電源端的電壓等于0v)信號輸出端y的電位大于信號輸入端a的電位為例,假設(shè)晶體管m1至m3的導(dǎo)通閾值為,晶體管m1至m3形成的二極管的正向?qū)妷簽椋w管mp1寄生二極管的正向?qū)妷簽?,此時(shí)參考電壓vmax為:vmax=max(va,vy,vcc)-vtn=可以得到此時(shí)開關(guān)管mp1的源極和襯底之間的電壓差為,小于寄生二極管的正向?qū)妷?,因此開關(guān)管mp1的寄生二極管保持在截止?fàn)顟B(tài),有效的解決了電源電壓掉電時(shí)開關(guān)管mp1的寄生二極管導(dǎo)通造成的信號泄露問題。進(jìn)一步的,本實(shí)施例的掉電保護(hù)電路302還包括電壓上拉模塊321,電壓上拉模塊321與參考電壓vmax相連接,用于在電源電壓正常時(shí)將參考電壓vmax上拉至電源電壓vcc,保證模擬開關(guān)電路300可以正常工作。作為一個(gè)非限制性的例子,電壓上拉模塊321包括晶體管m4、晶體管m5以及電阻r1,晶體管m4和m5分別選自pmos管。晶體管m4和電阻r1連接于晶體管m1至m3的源極與地之間,晶體管m4的柵極連接至電源端以接收電源電壓vcc。晶體管m5的源極連接至電源端以接收電源電壓vcc,晶體管m5的柵極連接至晶體管m4和電阻r1的中間節(jié)點(diǎn),晶體管m5的漏極連接至參考電壓vmax。當(dāng)電源電壓正常時(shí),參考電壓vmax=vcc–vtn,晶體管m4關(guān)斷。上海金樽自動(dòng)化控制科技有限公司八路模擬開關(guān)板獲得眾多用戶的認(rèn)可。南京八路模擬開關(guān)板原理
導(dǎo)通電阻越發(fā)大,對于PMOS而言,S級的電壓越高,導(dǎo)通電阻愈加小。圖3導(dǎo)通電阻隨輸入信號電壓變化的曲線2)導(dǎo)通電阻的阻值與溫度有關(guān):當(dāng)VDD和VSS固定不變時(shí),隨著溫度的升高,導(dǎo)通電阻的曲線總體向上平移。圖4導(dǎo)通電阻隨溫度變動(dòng)的曲線3)導(dǎo)通電阻的平坦度:On-resistanceflatness圖5On-resistanceflatness在一定的輸入電壓范圍內(nèi),導(dǎo)通電阻的最大值與最小值的差叫作導(dǎo)通電阻的平坦度,這個(gè)值越大,解釋導(dǎo)通電阻的變化大幅度越大。(3).影響在這里,我們通過一個(gè)仿真實(shí)例來觀察一下導(dǎo)通電阻及平坦度對于系統(tǒng)的影響,如圖6。為了更容易地觀察到影響,我們選取設(shè)立R1和R2為100Ω。圖6MUX36S08仿真電路圖7輸入及輸出波形從仿真的結(jié)果我們可以看出:1)輸出電壓并不是我們輸入電壓乘以放大百分比后的結(jié)果,這是因?yàn)橛袑?dǎo)通電阻的存在。2)輸出電壓隨輸入電壓的并不是線性聯(lián)系,這是因?yàn)镽on隨著Vin在轉(zhuǎn)變,會(huì)在輸出端引入非線性誤差。所以,Ron的平坦度越小,輸出的非線性誤差越小。2.漏電流Leakagecurrent(1).概念1)Sourceoff-leakagecurrent:在開關(guān)斷開時(shí),從源極注入或流出的電流稱做Is(off),如圖8。2)Drainoff-leakagecurrent:在開關(guān)斷開時(shí),從漏極注入或流出的電流稱做Id。上海八路模擬開關(guān)板貨源上海金樽自動(dòng)化控制科技有限公司致力于提供八路模擬開關(guān)板,有想法的可以來電咨詢!
