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山東電路板八路模擬開(kāi)關(guān)板原理

來(lái)源: 發(fā)布時(shí)間:2021-09-17

    當(dāng)某個(gè)開(kāi)關(guān)斷開(kāi)時(shí)電阻兩端阻值仍維持原阻值不變此處假設(shè)該電阻阻值RROFF(ROFF為模擬開(kāi)關(guān)斷開(kāi)時(shí)的電阻)四個(gè)開(kāi)關(guān)的控制端由四位二進(jìn)制數(shù)A、B、C、D控制因此在A、B、C、D端輸入不同的四位二進(jìn)制數(shù)可控制電阻網(wǎng)絡(luò)的電阻變化并從其上得到2~16種不同的電阻值按圖8所給的電阻值該電阻網(wǎng)絡(luò)所對(duì)應(yīng)的16種阻值列于表5中圖8數(shù)字控制電阻網(wǎng)絡(luò)電阻值尺寸的電路表5該電阻網(wǎng)絡(luò)所對(duì)應(yīng)的16種阻值4.音量調(diào)節(jié)電路音量調(diào)節(jié)電路見(jiàn)圖9音頻信號(hào)由Vi端輸入經(jīng)分壓電阻R11和隔直電容加到由R1~R10組成的加/減電阻網(wǎng)絡(luò)CD40192為十進(jìn)制加/減計(jì)數(shù)器“與非”門YF3、YF4構(gòu)成低頻振蕩器“與非”門YF1、YF2分別為加計(jì)數(shù)端CPU和減計(jì)數(shù)端CPD的計(jì)數(shù)閘門圖9音量調(diào)節(jié)電路當(dāng)D1端為高電平時(shí)閘門YF1開(kāi)通低頻脈沖經(jīng)YF1加到CD40192的CPU端使其作加法計(jì)數(shù)輸出端Q0~Q3數(shù)據(jù)增大使16路模擬開(kāi)關(guān)的刀向低端轉(zhuǎn)換次序接通R1~R10接通的電阻增大經(jīng)與R11分壓后使輸出音頻信號(hào)Vo增大;當(dāng)D2端為高電平時(shí)水閘YF2開(kāi)通低頻脈沖經(jīng)YF2加到CD40192的CPD端使其作減法計(jì)數(shù)輸出端Q0~Q3數(shù)據(jù)減少使16路模擬開(kāi)關(guān)的刀向**轉(zhuǎn)換次序接通R10~R1接通的電阻減少經(jīng)與R11分壓后使輸出音頻信號(hào)Vo減少1、采用單電源時(shí),CD4051的VEE可以和GND相接。上海金樽自動(dòng)化控制科技有限公司是一家專業(yè)提供八路模擬開(kāi)關(guān)板的公司,歡迎您的來(lái)電哦!山東電路板八路模擬開(kāi)關(guān)板原理

    off),如圖83)On-leakagecurrent:當(dāng)開(kāi)關(guān)閉合時(shí),從漏極注入或流出的電流叫作Id(on),如圖8。圖8漏電流概念(2).特色漏電流隨溫度變化劇烈。圖9漏電流隨溫度變動(dòng)的曲線(3).影響在很多數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)中,接入MUX前的傳感器有或許是高阻抗的傳感器。這時(shí),漏電流的影響就會(huì)凸顯出來(lái)。例如,在圖10的仿真中,輸入源有1MΩ的源阻抗,我們對(duì)這個(gè)電阻展開(kāi)直流參數(shù)掃描,觀察它從1MΩ轉(zhuǎn)變至10MΩ時(shí),對(duì)輸出電壓的影響,結(jié)果可以見(jiàn)到,漏電流通過(guò)傳感器的內(nèi)阻會(huì)給輸出電壓帶來(lái)一個(gè)直流誤差。所以,在為高輸出阻抗的傳感器選項(xiàng)MUX時(shí),要盡量挑選低漏電流的芯片。圖10漏電流仿真電路圖11漏電流仿真結(jié)果三.模擬開(kāi)關(guān)和多路復(fù)用器動(dòng)態(tài)參數(shù)介紹1.導(dǎo)通電容OnCapacitance(1).概念CS和CD**了開(kāi)關(guān)在斷開(kāi)時(shí)的源極和漏極電容。當(dāng)開(kāi)關(guān)導(dǎo)通時(shí),CON相等源極的電容和漏極的電容之和,如圖12。圖12OnCapacitance(2).影響圖13MUX36S08示例當(dāng)MUX在不同通道之間切換時(shí),CD也會(huì)隨著通道的切換被充電或者放電。例如,當(dāng)S1閉合時(shí),CD會(huì)被充電至V1。那么此時(shí)CD上的電荷QD1:當(dāng)MUX從S1切換至S2時(shí),CD會(huì)被充電至V2。那么此時(shí)CD上的電荷QD2:那么兩次CD上的電荷差就需V2來(lái)提供,所以這時(shí)候。浙江控制八路模擬開(kāi)關(guān)板應(yīng)用介紹上海金樽自動(dòng)化控制科技有限公司是一家專業(yè)提供八路模擬開(kāi)關(guān)板的公司,有需求可以來(lái)電咨詢!

