輸入信號(hào)從信號(hào)輸入端b傳輸至信號(hào)輸出端y。傳統(tǒng)的模擬開(kāi)關(guān)電路100在電源電壓掉電時(shí)可能具有信號(hào)泄露的風(fēng)險(xiǎn)。以模擬開(kāi)關(guān)101為例，開(kāi)關(guān)管mp1的源極和襯底之間以及漏極和襯底之間都存在寄生二極管，如果電源電壓掉電時(shí)信號(hào)輸入端a的輸入信號(hào)的電壓大于寄生二極管的正向?qū)妷簳r(shí)，開(kāi)關(guān)管mp1的寄生二極管將正向?qū)?，形成信?hào)輸入端a到電源電壓vcc的漏電流。如果電源電壓掉電時(shí)該輸入信號(hào)的電壓大于開(kāi)關(guān)管mp1的導(dǎo)通閾值，此時(shí)開(kāi)關(guān)管mp1的柵源電壓大于晶體管的導(dǎo)通閾值，開(kāi)關(guān)管mp1將導(dǎo)通，形成信號(hào)輸入端a到信號(hào)輸出端y之間的通路，造成信號(hào)的泄露。圖2示出根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的一種模擬開(kāi)關(guān)電路的電路示意圖。如圖2所示，模擬開(kāi)關(guān)電路200包括模擬開(kāi)關(guān)201和掉電保護(hù)電路202。掉電保護(hù)電路202包括晶體管m1至m4以及電阻r1和電阻r2。晶體管m1的漏極與開(kāi)關(guān)管mp1的襯底連接，源極與電阻r1連接，電阻r1的另一端連接至信號(hào)輸入端a。晶體管m1的柵極與電阻r2的一端連接，電阻r2的另一端連接至電源電壓vcc。晶體管m2和晶體管m3依次串聯(lián)連接在晶體管m1和電阻r1的中間節(jié)點(diǎn)與地之間。晶體管m4的漏極與開(kāi)關(guān)管mp1的襯底連接，源極與晶體管m1和電阻r2的中間節(jié)點(diǎn)連接。上海金樽自動(dòng)化控制科技有限公司是一家專業(yè)提供八路模擬開(kāi)關(guān)板的公司。合肥智能八路模擬開(kāi)關(guān)板怎么用

    MUX輸出就會(huì)需一定的時(shí)間來(lái)平穩(wěn)。對(duì)于一個(gè)N-bit的ADC：K實(shí)際上是**RC電路中，電壓抵達(dá)目標(biāo)誤差以內(nèi)時(shí)所需的時(shí)間常數(shù)的數(shù)目，例如10-bitaccuracy(LSB%FS=),K=-ln()=。接下來(lái)用一個(gè)仿真來(lái)說(shuō)明這種現(xiàn)象：為了更明顯地觀察到這種現(xiàn)象，在Vout端加入一個(gè)電容C1，可以明白為增加了CD，也可以明白為負(fù)載電容和CD的并聯(lián)。圖14OnCapacitance對(duì)輸出影響的仿真示例電路當(dāng)C1=50pF時(shí)，整個(gè)回路的時(shí)間常數(shù)較大，需更長(zhǎng)時(shí)間平穩(wěn)，所以在開(kāi)關(guān)導(dǎo)通20uS之后，輸出電壓依然并未平穩(wěn)到信號(hào)源的電壓。圖15C1=50pF仿真結(jié)果當(dāng)C1=10pF時(shí)，整個(gè)回路的時(shí)間常數(shù)較小，需較短時(shí)間安定，所以在開(kāi)關(guān)導(dǎo)通20uS之內(nèi)，輸出電壓平穩(wěn)到了信號(hào)源的電壓。圖16C1=10pF仿真結(jié)果2.流入電荷ChargeInjection(1).概念流入電荷指的是從控制端EN耦合至輸出端的電荷。(2).影響因?yàn)樵陂_(kāi)關(guān)導(dǎo)通的通道上，缺失損耗這部分電荷的通道，所以當(dāng)這部分電荷注入漏極電容和輸出電容上時(shí)，會(huì)在輸出產(chǎn)生一個(gè)電壓誤差。圖17ChargeInjection過(guò)程示意圖過(guò)程如下：當(dāng)在EN端有一個(gè)階躍信號(hào)時(shí)，這個(gè)階躍電壓會(huì)通過(guò)柵極和漏極之間的寄生電容CGD，耦合至輸出端，輸出電壓的改變?nèi)Q流入電荷QINJ，CD和CL。所以，當(dāng)流入的電荷越小時(shí)。河南雙電源八路模擬開(kāi)關(guān)板批發(fā)價(jià)上海金樽自動(dòng)化控制科技有限公司是一家專業(yè)提供八路模擬開(kāi)關(guān)板的公司，歡迎您的來(lái)電！

