在測試測量相關應用中，模擬開關和多路復用器具有十分普遍的應用，例如運放的增益調(diào)節(jié)、ADC分時搜集多路傳感器信號等等。雖然它的機能很簡單，但是依然有很多細節(jié)，需大家在用到的過程中留意。所以，在這里為大家介紹一下模擬開關和多路復用器的根基參數(shù)。在開始介紹基石的參數(shù)之前，我們有必要介紹一下模擬開關和多路復用器的基本單元MOSFET開關的基本構造。一.MOSFET開關的架構MOSFET開關常見的架構有3種，如圖1所示。1）NFET。2）NFET和PFET。3）含有電荷泵的NFET。三種架構各有特色，詳實的介紹，可以參閱《TIPrecisionLabs-SwitchesandMultiplexers》培訓視頻和《SelectingtheRightTexasInstrumentsSignalSwitch》應用文檔。本文主要基于NFET和PFET架構進行介紹和仿真，但是關乎到的定義在三種架構中都是適用的。圖1MOSFET開關構造另外，需留意的是，此處的MOSFET構造，S和D是對稱的，所以在功用上是可以對調(diào)的，也因此，開關是雙向的，為了便于討論，我們統(tǒng)一把S極作為輸入。二.模擬開關和多路復用器直流參數(shù)介紹1.導通電阻OnResistance(1).概念圖2OnResistance概念(2).特征1）隨輸入信號電壓而變動：當芯片的供電電壓固定時，對于NMOS而言，S級的電壓越高。上海金樽自動化控制科技有限公司是一家專業(yè)提供八路模擬開關板的公司，期待您的光臨！上海八路模擬開關板耐老化

    模擬開關404包括開關管mp2和開關管mn2，開關管mp2為pmos管，開關管mn2為nmos管。開關管mp2和開關管mn2并聯(lián)連接，二者的漏極彼此連接且都連接至信號輸入端b，二者的源極彼此連接且都連接至信號輸出端y，開關管mp2的襯底與掉電保護電路402相連接，開關管mn2的襯底接地。驅(qū)動電路403包括晶體管m6和m7，晶體管m6選自pmos管，晶體管m7選自nmos管。晶體管m6的源極連接至掉電保護電路402，晶體管m6的漏極與晶體管m7的漏極連接，晶體管m7的源極接地。晶體管m6和晶體管m7的柵極彼此連接且接收所述控制信號cp1，晶體管m6和晶體管m7的中間節(jié)點連接至開關管mp1的柵極。驅(qū)動電路403用于根據(jù)控制信號cp1控制開關管mp1的導通和關斷。驅(qū)動電路405包括晶體管m9和m10，晶體管m9選自pmos管，晶體管m10選自nmos管。晶體管m9的源極連接至掉電保護電路402，晶體管m9的漏極與晶體管m10的漏極連接，晶體管m10的源極接地。晶體管m9和晶體管m10的柵極彼此連接且接收所述控制信號cp2，晶體管m9和晶體管m10的中間節(jié)點連接至開關管mp2的柵極。驅(qū)動電路405用于根據(jù)控制信號cp2控制開關管mp2的導通和關斷。河北電路板八路模擬開關板維修上海金樽自動化控制科技有限公司致力于提供八路模擬開關板，竭誠為您服務。

    off)，如圖83)On-leakagecurrent:當開關閉合時，從漏極注入或流出的電流叫作Id(on)，如圖8。圖8漏電流概念(2).特征漏電流隨溫度變化劇烈。圖9漏電流隨溫度變動的曲線(3).影響在很多數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)中，接入MUX前的傳感器有也許是高阻抗的傳感器。這時，漏電流的影響就會凸顯出來。例如，在圖10的仿真中，輸入源有1MΩ的源阻抗，我們對這個電阻展開直流參數(shù)掃描，觀察它從1MΩ變動至10MΩ時，對輸出電壓的影響，結果可以見到，漏電流通過傳感器的內(nèi)阻會給輸出電壓帶來一個直流誤差。所以，在為高輸出阻抗的傳感器選項MUX時，要盡量挑選低漏電流的芯片。圖10漏電流仿真電路圖11漏電流仿真結果三.模擬開關和多路復用器動態(tài)參數(shù)介紹1.導通電容OnCapacitance(1).概念CS和CD**了開關在斷開時的源極和漏極電容。當開關導通時，CON相等源極的電容和漏極的電容之和，如圖12。圖12OnCapacitance(2).影響圖13MUX36S08示例當MUX在不同通道之間切換時，CD也會隨著通道的切換被充電或者放電。例如，當S1閉合時，CD會被充電至V1。那么此時CD上的電荷QD1：當MUX從S1切換至S2時，CD會被充電至V2。那么此時CD上的電荷QD2：那么兩次CD上的電荷差就需V2來提供，所以這時候。

