得電源電壓掉電時(shí)p型開關(guān)管的寄生二極管不會(huì)導(dǎo)通。掉電保護(hù)電路還用于在電源電壓掉電時(shí)將該參考電壓提供至模擬開關(guān)電路的驅(qū)動(dòng)電路的供電端，控制p型開關(guān)管的柵極電位，保證電源電壓掉電時(shí)p型開關(guān)管不會(huì)誤導(dǎo)通，有效解決了電源電壓掉電時(shí)的信號(hào)泄露問題，電路結(jié)構(gòu)簡單實(shí)用，工作性能穩(wěn)定可靠，適用范圍***。進(jìn)一步的，本發(fā)明實(shí)施例的掉電保護(hù)電路還包括電壓上拉模塊，電壓上拉模塊可在電源電壓正常時(shí)將所述參考電壓上拉至電源電壓，保證模擬開關(guān)電路可正常工作。附圖說明通過以下參照附圖對(duì)本發(fā)明實(shí)施例的描述，本發(fā)明的上述以及其他目的、特征和優(yōu)點(diǎn)將更為清楚。圖1示出傳統(tǒng)的模擬開關(guān)電路的電路示意圖；圖2示出根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的一種模擬開關(guān)電路的電路示意圖；圖3示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的一種模擬開關(guān)電路的電路示意圖；圖4示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的另一種模擬開關(guān)電路的電路示意圖。具體實(shí)施方式以下將參照附圖更詳細(xì)地描述本發(fā)明。在各個(gè)附圖中，相同的元件采用類似的附圖標(biāo)記來表示。為了清楚起見，附圖中的各個(gè)部分沒有按比例繪制。此外，在圖中可能未示出某些公知的部分。在下文中描述了本發(fā)明的許多特定的細(xì)節(jié)。八路模擬開關(guān)板，就選上海金樽自動(dòng)化控制科技有限公司，讓您滿意，有想法可以來我司咨詢！江蘇雙電源八路模擬開關(guān)板應(yīng)用

MUX輸出就會(huì)需一定的時(shí)間來平穩(wěn)。對(duì)于一個(gè)N-bit的ADC：K實(shí)際上是**RC電路中，電壓抵達(dá)目標(biāo)誤差以內(nèi)時(shí)所需的時(shí)間常數(shù)的數(shù)目，例如10-bitaccuracy(LSB%FS=),K=-ln()=。接下來用一個(gè)仿真來說明這種現(xiàn)象：為了更明顯地觀察到這種現(xiàn)象，在Vout端加入一個(gè)電容C1，可以明白為增加了CD，也可以明白為負(fù)載電容和CD的并聯(lián)。圖14OnCapacitance對(duì)輸出影響的仿真示例電路當(dāng)C1=50pF時(shí)，整個(gè)回路的時(shí)間常數(shù)較大，需更長時(shí)間平穩(wěn)，所以在開關(guān)導(dǎo)通20uS之后，輸出電壓依然并未平穩(wěn)到信號(hào)源的電壓。圖15C1=50pF仿真結(jié)果當(dāng)C1=10pF時(shí)，整個(gè)回路的時(shí)間常數(shù)較小，需較短時(shí)間安定，所以在開關(guān)導(dǎo)通20uS之內(nèi)，輸出電壓平穩(wěn)到了信號(hào)源的電壓。圖16C1=10pF仿真結(jié)果2.流入電荷ChargeInjection(1).概念流入電荷指的是從控制端EN耦合至輸出端的電荷。(2).影響因?yàn)樵陂_關(guān)導(dǎo)通的通道上，缺失損耗這部分電荷的通道，所以當(dāng)這部分電荷注入漏極電容和輸出電容上時(shí)，會(huì)在輸出產(chǎn)生一個(gè)電壓誤差。圖17ChargeInjection過程示意圖過程如下：當(dāng)在EN端有一個(gè)階躍信號(hào)時(shí)，這個(gè)階躍電壓會(huì)通過柵極和漏極之間的寄生電容CGD，耦合至輸出端，輸出電壓的改變?nèi)Q流入電荷QINJ，CD和CL。所以，當(dāng)流入的電荷越小時(shí)。江蘇電路板八路模擬開關(guān)板系列上海金樽自動(dòng)化控制科技有限公司致力于提供 八路模擬開關(guān)板，期待您的光臨！

