導(dǎo)通電阻更為大，對于PMOS而言，S級的電壓越高，導(dǎo)通電阻越發(fā)小。圖3導(dǎo)通電阻隨輸入信號電壓變化的曲線2）導(dǎo)通電阻的阻值與溫度有關(guān)：當(dāng)VDD和VSS固定不變時(shí)，隨著溫度的升高，導(dǎo)通電阻的曲線總體向上平移。圖4導(dǎo)通電阻隨溫度轉(zhuǎn)變的曲線3）導(dǎo)通電阻的平坦度：On-resistanceflatness圖5On-resistanceflatness在一定的輸入電壓范圍內(nèi)，導(dǎo)通電阻的最大值與最小值的差稱之為導(dǎo)通電阻的平坦度，這個(gè)值越大，解釋導(dǎo)通電阻的變化大幅度越大。(3).影響在這里，我們通過一個(gè)仿真實(shí)例來觀察一下導(dǎo)通電阻及平坦度對于系統(tǒng)的影響，如圖6。為了更容易地觀察到影響，我們選項(xiàng)設(shè)立R1和R2為100Ω。圖6MUX36S08仿真電路圖7輸入及輸出波形從仿真的結(jié)果我們可以看出：1）輸出電壓并不是我們輸入電壓乘以放大百分比后的結(jié)果，這是因?yàn)橛袑?dǎo)通電阻的存在。2）輸出電壓隨輸入電壓的并不是線性聯(lián)系，這是因?yàn)镽on隨著Vin在變動，會在輸出端引入非線性誤差。所以，Ron的平坦度越小，輸出的非線性誤差越小。2.漏電流Leakagecurrent(1).概念1)Sourceoff-leakagecurrent:在開關(guān)斷開時(shí)，從源極注入或流出的電流叫作Is(off)，如圖8。2)Drainoff-leakagecurrent:在開關(guān)斷開時(shí)，從漏極注入或流出的電流稱作Id。上海金樽自動化控制科技有限公司是一家專業(yè)提供八路模擬開關(guān)板的公司，有想法的不要錯(cuò)過哦！浙江雙電源八路模擬開關(guān)板怎么用

導(dǎo)通電阻越發(fā)大，對于PMOS而言，S級的電壓越高，導(dǎo)通電阻愈加小。圖3導(dǎo)通電阻隨輸入信號電壓變化的曲線2）導(dǎo)通電阻的阻值與溫度有關(guān)：當(dāng)VDD和VSS固定不變時(shí)，隨著溫度的升高，導(dǎo)通電阻的曲線總體向上平移。圖4導(dǎo)通電阻隨溫度變動的曲線3）導(dǎo)通電阻的平坦度：On-resistanceflatness圖5On-resistanceflatness在一定的輸入電壓范圍內(nèi)，導(dǎo)通電阻的最大值與最小值的差叫作導(dǎo)通電阻的平坦度，這個(gè)值越大，解釋導(dǎo)通電阻的變化大幅度越大。(3).影響在這里，我們通過一個(gè)仿真實(shí)例來觀察一下導(dǎo)通電阻及平坦度對于系統(tǒng)的影響，如圖6。為了更容易地觀察到影響，我們選取設(shè)立R1和R2為100Ω。圖6MUX36S08仿真電路圖7輸入及輸出波形從仿真的結(jié)果我們可以看出：1）輸出電壓并不是我們輸入電壓乘以放大百分比后的結(jié)果，這是因?yàn)橛袑?dǎo)通電阻的存在。2）輸出電壓隨輸入電壓的并不是線性聯(lián)系，這是因?yàn)镽on隨著Vin在轉(zhuǎn)變，會在輸出端引入非線性誤差。所以，Ron的平坦度越小，輸出的非線性誤差越小。2.漏電流Leakagecurrent(1).概念1)Sourceoff-leakagecurrent:在開關(guān)斷開時(shí)，從源極注入或流出的電流稱做Is(off)，如圖8。2)Drainoff-leakagecurrent:在開關(guān)斷開時(shí)，從漏極注入或流出的電流稱做Id。重慶單片機(jī)八路模擬開關(guān)板現(xiàn)貨上海金樽自動化控制科技有限公司為您提供八路模擬開關(guān)板，歡迎您的來電哦！

