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重慶單片機(jī)八路模擬開(kāi)關(guān)板應(yīng)用介紹

來(lái)源: 發(fā)布時(shí)間:2021-11-06

    掉電保護(hù)電路402用于在電源電壓掉電時(shí)根據(jù)信號(hào)輸入端a、信號(hào)輸入端b、信號(hào)輸出端y以及電源端中電位更高者得到一參考電壓vmax,并將參考電壓vmax提供至開(kāi)關(guān)管mp1和開(kāi)關(guān)管mp2的襯底。從而在電源電壓掉電時(shí)開(kāi)關(guān)管mp1和開(kāi)關(guān)管mp2的源極與襯底之間或者漏極與襯底之間的電壓小于寄生二極管的正向?qū)妷?,開(kāi)關(guān)管mp1和開(kāi)關(guān)管mp2的寄生二極管保持在截止?fàn)顟B(tài),有效的解決了電源電壓掉電時(shí)開(kāi)關(guān)管mp1和開(kāi)關(guān)管mp2的寄生二極管導(dǎo)通造成的信號(hào)泄露的問(wèn)題。掉電保護(hù)電路402還用于在電源電壓掉電時(shí)將參考電壓vmax提供至驅(qū)動(dòng)電路403和驅(qū)動(dòng)電路405的供電端,使得開(kāi)關(guān)管mp1和開(kāi)關(guān)管mp2的柵源電壓vgs小于晶體管的導(dǎo)通閾值vtp,保證當(dāng)電源電壓掉電時(shí)開(kāi)關(guān)管mp1和開(kāi)關(guān)管mp2可以一直處于截止?fàn)顟B(tài),進(jìn)一步解決了電源端掉電時(shí)開(kāi)關(guān)管mp1和開(kāi)關(guān)管mp2誤導(dǎo)通造成的信號(hào)泄露問(wèn)題。進(jìn)一步的,掉電保護(hù)電路402包括晶體管m1、晶體管m2、晶體管m3以及晶體管m8,晶體管m1的漏極與信號(hào)輸入端a連接,晶體管m8的漏極與信號(hào)輸入端b連接,晶體管m2的漏極與信號(hào)輸出端y連接,晶體管m3的漏極用于接收電源電壓vcc,并且晶體管m1至m3以及晶體管m8的柵極、漏極和襯底彼此連接,分別連接成二極管結(jié)構(gòu)。上海金樽自動(dòng)化控制科技有限公司為您提供八路模擬開(kāi)關(guān)板,歡迎您的來(lái)電哦!重慶單片機(jī)八路模擬開(kāi)關(guān)板應(yīng)用介紹

    焊接10秒)300℃RecommendedOperatingConditions提議操作條件:SupplyVoltage電源電壓(VDD)3Vto15VInputVoltage輸入電壓(VIN)0VtoVDDOperatingTemperatureRange工作溫度范圍(TA)?55℃to+125℃DCElectricalCharacteristics直流電氣特性:Symbol符號(hào)Parameter參數(shù)Conditions條件?55℃+25℃+125℃Units單位**小**大**小典型**大**小**大IDDQuiescentDeviceCurrent靜態(tài)電流VDD=5VμAVDD=10V15VDD=15V30SIGNALINPUTSANDOUTPUTSRON“ON”ResistanceRL=10kΩto(VDD?VSS/2)VC=VDD,VSStoVDDVDD=5V300ΩVDD=10V0VDD=15VΔRONΔ“ON”ResistanceBetweenAny2of4SwitchesRL=10kΩto(VDD?VSS/2)VCC=VDD,VIS=VSStoVDDVDD=10V10ΩVDD=15V5IISInputorOutputLeakageSwitch“OFF”VC=0±50±±50±500nACONTROLINPUTSVILCLOWLevelInputVoltage輸入低電平電壓VIS=VSSandVDDVOS=VDDandVSSIIS=±10μAVDD=5VVVDD=10VVDD=15VVIHCHIGHLevelInputVoltage輸入高電平電壓VDD=5VVVDD=10V。河南單片機(jī)八路模擬開(kāi)關(guān)板芯片上海金樽自動(dòng)化控制科技有限公司是一家專業(yè)提供八路模擬開(kāi)關(guān)板的公司,期待您的光臨!