焊接10秒)300℃RecommendedOperatingConditions提議操作條件:SupplyVoltage電源電壓(VDD)3Vto15VInputVoltage輸入電壓(VIN)0VtoVDDOperatingTemperatureRange工作溫度范圍(TA)?55℃to+125℃DCElectricalCharacteristics直流電氣特性:Symbol符號Parameter參數(shù)Conditions條件?55℃+25℃+125℃Units單位**小**大**小典型**大**小**大IDDQuiescentDeviceCurrent靜態(tài)電流VDD=5VμAVDD=10V15VDD=15V30SIGNALINPUTSANDOUTPUTSRON“ON”ResistanceRL=10kΩto(VDD?VSS/2)VC=VDD,VSStoVDDVDD=5V300ΩVDD=10V0VDD=15VΔRONΔ“ON”ResistanceBetweenAny2of4SwitchesRL=10kΩto(VDD?VSS/2)VCC=VDD,VIS=VSStoVDDVDD=10V10ΩVDD=15V5IISInputorOutputLeakageSwitch“OFF”VC=0±50±±50±500nACONTROLINPUTSVILCLOWLevelInputVoltage輸入低電平電壓VIS=VSSandVDDVOS=VDDandVSSIIS=±10μAVDD=5VVVDD=10VVDD=15VVIHCHIGHLevelInputVoltage輸入高電平電壓VDD=5VVVDD=10V。
這些開關(guān)管的響應(yīng)速度快,開通時(shí)間μs;低靜態(tài)電流節(jié)約關(guān)閉狀況功耗。低導(dǎo)通電阻和低失真以及低串?dāng)_保證信號完整性上佳。內(nèi)部過熱關(guān)斷和欠壓鎖保護(hù)(UVLO)機(jī)能保證開關(guān)安全工作。這款先進(jìn)產(chǎn)品使用意法半導(dǎo)體專有的BCD6s-SOI(絕緣體上硅)和BCD8sSOI制造工藝,在同一芯片上集成精細(xì)模擬電路(雙極晶體管)、低壓CMOS邏輯電路和穩(wěn)健精確的DMOS功率級。STHV64SW可以采用高達(dá)-100V/+100V、0V/200V或-200V/0V的各種高壓電源組合。目前已有創(chuàng)新的高科技裝置使用STHV64SW,例如,工業(yè)無損檢測(NDT)超聲波探傷儀和經(jīng)濟(jì)便攜的醫(yī)學(xué)超聲回波影像診斷裝置,其中后者正在提高邊遠(yuǎn)小村地區(qū)的產(chǎn)前保健水準(zhǔn)。與不久前推出的配套產(chǎn)品STHV160016通道脈沖發(fā)生器芯片一樣,這款高集成度的64通道模擬開關(guān)芯片同樣使用了連貫的FCBGA封裝,讓系統(tǒng)制造商能夠提高通道密度,實(shí)現(xiàn)杰出的超聲圖像分辨率,而占用很小的電路板空間。STHV64SW業(yè)已上市,使用BGA-196封裝。STEVAL-IME015V1評估板也已上市。、74HCT4053是一款三路二選一模擬開關(guān)電路,它的優(yōu)點(diǎn)是能夠通過交流信號,筆者一般用它切換不同的音頻通道或者直流控制電壓。如上圖,X0,X1,X為一組;Y0,Y1,Y為一組;Z0,Z1,Z為一組;這三組信號分別受A,B。 八路模擬開關(guān)板,就選上海金樽自動(dòng)化控制科技有限公司,用戶的信賴之選,有需求可以來電咨詢!