對本發(fā)明推行例中的技術(shù)方案開展明了、完整地描述，顯然，所敘述的實(shí)施例**是本發(fā)明一部分實(shí)行例，而不是全部推行例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域平常技術(shù)人員在從未做出創(chuàng)造性勞動前提下所取得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明維護(hù)的范圍。該設(shè)備內(nèi)部有一個(gè)球活門和錐活門，其中球活門球面上有一徑向孔和軸向孔相通，形成一個(gè)通道；操縱桿與錐形活門以及錐形活門與球形活門之間通分別過銷子連接，當(dāng)按壓操縱桿，錐形活門向下運(yùn)動，液體介質(zhì)進(jìn)口被敞開；當(dāng)旋轉(zhuǎn)操縱桿，操縱桿帶動錐形活門和球形活門轉(zhuǎn)動，球活門球面上的徑向孔轉(zhuǎn)動到哪個(gè)液體介質(zhì)出口，液體介質(zhì)出口就和這個(gè)進(jìn)口相通。本發(fā)明關(guān)乎的一種四路液體介質(zhì)轉(zhuǎn)輸開關(guān)。當(dāng)根據(jù)具體工作需，通過旋轉(zhuǎn)和按壓操縱桿可以實(shí)現(xiàn)液體介質(zhì)進(jìn)口和液體介質(zhì)的不同出口相通。該發(fā)明可用于兼具多個(gè)分系統(tǒng)的油壓系統(tǒng)和燃油系統(tǒng)等領(lǐng)域，可以配合液壓泵、燃油泵等實(shí)現(xiàn)由一個(gè)分系統(tǒng)向多個(gè)分系統(tǒng)開展液體介質(zhì)轉(zhuǎn)輸?shù)男в茫?*優(yōu)化整個(gè)系統(tǒng)的構(gòu)造布置。本發(fā)明的一種多路轉(zhuǎn)輸開關(guān)，包括：殼體、輸入口、n個(gè)輸出口、活門組件、操縱桿和圓盤，其中，n為大于1的正整數(shù)，輸入口設(shè)立在殼體下方。

在測試測量相關(guān)應(yīng)用中，模擬開關(guān)和多路復(fù)用器具有十分普遍的應(yīng)用，例如運(yùn)放的增益調(diào)節(jié)、ADC分時(shí)收集多路傳感器信號等等。雖然它的機(jī)能很簡單，但是依然有很多細(xì)節(jié)，需大家在采用的過程中留意。所以，在這里為大家介紹一下模擬開關(guān)和多路復(fù)用器的基本參數(shù)。在開始介紹根基的參數(shù)之前，我們有必要介紹一下模擬開關(guān)和多路復(fù)用器的基本單元MOSFET開關(guān)的基本構(gòu)造。一.MOSFET開關(guān)的架構(gòu)MOSFET開關(guān)常見的架構(gòu)有3種，如圖1所示。1）NFET。2）NFET和PFET。3）隱含電荷泵的NFET。三種架構(gòu)各有特征，詳實(shí)的介紹，可以參看《TIPrecisionLabs-SwitchesandMultiplexers》培訓(xùn)視頻和《SelectingtheRightTexasInstrumentsSignalSwitch》應(yīng)用文檔。本文主要基于NFET和PFET架構(gòu)進(jìn)行介紹和仿真，但是關(guān)乎到的定義在三種架構(gòu)中都是適用的。圖1MOSFET開關(guān)構(gòu)造另外，需留意的是，此處的MOSFET構(gòu)造，S和D是對稱的，所以在功用上是可以交換的，也因此，開關(guān)是雙向的，為了便于討論，我們統(tǒng)一把S極作為輸入。二.模擬開關(guān)和多路復(fù)用器直流參數(shù)介紹1.導(dǎo)通電阻OnResistance(1).概念圖2OnResistance概念(2).特征1）隨輸入信號電壓而變動：當(dāng)芯片的供電電壓固定時(shí)，對于NMOS而言，S級的電壓越高。八路模擬開關(guān)板，就選上海金樽自動化控制科技有限公司，用戶的信賴之選，歡迎您的來電！