    B)=Ω,VIS(A)=(B)/VIS(A)=?50dB(Figure5)MHzVDD=10V,RL=10kΩ,RIN=Ω,VCC=10VSquareWave,CL=50pF(Figure6)150mVp-pRL=Ω,CL=50pF,(Figure7)VOS(f)=?VOS()VDD=MHzVDD=10VVDD=15VCISSignalInputCapacitance信號(hào)輸入電容pFCOSSignalOutputCapacitance信號(hào)輸出電容VDD=10VpFCIOSFeedthroughCapacitance饋電容VC=0VpFCINControlInputCapacitance操縱輸入電容pF圖1CD4066是四雙向模擬開(kāi)關(guān)驅(qū)動(dòng)繼電器應(yīng)用電路CD4066是四雙向模擬開(kāi)關(guān),集成塊SCR1~SCR4為控制端,用以操縱四雙向模擬開(kāi)關(guān)的通斷。當(dāng)SCR1接高電平時(shí),集成塊①、②腳導(dǎo)通,+12V→K1→集成塊①、②腳→電源陰極使K1吸合;反之當(dāng)SCR1輸入低電平時(shí),集成塊①、②腳開(kāi)路,K1失電獲釋,SCR2~SCR4輸入高電平或低電平時(shí)狀況與SCR1相同。

    容許音頻放大器和開(kāi)關(guān)先加電,而主通道開(kāi)關(guān)現(xiàn)在關(guān)閉。音頻輸出的共模電壓將從0升高到VCC/2。一段時(shí)間(參見(jiàn)10ms)后,耦合電容器的兩端均充電至等電位,然后開(kāi)啟主通道,根本并未浪涌電流。因?yàn)榇藭r(shí)電容器的兩極之間的電壓差為0V。此開(kāi)關(guān)十分適于通過(guò)單個(gè)USB連接器(D+/D針)與聽(tīng)筒和USB數(shù)據(jù)線共享的手機(jī)和MP3/MP4播放器。低的總諧波失真(THD)對(duì)于音頻通道十分關(guān)鍵。另外,由于開(kāi)關(guān)置于在交流耦合電容器之后,因此須要處置低THD時(shí)較大的反向信號(hào)擺幅。該開(kāi)關(guān)的**關(guān)斷電容器容許通過(guò)裝置“有線”連通高速USB信號(hào)。較低的寄生電容也是Hi-Speed一致性測(cè)試的關(guān)鍵USB規(guī)格。隨著當(dāng)前市場(chǎng)趨向轉(zhuǎn)移到單個(gè)USB充電器/數(shù)據(jù)端口,特別應(yīng)用的USB開(kāi)關(guān)已成為具充電器檢測(cè)機(jī)能的手機(jī)設(shè)計(jì)中的常用配置。圖2是此類交換機(jī)應(yīng)用程序的示例。基于兩個(gè)主要緣故,在此設(shè)計(jì)中需低導(dǎo)通電容開(kāi)關(guān)。首先,由于基帶處理器和高速當(dāng)手機(jī)進(jìn)入高速模式時(shí),USB控制器輸出在連接器側(cè)共享相同的D+/D-引腳USB模式(例如音樂(lè)下載或閃存功用),須要減低基帶/。全速控制器的輸出電容。D+/D-線上的任何附加電容都會(huì)毀損Hi-Speed的眼圖USB信號(hào)。其次,在高速USB模式下,須要切斷D+/D-線上的剩余走線。上海金樽自動(dòng)化控制科技有限公司致力于提供八路模擬開(kāi)關(guān)板,有想法的不要錯(cuò)過(guò)哦!