    單片機(jī)開(kāi)發(fā)中模擬開(kāi)關(guān)在特別應(yīng)用中的優(yōu)勢(shì)2020-05-25隨著對(duì)機(jī)能豐沛的手機(jī)的需要逐漸增長(zhǎng),單片機(jī)開(kāi)發(fā)中兼具特別應(yīng)用性能的模擬開(kāi)關(guān)繼續(xù)受到***設(shè)計(jì)的青睞。這不僅會(huì)下降材質(zhì)成本(BOM),而且有助于提高設(shè)計(jì)性能并滿足上市時(shí)間要求。本文將指導(dǎo)單片機(jī)開(kāi)發(fā)系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員完成幾個(gè)具體使用案例,以減小爆音,檢測(cè)充電器。對(duì)于單片機(jī)開(kāi)發(fā)設(shè)計(jì)人員而言,由涌入電流引起的沖擊噪音依然是繁重的挑戰(zhàn),特別是當(dāng)***用戶啟動(dòng)音樂(lè)和通話功用之間的切換時(shí)。只要***用戶開(kāi)啟音樂(lè)機(jī)能,這種煩人的聲響就會(huì)給人不愉快的體驗(yàn)。如圖1所示,當(dāng)音頻放大器工作時(shí),通過(guò)交流耦合電容器的開(kāi)/關(guān)浪涌電流是沖擊噪聲的本源,音頻共模電壓將急遽升高。當(dāng)今市場(chǎng)上有多種解決方案可用。其中之一是添加一個(gè)額外的放大器,以使音頻輸出具備“0V”偏移,從而很大程度地減少了緊接聽(tīng)筒之前的交流耦合電容器的大小。因?yàn)榇蠖鄶?shù)聽(tīng)筒放大器都集成在基帶處理器或電源管理單元(PMU)中,所以添加此放大器不僅會(huì)增加材質(zhì)成本,而且會(huì)增加功耗。圖1顯示了另一種方式,該方式將**自主的充電路徑添加到音頻信號(hào)路徑,以容許AC耦合電容器在切換到聽(tīng)筒或主路徑之前被充滿電。這可以由基帶處理器的通用I/O控制。

    柵極與晶體管m2和晶體管m3的中間節(jié)點(diǎn)連接。其中,晶體管m1、晶體管m2和晶體管m4為pmos管,晶體管m3為nmos管。在現(xiàn)有技術(shù)的模擬開(kāi)關(guān)電路200中,當(dāng)電源電壓vcc發(fā)生掉電時(shí),晶體管m1導(dǎo)通并將開(kāi)關(guān)管mp1的襯底連接到信號(hào)輸入端a,可以避免當(dāng)信號(hào)輸入端a有輸入信號(hào)時(shí)開(kāi)關(guān)管mp1的誤導(dǎo)通。但是模擬開(kāi)關(guān)電路200的開(kāi)關(guān)管mp1仍然具有誤導(dǎo)通的風(fēng)險(xiǎn),例如當(dāng)信號(hào)輸出端y存在信號(hào)時(shí)仍然可以導(dǎo)通開(kāi)關(guān)管mp1的寄生二極管,形成從信號(hào)輸出端y至信號(hào)輸入端a的信號(hào)通路,從而產(chǎn)生信號(hào)泄露,尤其對(duì)于多通道的模擬開(kāi)關(guān)電路來(lái)說(shuō)這種信號(hào)泄露情況更加明顯。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:有鑒于此,本發(fā)明的目的在于提供一種模擬開(kāi)關(guān)電路,解決了電源電壓掉電時(shí)模擬開(kāi)關(guān)誤導(dǎo)通造成的信號(hào)泄露問(wèn)題。根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例,提供了一種模擬開(kāi)關(guān)電路,包括至少一個(gè)信號(hào)輸入端和信號(hào)輸出端,其中,所述模擬開(kāi)關(guān)電路還包括:至少一個(gè)模擬開(kāi)關(guān),每個(gè)所述模擬開(kāi)關(guān)都包括連接于對(duì)應(yīng)的所述信號(hào)輸入端和信號(hào)輸出端之間的p型開(kāi)關(guān)管;至少一個(gè)驅(qū)動(dòng)電路,所述驅(qū)動(dòng)電路用于控制對(duì)應(yīng)的模擬開(kāi)關(guān)的p型開(kāi)關(guān)管的導(dǎo)通和關(guān)斷;以及掉電保護(hù)電路。八路模擬開(kāi)關(guān)板,就選上海金樽自動(dòng)化控制科技有限公司,用戶的信賴之選,歡迎您的來(lái)電!