    MUX輸出就會需一定的時間來平穩(wěn)。對于一個N-bit的ADC：K實際上是**RC電路中，電壓抵達目標誤差以內(nèi)時所需的時間常數(shù)的數(shù)目，例如10-bitaccuracy(LSB%FS=),K=-ln()=。接下來用一個仿真來說明這種現(xiàn)象：為了更明顯地觀察到這種現(xiàn)象，在Vout端加入一個電容C1，可以明白為增加了CD，也可以明白為負載電容和CD的并聯(lián)。圖14OnCapacitance對輸出影響的仿真示例電路當C1=50pF時，整個回路的時間常數(shù)較大，需更長時間平穩(wěn)，所以在開關導通20uS之后，輸出電壓依然并未平穩(wěn)到信號源的電壓。圖15C1=50pF仿真結果當C1=10pF時，整個回路的時間常數(shù)較小，需較短時間安定，所以在開關導通20uS之內(nèi)，輸出電壓平穩(wěn)到了信號源的電壓。圖16C1=10pF仿真結果2.流入電荷ChargeInjection(1).概念流入電荷指的是從控制端EN耦合至輸出端的電荷。(2).影響因為在開關導通的通道上，缺失損耗這部分電荷的通道，所以當這部分電荷注入漏極電容和輸出電容上時，會在輸出產(chǎn)生一個電壓誤差。圖17ChargeInjection過程示意圖過程如下：當在EN端有一個階躍信號時，這個階躍電壓會通過柵極和漏極之間的寄生電容CGD，耦合至輸出端，輸出電壓的改變?nèi)Q流入電荷QINJ，CD和CL。所以，當流入的電荷越小時。上海金樽自動化控制科技有限公司八路模擬開關板值得用戶放心。

    B)=Ω,VIS(A)=(B)/VIS(A)=?50dB(Figure5)MHzVDD=10V,RL=10kΩ,RIN=Ω,VCC=10VSquareWave,CL=50pF(Figure6)150mVp-pRL=Ω,CL=50pF,(Figure7)VOS(f)=?VOS()VDD=MHzVDD=10VVDD=15VCISSignalInputCapacitance信號輸入電容pFCOSSignalOutputCapacitance信號輸出電容VDD=10VpFCIOSFeedthroughCapacitance饋電容VC=0VpFCINControlInputCapacitance操縱輸入電容pF圖1CD4066是四雙向模擬開關驅(qū)動繼電器應用電路CD4066是四雙向模擬開關，集成塊SCR1～SCR4為控制端，用以操縱四雙向模擬開關的通斷。當SCR1接高電平時，集成塊①、②腳導通，＋12V→K1→集成塊①、②腳→電源陰極使K1吸合；反之當SCR1輸入低電平時，集成塊①、②腳開路，K1失電獲釋，SCR2～SCR4輸入高電平或低電平時狀況與SCR1相同。八路模擬開關板，就選上海金樽自動化控制科技有限公司，有需求可以來電咨詢！浙江單片機八路模擬開關板原理

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    CD4066中文資料：CD4066是四雙向模擬開關，主要當做模擬或數(shù)字信號的多路傳輸。引出端排列與CC4016一致，但具備較為低的導通阻抗。另外，導通阻抗在整個輸入信號范圍內(nèi)基本不變。CD4066由四個互相單獨的雙向開關構成，每個開關有一個控制信號，開關中的p和n器件在支配信號功用下同時開關。這種構造掃除了開關晶體管閾值電壓隨輸入信號的變化，因此在整個工作信號范圍內(nèi)導通阻抗比起低。與單通道開關相比之下，兼具輸入信號峰值電壓范圍等于電源電壓以及在輸入信號范圍內(nèi)導通阻抗較為平穩(wěn)等優(yōu)點。但若應用于采保電路，仍引薦CD4016。當模擬開關的電源電壓使用雙電源時，例如=﹢5V，=﹣5V（均對地0V而言），則輸入電壓對稱于0V的正、負信號電壓（﹢5V～﹣5V）均能傳輸。這時要求操縱信號C=“1”為+5V，C=“0”為-5V，否則只能傳輸正極性的信號電壓。CD4066引腳功能圖內(nèi)部方框圖AbsoluteMaximumRatings*****大額定值：SupplyVoltage電源電壓(VDD)?InputVoltage輸入電壓(VIN)?StorageTemperatureRange儲存溫度范圍(TS)?65℃to+150℃PowerDissipation功耗(PD)Dual-In-Line普通雙列封裝700mWSmallOutline小外形封裝500mWLeadTemperature焊接溫度(TL)Soldering,10seconds)。上海八路模擬開關板耐老化

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