    柵極與晶體管m2和晶體管m3的中間節(jié)點(diǎn)連接。其中，晶體管m1、晶體管m2和晶體管m4為pmos管，晶體管m3為nmos管。在現(xiàn)有技術(shù)的模擬開(kāi)關(guān)電路200中，當(dāng)電源電壓vcc發(fā)生掉電時(shí)，晶體管m1導(dǎo)通并將開(kāi)關(guān)管mp1的襯底連接到信號(hào)輸入端a，可以避免當(dāng)信號(hào)輸入端a有輸入信號(hào)時(shí)開(kāi)關(guān)管mp1的誤導(dǎo)通。但是模擬開(kāi)關(guān)電路200的開(kāi)關(guān)管mp1仍然具有誤導(dǎo)通的風(fēng)險(xiǎn)，例如當(dāng)信號(hào)輸出端y存在信號(hào)時(shí)仍然可以導(dǎo)通開(kāi)關(guān)管mp1的寄生二極管，形成從信號(hào)輸出端y至信號(hào)輸入端a的信號(hào)通路，從而產(chǎn)生信號(hào)泄露，尤其對(duì)于多通道的模擬開(kāi)關(guān)電路來(lái)說(shuō)這種信號(hào)泄露情況更加明顯。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：有鑒于此，本發(fā)明的目的在于提供一種模擬開(kāi)關(guān)電路，解決了電源電壓掉電時(shí)模擬開(kāi)關(guān)誤導(dǎo)通造成的信號(hào)泄露問(wèn)題。根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例，提供了一種模擬開(kāi)關(guān)電路，包括至少一個(gè)信號(hào)輸入端和信號(hào)輸出端，其中，所述模擬開(kāi)關(guān)電路還包括：至少一個(gè)模擬開(kāi)關(guān)，每個(gè)所述模擬開(kāi)關(guān)都包括連接于對(duì)應(yīng)的所述信號(hào)輸入端和信號(hào)輸出端之間的p型開(kāi)關(guān)管；至少一個(gè)驅(qū)動(dòng)電路，所述驅(qū)動(dòng)電路用于控制對(duì)應(yīng)的模擬開(kāi)關(guān)的p型開(kāi)關(guān)管的導(dǎo)通和關(guān)斷；以及掉電保護(hù)電路。

    容上的電壓可長(zhǎng)時(shí)間基本維持不變模擬開(kāi)關(guān)S1為電容提供充電回路當(dāng)S1導(dǎo)通時(shí)電源通過(guò)S1給電容充電電容上電壓不停增高使VT1導(dǎo)通電阻更為小使響度也愈來(lái)愈小模擬開(kāi)關(guān)S2為電容提供放電回路當(dāng)S2導(dǎo)通時(shí)電容通過(guò)S2放電電容上電壓不停下滑使響度越發(fā)大模擬開(kāi)關(guān)S3起開(kāi)機(jī)響度復(fù)位功用開(kāi)機(jī)時(shí)電源在S3控制端產(chǎn)生一短暫的正脈沖使S3導(dǎo)通由于與S3聯(lián)接的電阻較小故使電容迅速充到一定的電壓使起始響度處于較小的狀態(tài)F1～F6及其**元件構(gòu)成高低脈沖識(shí)別電路靜態(tài)時(shí)F1、F2輸入為高電平當(dāng)較長(zhǎng)時(shí)間按壓按鈕開(kāi)關(guān)AN時(shí)F4輸出變高經(jīng)100k電阻給μF電容充電當(dāng)充電電壓超過(guò)CMOS門(mén)轉(zhuǎn)換電壓時(shí)F5輸出由高變低F6輸出由低變高模擬開(kāi)關(guān)S2導(dǎo)通100μF電容放電音量變大與此同時(shí)F1輸出也變高也給電容充電但F1輸出的一次正跳變不足以使電容上電壓超過(guò)轉(zhuǎn)換電壓故F2輸出仍為高電平F3輸出低電平模擬開(kāi)關(guān)S1維持截止當(dāng)連續(xù)按動(dòng)按鈕開(kāi)關(guān)AN時(shí)F4輸出也不停轉(zhuǎn)變輸出為高時(shí)給電容充電而輸出變低時(shí)電容又迅速通過(guò)二極管VD3放電故電容上電壓總是達(dá)不到轉(zhuǎn)換電壓因此F6輸出始終為低而此時(shí)F1輸出連續(xù)優(yōu)劣轉(zhuǎn)變經(jīng)二極管整流不停給電容充電使μF電容上電壓迅速達(dá)到轉(zhuǎn)換電壓F2輸出變低F3輸出變高模擬開(kāi)關(guān)S1導(dǎo)通給電容充電音量變小由此運(yùn)用。上海金樽自動(dòng)化控制科技有限公司為您提供八路模擬開(kāi)關(guān)板，有需要可以聯(lián)系我司哦！