晶體管m6和晶體管m7根據(jù)參考電壓vmax將開關(guān)管mp1的柵極電壓保持在參考電壓vmax，此時(shí)開關(guān)管mp1的柵源電壓為：vgs＝vmax-vy＝由上式可以看出，掉電保護(hù)電路302可在電源電壓掉電時(shí)將開關(guān)管mp1的柵源電壓vgs保持在，小于開關(guān)管mp1的導(dǎo)通閾值vtp(本實(shí)施例的pmos管的導(dǎo)通閾值vtp為)，因此當(dāng)電源電壓掉電時(shí)開關(guān)管mp1可以一直處于截止?fàn)顟B(tài)，進(jìn)一步解決了電源電壓掉電時(shí)開關(guān)管mp1的誤導(dǎo)通造成的信號泄露問題。在上述實(shí)施例中以單通道的模擬開關(guān)電路對本發(fā)明的掉電保護(hù)電路進(jìn)行了說明。需要說明的是，本發(fā)明實(shí)施例的掉電保護(hù)電路也適用于其他通道數(shù)量的模擬開關(guān)電路，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以根據(jù)具體情況進(jìn)行適應(yīng)性修改。如圖4示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的另一種模擬開關(guān)電路的電路示意圖，圖4中的模擬開關(guān)電路400例如為單刀雙擲開關(guān)，包括模擬開關(guān)401、掉電保護(hù)電路402、驅(qū)動電路403、模擬開關(guān)404、以及驅(qū)動電路405。模擬開關(guān)401包括開關(guān)管mp1和開關(guān)管mn1，開關(guān)管mp1為pmos管，開關(guān)管mn1為nmos管。開關(guān)管mp1和開關(guān)管mn1并聯(lián)連接，二者的漏極彼此連接且都連接至信號輸入端a，二者的源極彼此連接且都連接至信號輸出端y，開關(guān)管mp1的襯底與掉電保護(hù)電路402連接，開關(guān)管mn1的襯底接地。上海金樽自動化控制科技有限公司八路模擬開關(guān)板服務(wù)值得放心。重慶單八路模擬開關(guān)板應(yīng)用

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模擬開關(guān)404包括開關(guān)管mp2和開關(guān)管mn2，開關(guān)管mp2為pmos管，開關(guān)管mn2為nmos管。開關(guān)管mp2和開關(guān)管mn2并聯(lián)連接，二者的漏極彼此連接且都連接至信號輸入端b，二者的源極彼此連接且都連接至信號輸出端y，開關(guān)管mp2的襯底與掉電保護(hù)電路402相連接，開關(guān)管mn2的襯底接地。驅(qū)動電路403包括晶體管m6和m7，晶體管m6選自pmos管，晶體管m7選自nmos管。晶體管m6的源極連接至掉電保護(hù)電路402，晶體管m6的漏極與晶體管m7的漏極連接，晶體管m7的源極接地。晶體管m6和晶體管m7的柵極彼此連接且接收所述控制信號cp1，晶體管m6和晶體管m7的中間節(jié)點(diǎn)連接至開關(guān)管mp1的柵極。驅(qū)動電路403用于根據(jù)控制信號cp1控制開關(guān)管mp1的導(dǎo)通和關(guān)斷。驅(qū)動電路405包括晶體管m9和m10，晶體管m9選自pmos管，晶體管m10選自nmos管。晶體管m9的源極連接至掉電保護(hù)電路402，晶體管m9的漏極與晶體管m10的漏極連接，晶體管m10的源極接地。晶體管m9和晶體管m10的柵極彼此連接且接收所述控制信號cp2，晶體管m9和晶體管m10的中間節(jié)點(diǎn)連接至開關(guān)管mp2的柵極。驅(qū)動電路405用于根據(jù)控制信號cp2控制開關(guān)管mp2的導(dǎo)通和關(guān)斷。浙江雙電源八路模擬開關(guān)板怎么用

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