    BL1532替代BL1532是一款低功耗,雙端口,高速(480Mbps),雙–單刀雙擲(擲)模擬開(kāi)關(guān)具一個(gè)。BL1532與,需通過(guò)第三次諧波,引致信號(hào)的很小外緣和相位失真。優(yōu)于的渠道通道串?dāng)_也限度地減小干擾。先斷后合機(jī)能兩部分掃除信號(hào)中斷期間的開(kāi)關(guān)從預(yù)防開(kāi)關(guān)同時(shí)啟用。BL1532涵蓋應(yīng)用在VCC電源開(kāi)關(guān)上的I/O引腳特殊電路切斷電源(VCC=0),它容許裝置承受過(guò)電壓的條件。這個(gè)設(shè)備是為了縮減電流消耗,甚至當(dāng)操縱電壓的SEL引腳是低比電源電壓(VCC)。特點(diǎn):寬電源電壓范圍:,低電容,Ω阻力低(典型值)在3V電壓VSW=,高帶寬(-3dB):>>從未C和C=5pF550MHz720MHz,低功耗:1uA。靜電放電8kVHBM測(cè)試:通過(guò)過(guò)電壓耐受(OVT)所有USB端口到。TTL/CMOS兼容,先把開(kāi)關(guān)斷,溫度范圍:40到85℃℃,封裝×.應(yīng)用領(lǐng)域:手機(jī),PDA,數(shù)碼相機(jī),筆記本計(jì)算機(jī),液晶顯示器,電視。 八路模擬開(kāi)關(guān)板,就選上海金樽自動(dòng)化控制科技有限公司,用戶的信賴之選,有需要可以聯(lián)系我司哦!集成電路八路模擬開(kāi)關(guān)板市場(chǎng)價(jià)格

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    并將該參考電壓vmax提供至開(kāi)關(guān)管mp1的襯底。因此在電源電壓掉電時(shí)開(kāi)關(guān)管mp1的源極與襯底之間或者漏極與襯底之間的電壓小于寄生二極管的正向?qū)妷?,開(kāi)關(guān)管mp1的寄生二極管保持在截止?fàn)顟B(tài),有效的解決了電源電壓掉電時(shí)開(kāi)關(guān)管mp1中寄生二極管正向?qū)ㄔ斐傻男盘?hào)泄露的問(wèn)題。作為一種非限制性的例子,掉電保護(hù)電路302包括晶體管m1至m3,晶體管m1的漏極與信號(hào)輸入端a連接,晶體管m2的漏極與信號(hào)輸出端y連接,晶體管m3的漏極用于接收電源電壓vcc,晶體管m1至m3的源極與開(kāi)關(guān)管mp1的襯底連接。在本實(shí)施例中,晶體管m1至m3采用完全相同的晶體管,例如晶體管m1至m3分別采用nmos管。并且晶體管m1至m3的柵極、漏極和襯底彼此連接,分別連接成二極管結(jié)構(gòu),所以本實(shí)施例的參考電壓vmax的電壓值為:vmax=max(va,vy,vcc)-vtn其中,va表示信號(hào)輸入端a的電壓,vy表示信號(hào)輸出端y的電壓,vcc為電路的電源端的電源電壓,max(va,vy,vcc)表示信號(hào)輸入端a、信號(hào)輸出端y、以及電源端中的電位更高者的電壓,vtn表示晶體管m1至m3的導(dǎo)通閾值。在推薦的實(shí)施例中,晶體管m1至m3分別采用低閾值電壓的nmos管。舉例說(shuō)明,以當(dāng)電源端掉電時(shí)。重慶單片機(jī)八路模擬開(kāi)關(guān)板應(yīng)用介紹

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