MUX輸出就會(huì)需一定的時(shí)間來平穩(wěn)。對(duì)于一個(gè)N-bit的ADC：K實(shí)際上是**RC電路中，電壓抵達(dá)目標(biāo)誤差以內(nèi)時(shí)所需的時(shí)間常數(shù)的數(shù)目，例如10-bitaccuracy(LSB%FS=),K=-ln()=。接下來用一個(gè)仿真來說明這種現(xiàn)象：為了更明顯地觀察到這種現(xiàn)象，在Vout端加入一個(gè)電容C1，可以了解為增加了CD，也可以了解為負(fù)載電容和CD的并聯(lián)。圖14OnCapacitance對(duì)輸出影響的仿真示例電路當(dāng)C1=50pF時(shí)，整個(gè)回路的時(shí)間常數(shù)較大，需更長時(shí)間安定，所以在開關(guān)導(dǎo)通20uS之后，輸出電壓依然從未安定到信號(hào)源的電壓。圖15C1=50pF仿真結(jié)果當(dāng)C1=10pF時(shí)，整個(gè)回路的時(shí)間常數(shù)較小，需較短時(shí)間平穩(wěn)，所以在開關(guān)導(dǎo)通20uS之內(nèi)，輸出電壓安定到了信號(hào)源的電壓。圖16C1=10pF仿真結(jié)果2.流入電荷ChargeInjection(1).概念流入電荷指的是從控制端EN耦合至輸出端的電荷。(2).影響因?yàn)樵陂_關(guān)導(dǎo)通的通道上，不夠損耗這部分電荷的通道，所以當(dāng)這部分電荷注入漏極電容和輸出電容上時(shí)，會(huì)在輸出產(chǎn)生一個(gè)電壓誤差。圖17ChargeInjection過程示意圖過程如下：當(dāng)在EN端有一個(gè)階躍信號(hào)時(shí)，這個(gè)階躍電壓會(huì)通過柵極和漏極之間的寄生電容CGD，耦合至輸出端，輸出電壓的改變?nèi)Q流入電荷QINJ，CD和CL。所以，當(dāng)流入的電荷越小時(shí)。

在測(cè)試測(cè)量相關(guān)應(yīng)用中，模擬開關(guān)和多路復(fù)用器具有十分普遍的應(yīng)用，例如運(yùn)放的增益調(diào)節(jié)、ADC分時(shí)收集多路傳感器信號(hào)等等。雖然它的機(jī)能很簡單，但是依然有很多細(xì)節(jié)，需大家在采用的過程中留意。所以，在這里為大家介紹一下模擬開關(guān)和多路復(fù)用器的基本參數(shù)。在開始介紹根基的參數(shù)之前，我們有必要介紹一下模擬開關(guān)和多路復(fù)用器的基本單元MOSFET開關(guān)的基本構(gòu)造。一.MOSFET開關(guān)的架構(gòu)MOSFET開關(guān)常見的架構(gòu)有3種，如圖1所示。1）NFET。2）NFET和PFET。3）隱含電荷泵的NFET。三種架構(gòu)各有特征，詳實(shí)的介紹，可以參看《TIPrecisionLabs-SwitchesandMultiplexers》培訓(xùn)視頻和《SelectingtheRightTexasInstrumentsSignalSwitch》應(yīng)用文檔。本文主要基于NFET和PFET架構(gòu)進(jìn)行介紹和仿真，但是關(guān)乎到的定義在三種架構(gòu)中都是適用的。圖1MOSFET開關(guān)構(gòu)造另外，需留意的是，此處的MOSFET構(gòu)造，S和D是對(duì)稱的，所以在功用上是可以交換的，也因此，開關(guān)是雙向的，為了便于討論，我們統(tǒng)一把S極作為輸入。二.模擬開關(guān)和多路復(fù)用器直流參數(shù)介紹1.導(dǎo)通電阻OnResistance(1).概念圖2OnResistance概念(2).特征1）隨輸入信號(hào)電壓而變動(dòng)：當(dāng)芯片的供電電壓固定時(shí)，對(duì)于NMOS而言，S級(jí)的電壓越高。上海金樽自動(dòng)化控制科技有限公司為您提供 八路模擬開關(guān)板，有想法的可以來電咨詢！