MUX輸出就會(huì)需一定的時(shí)間來平穩(wěn)。對于一個(gè)N-bit的ADC:K實(shí)際上是**RC電路中,電壓抵達(dá)目標(biāo)誤差以內(nèi)時(shí)所需的時(shí)間常數(shù)的數(shù)目,例如10-bitaccuracy(LSB%FS=),K=-ln()=。接下來用一個(gè)仿真來說明這種現(xiàn)象:為了更明顯地觀察到這種現(xiàn)象,在Vout端加入一個(gè)電容C1,可以明白為增加了CD,也可以明白為負(fù)載電容和CD的并聯(lián)。圖14OnCapacitance對輸出影響的仿真示例電路當(dāng)C1=50pF時(shí),整個(gè)回路的時(shí)間常數(shù)較大,需更長時(shí)間平穩(wěn),所以在開關(guān)導(dǎo)通20uS之后,輸出電壓依然并未平穩(wěn)到信號源的電壓。圖15C1=50pF仿真結(jié)果當(dāng)C1=10pF時(shí),整個(gè)回路的時(shí)間常數(shù)較小,需較短時(shí)間安定,所以在開關(guān)導(dǎo)通20uS之內(nèi),輸出電壓平穩(wěn)到了信號源的電壓。圖16C1=10pF仿真結(jié)果2.流入電荷ChargeInjection(1).概念流入電荷指的是從控制端EN耦合至輸出端的電荷。(2).影響因?yàn)樵陂_關(guān)導(dǎo)通的通道上,缺失損耗這部分電荷的通道,所以當(dāng)這部分電荷注入漏極電容和輸出電容上時(shí),會(huì)在輸出產(chǎn)生一個(gè)電壓誤差。圖17ChargeInjection過程示意圖過程如下:當(dāng)在EN端有一個(gè)階躍信號時(shí),這個(gè)階躍電壓會(huì)通過柵極和漏極之間的寄生電容CGD,耦合至輸出端,輸出電壓的改變?nèi)Q流入電荷QINJ,CD和CL。所以,當(dāng)流入的電荷越小時(shí)。上海金樽自動(dòng)化控制科技有限公司為您提供八路模擬開關(guān)板,有想法的可以來電咨詢!上海八路模擬開關(guān)板貨源
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off),如圖83)On-leakagecurrent:當(dāng)開關(guān)閉合時(shí),從漏極注入或流出的電流叫作Id(on),如圖8。圖8漏電流概念(2).特色漏電流隨溫度變化劇烈。圖9漏電流隨溫度變動(dòng)的曲線(3).影響在很多數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)中,接入MUX前的傳感器有或許是高阻抗的傳感器。這時(shí),漏電流的影響就會(huì)凸顯出來。例如,在圖10的仿真中,輸入源有1MΩ的源阻抗,我們對這個(gè)電阻展開直流參數(shù)掃描,觀察它從1MΩ轉(zhuǎn)變至10MΩ時(shí),對輸出電壓的影響,結(jié)果可以見到,漏電流通過傳感器的內(nèi)阻會(huì)給輸出電壓帶來一個(gè)直流誤差。所以,在為高輸出阻抗的傳感器選項(xiàng)MUX時(shí),要盡量挑選低漏電流的芯片。圖10漏電流仿真電路圖11漏電流仿真結(jié)果三.模擬開關(guān)和多路復(fù)用器動(dòng)態(tài)參數(shù)介紹1.導(dǎo)通電容OnCapacitance(1).概念CS和CD**了開關(guān)在斷開時(shí)的源極和漏極電容。當(dāng)開關(guān)導(dǎo)通時(shí),CON相等源極的電容和漏極的電容之和,如圖12。圖12OnCapacitance(2).影響圖13MUX36S08示例當(dāng)MUX在不同通道之間切換時(shí),CD也會(huì)隨著通道的切換被充電或者放電。例如,當(dāng)S1閉合時(shí),CD會(huì)被充電至V1。那么此時(shí)CD上的電荷QD1:當(dāng)MUX從S1切換至S2時(shí),CD會(huì)被充電至V2。那么此時(shí)CD上的電荷QD2:那么兩次CD上的電荷差就需V2來提供,所以這時(shí)候。南京八路模擬開關(guān)板原理
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