    BL1532替代BL1532是一款低功耗，雙端口，高速（480Mbps），雙–單刀雙擲（擲）模擬開(kāi)關(guān)具一個(gè)。BL1532與，需通過(guò)第三次諧波，引致信號(hào)的很小外緣和相位失真。優(yōu)于的渠道通道串?dāng)_也限度地減小干擾。先斷后合機(jī)能兩部分掃除信號(hào)中斷期間的開(kāi)關(guān)從預(yù)防開(kāi)關(guān)同時(shí)啟用。BL1532涵蓋應(yīng)用在VCC電源開(kāi)關(guān)上的I/O引腳特殊電路切斷電源（VCC=0），它容許裝置承受過(guò)電壓的條件。這個(gè)設(shè)備是為了縮減電流消耗，甚至當(dāng)操縱電壓的SEL引腳是低比電源電壓（VCC）。特點(diǎn)：寬電源電壓范圍：，低電容，Ω阻力低（典型值）在3V電壓VSW=，高帶寬（-3dB）：>>從未C和C=5pF550MHz720MHz，低功耗：1uA。靜電放電8kVHBM測(cè)試：通過(guò)過(guò)電壓耐受（OVT）所有USB端口到。TTL/CMOS兼容，先把開(kāi)關(guān)斷，溫度范圍：40到85℃℃，封裝×.應(yīng)用領(lǐng)域：手機(jī)，PDA，數(shù)碼相機(jī)，筆記本計(jì)算機(jī)，液晶顯示器，電視。 上海金樽自動(dòng)化控制科技有限公司致力于提供八路模擬開(kāi)關(guān)板，期待您的光臨！河南控制八路模擬開(kāi)關(guān)板報(bào)價(jià)

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    off)，如圖83)On-leakagecurrent:當(dāng)開(kāi)關(guān)閉合時(shí)，從漏極注入或流出的電流叫作Id(on)，如圖8。圖8漏電流概念(2).特色漏電流隨溫度變化劇烈。圖9漏電流隨溫度變動(dòng)的曲線(3).影響在很多數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)中，接入MUX前的傳感器有或許是高阻抗的傳感器。這時(shí)，漏電流的影響就會(huì)凸顯出來(lái)。例如，在圖10的仿真中，輸入源有1MΩ的源阻抗，我們對(duì)這個(gè)電阻展開(kāi)直流參數(shù)掃描，觀察它從1MΩ轉(zhuǎn)變至10MΩ時(shí)，對(duì)輸出電壓的影響，結(jié)果可以見(jiàn)到，漏電流通過(guò)傳感器的內(nèi)阻會(huì)給輸出電壓帶來(lái)一個(gè)直流誤差。所以，在為高輸出阻抗的傳感器選項(xiàng)MUX時(shí)，要盡量挑選低漏電流的芯片。圖10漏電流仿真電路圖11漏電流仿真結(jié)果三.模擬開(kāi)關(guān)和多路復(fù)用器動(dòng)態(tài)參數(shù)介紹1.導(dǎo)通電容OnCapacitance(1).概念CS和CD**了開(kāi)關(guān)在斷開(kāi)時(shí)的源極和漏極電容。當(dāng)開(kāi)關(guān)導(dǎo)通時(shí)，CON相等源極的電容和漏極的電容之和，如圖12。圖12OnCapacitance(2).影響圖13MUX36S08示例當(dāng)MUX在不同通道之間切換時(shí)，CD也會(huì)隨著通道的切換被充電或者放電。例如，當(dāng)S1閉合時(shí)，CD會(huì)被充電至V1。那么此時(shí)CD上的電荷QD1：當(dāng)MUX從S1切換至S2時(shí)，CD會(huì)被充電至V2。那么此時(shí)CD上的電荷QD2：那么兩次CD上的電荷差就需V2來(lái)提供，所以這時(shí)候。合肥智能八路模擬開(kāi)關(guān)板怎么用

上海金樽自動(dòng)化控制科技有限公司位于軍工路1436號(hào) 40棟 203，交通便利，環(huán)境優(yōu)美，是一家貿(mào)易型企業(yè)。金樽自是一家有限責(zé)任公司（自然）企業(yè)，一直“以人為本，服務(wù)于社會(huì)”的經(jīng)營(yíng)理念;“誠(chéng)守信譽(yù)，持續(xù)發(fā)展”的質(zhì)量方針。公司始終堅(jiān)持客戶需求優(yōu)先的原則，致力于提供高質(zhì)量的低溫試驗(yàn)箱，高低溫試驗(yàn)箱，**除濕機(jī)，溫度控制器。金樽自將以真誠(chéng)的服務(wù)、創(chuàng)新的理念、***的產(chǎn)品，為彼此贏得全新的未來(lái)！