B)=Ω,VIS(A)=(B)/VIS(A)=?50dB(Figure5)MHzVDD=10V,RL=10kΩ,RIN=Ω,VCC=10VSquareWave,CL=50pF(Figure6)150mVp-pRL=Ω,CL=50pF,(Figure7)VOS(f)=?VOS()VDD=MHzVDD=10VVDD=15VCISSignalInputCapacitance信號(hào)輸入電容pFCOSSignalOutputCapacitance信號(hào)輸出電容VDD=10VpFCIOSFeedthroughCapacitance饋電容VC=0VpFCINControlInputCapacitance操縱輸入電容pF圖1CD4066是四雙向模擬開關(guān)驅(qū)動(dòng)繼電器應(yīng)用電路CD4066是四雙向模擬開關(guān)，集成塊SCR1～SCR4為控制端，用以操縱四雙向模擬開關(guān)的通斷。當(dāng)SCR1接高電平時(shí)，集成塊①、②腳導(dǎo)通，＋12V→K1→集成塊①、②腳→電源陰極使K1吸合；反之當(dāng)SCR1輸入低電平時(shí)，集成塊①、②腳開路，K1失電獲釋，SCR2～SCR4輸入高電平或低電平時(shí)狀況與SCR1相同。上海金樽自動(dòng)化控制科技有限公司致力于提供 八路模擬開關(guān)板，有需求可以來電咨詢！山東控制八路模擬開關(guān)板耐老化

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柵極與晶體管m2和晶體管m3的中間節(jié)點(diǎn)連接。其中，晶體管m1、晶體管m2和晶體管m4為pmos管，晶體管m3為nmos管。在現(xiàn)有技術(shù)的模擬開關(guān)電路200中，當(dāng)電源電壓vcc發(fā)生掉電時(shí)，晶體管m1導(dǎo)通并將開關(guān)管mp1的襯底連接到信號(hào)輸入端a，可以避免當(dāng)信號(hào)輸入端a有輸入信號(hào)時(shí)開關(guān)管mp1的誤導(dǎo)通。但是模擬開關(guān)電路200的開關(guān)管mp1仍然具有誤導(dǎo)通的風(fēng)險(xiǎn)，例如當(dāng)信號(hào)輸出端y存在信號(hào)時(shí)仍然可以導(dǎo)通開關(guān)管mp1的寄生二極管，形成從信號(hào)輸出端y至信號(hào)輸入端a的信號(hào)通路，從而產(chǎn)生信號(hào)泄露，尤其對(duì)于多通道的模擬開關(guān)電路來說這種信號(hào)泄露情況更加明顯。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：有鑒于此，本發(fā)明的目的在于提供一種模擬開關(guān)電路，解決了電源電壓掉電時(shí)模擬開關(guān)誤導(dǎo)通造成的信號(hào)泄露問題。根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例，提供了一種模擬開關(guān)電路，包括至少一個(gè)信號(hào)輸入端和信號(hào)輸出端，其中，所述模擬開關(guān)電路還包括：至少一個(gè)模擬開關(guān)，每個(gè)所述模擬開關(guān)都包括連接于對(duì)應(yīng)的所述信號(hào)輸入端和信號(hào)輸出端之間的p型開關(guān)管；至少一個(gè)驅(qū)動(dòng)電路，所述驅(qū)動(dòng)電路用于控制對(duì)應(yīng)的模擬開關(guān)的p型開關(guān)管的導(dǎo)通和關(guān)斷；以及掉電保護(hù)電路。江蘇雙電源八路模擬開關(guān)板應(yīng)用

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