    MUX輸出就會(huì)需一定的時(shí)間來(lái)平穩(wěn)。對(duì)于一個(gè)N-bit的ADC:K實(shí)際上是**RC電路中,電壓抵達(dá)目標(biāo)誤差以內(nèi)時(shí)所需的時(shí)間常數(shù)的數(shù)目,例如10-bitaccuracy(LSB%FS=),K=-ln()=。接下來(lái)用一個(gè)仿真來(lái)說(shuō)明這種現(xiàn)象:為了更明顯地觀察到這種現(xiàn)象,在Vout端加入一個(gè)電容C1,可以明白為增加了CD,也可以明白為負(fù)載電容和CD的并聯(lián)。圖14OnCapacitance對(duì)輸出影響的仿真示例電路當(dāng)C1=50pF時(shí),整個(gè)回路的時(shí)間常數(shù)較大,需更長(zhǎng)時(shí)間平穩(wěn),所以在開(kāi)關(guān)導(dǎo)通20uS之后,輸出電壓依然并未平穩(wěn)到信號(hào)源的電壓。圖15C1=50pF仿真結(jié)果當(dāng)C1=10pF時(shí),整個(gè)回路的時(shí)間常數(shù)較小,需較短時(shí)間安定,所以在開(kāi)關(guān)導(dǎo)通20uS之內(nèi),輸出電壓平穩(wěn)到了信號(hào)源的電壓。圖16C1=10pF仿真結(jié)果2.流入電荷ChargeInjection(1).概念流入電荷指的是從控制端EN耦合至輸出端的電荷。(2).影響因?yàn)樵陂_(kāi)關(guān)導(dǎo)通的通道上,缺失損耗這部分電荷的通道,所以當(dāng)這部分電荷注入漏極電容和輸出電容上時(shí),會(huì)在輸出產(chǎn)生一個(gè)電壓誤差。圖17ChargeInjection過(guò)程示意圖過(guò)程如下:當(dāng)在EN端有一個(gè)階躍信號(hào)時(shí),這個(gè)階躍電壓會(huì)通過(guò)柵極和漏極之間的寄生電容CGD,耦合至輸出端,輸出電壓的改變?nèi)Q流入電荷QINJ,CD和CL。所以,當(dāng)流入的電荷越小時(shí)。上海金樽自動(dòng)化控制科技有限公司致力于提供八路模擬開(kāi)關(guān)板,有想法可以來(lái)我司咨詢。上海單八路模擬開(kāi)關(guān)板廠家

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    MUX輸出就會(huì)需一定的時(shí)間來(lái)平穩(wěn)。對(duì)于一個(gè)N-bit的ADC:K實(shí)際上是**RC電路中,電壓抵達(dá)目標(biāo)誤差以內(nèi)時(shí)所需的時(shí)間常數(shù)的數(shù)目,例如10-bitaccuracy(LSB%FS=),K=-ln()=。接下來(lái)用一個(gè)仿真來(lái)說(shuō)明這種現(xiàn)象:為了更明顯地觀察到這種現(xiàn)象,在Vout端加入一個(gè)電容C1,可以了解為增加了CD,也可以了解為負(fù)載電容和CD的并聯(lián)。圖14OnCapacitance對(duì)輸出影響的仿真示例電路當(dāng)C1=50pF時(shí),整個(gè)回路的時(shí)間常數(shù)較大,需更長(zhǎng)時(shí)間安定,所以在開(kāi)關(guān)導(dǎo)通20uS之后,輸出電壓依然從未安定到信號(hào)源的電壓。圖15C1=50pF仿真結(jié)果當(dāng)C1=10pF時(shí),整個(gè)回路的時(shí)間常數(shù)較小,需較短時(shí)間平穩(wěn),所以在開(kāi)關(guān)導(dǎo)通20uS之內(nèi),輸出電壓安定到了信號(hào)源的電壓。圖16C1=10pF仿真結(jié)果2.流入電荷ChargeInjection(1).概念流入電荷指的是從控制端EN耦合至輸出端的電荷。(2).影響因?yàn)樵陂_(kāi)關(guān)導(dǎo)通的通道上,不夠損耗這部分電荷的通道,所以當(dāng)這部分電荷注入漏極電容和輸出電容上時(shí),會(huì)在輸出產(chǎn)生一個(gè)電壓誤差。圖17ChargeInjection過(guò)程示意圖過(guò)程如下:當(dāng)在EN端有一個(gè)階躍信號(hào)時(shí),這個(gè)階躍電壓會(huì)通過(guò)柵極和漏極之間的寄生電容CGD,耦合至輸出端,輸出電壓的改變?nèi)Q流入電荷QINJ,CD和CL。所以,當(dāng)流入的電荷越小時(shí)。山東電路板八路模擬開(kāi)關(guān)板原理

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