在測(cè)試測(cè)量相關(guān)應(yīng)用中，模擬開(kāi)關(guān)和多路復(fù)用器具有十分普遍的應(yīng)用，例如運(yùn)放的增益調(diào)節(jié)、ADC分時(shí)收集多路傳感器信號(hào)等等。雖然它的機(jī)能很簡(jiǎn)單，但是依然有很多細(xì)節(jié)，需大家在采用的過(guò)程中留意。所以，在這里為大家介紹一下模擬開(kāi)關(guān)和多路復(fù)用器的基本參數(shù)。在開(kāi)始介紹根基的參數(shù)之前，我們有必要介紹一下模擬開(kāi)關(guān)和多路復(fù)用器的基本單元MOSFET開(kāi)關(guān)的基本構(gòu)造。一.MOSFET開(kāi)關(guān)的架構(gòu)MOSFET開(kāi)關(guān)常見(jiàn)的架構(gòu)有3種，如圖1所示。1）NFET。2）NFET和PFET。3）隱含電荷泵的NFET。三種架構(gòu)各有特征，詳實(shí)的介紹，可以參看《TIPrecisionLabs-SwitchesandMultiplexers》培訓(xùn)視頻和《SelectingtheRightTexasInstrumentsSignalSwitch》應(yīng)用文檔。本文主要基于NFET和PFET架構(gòu)進(jìn)行介紹和仿真，但是關(guān)乎到的定義在三種架構(gòu)中都是適用的。圖1MOSFET開(kāi)關(guān)構(gòu)造另外，需留意的是，此處的MOSFET構(gòu)造，S和D是對(duì)稱(chēng)的，所以在功用上是可以交換的，也因此，開(kāi)關(guān)是雙向的，為了便于討論，我們統(tǒng)一把S極作為輸入。二.模擬開(kāi)關(guān)和多路復(fù)用器直流參數(shù)介紹1.導(dǎo)通電阻OnResistance(1).概念圖2OnResistance概念(2).特征1）隨輸入信號(hào)電壓而變動(dòng)：當(dāng)芯片的供電電壓固定時(shí)，對(duì)于NMOS而言，S級(jí)的電壓越高。上海金樽自動(dòng)化控制科技有限公司是一家專(zhuān)業(yè)提供八路模擬開(kāi)關(guān)板的公司，歡迎您的來(lái)電哦！浙江智能八路模擬開(kāi)關(guān)板應(yīng)用介紹

    2).特性圖23簡(jiǎn)化的MUX內(nèi)部的開(kāi)關(guān)模型及通道間串?dāng)_隨信號(hào)頻率的變化ChanneltoChannelcrosstalk是和頻率有關(guān)的一種現(xiàn)象。主要是由于關(guān)斷狀況下寄生電容造成的。有時(shí)，也會(huì)由于布局技術(shù)不佳而引入了寄生電容，展現(xiàn)為串?dāng)_。CSS表示兩個(gè)輸入通道之間的寄生電容。這也許是傳輸信號(hào)的兩個(gè)輸入走線之間的電容，或者是多路復(fù)用器的兩個(gè)輸入引腳之間的電容。在較低頻率的時(shí)候，從S1到OUTPUT的阻抗是RON，因?yàn)镾2是斷開(kāi)的，從S2到OUTPUT的阻抗十分高。隨著強(qiáng)加到S1的輸入信號(hào)的頻率增加，寄生電容CSD的阻抗變得更低，并在S2引入了一部分S1的輸入信號(hào)。相同的法則，寄生電容CSS隨頻率的增加也會(huì)將一部分輸入信號(hào)直接耦合到斷開(kāi)的通道S2。縮減雜散電容的電路板配置技術(shù)也會(huì)有助于通道間的串?dāng)_疑問(wèn)。5.關(guān)斷隔離Offisolation(1).概念關(guān)斷隔離概念為當(dāng)在關(guān)閉通道的源極引腳上強(qiáng)加已知信號(hào)時(shí)在多路復(fù)用器輸出引腳上引入的電壓。圖24關(guān)斷隔離示意圖(2).特征圖25簡(jiǎn)化的MUX內(nèi)部的開(kāi)關(guān)模型及關(guān)斷隔離隨信號(hào)頻率的變化像串?dāng)_一樣，關(guān)斷隔離也是一種與頻率相關(guān)的現(xiàn)象，由于模擬開(kāi)關(guān)或多路復(fù)用器的OFF狀況寄生電容CSD而時(shí)有發(fā)生。而開(kāi)關(guān)在截止?fàn)顩r的寄生電容又取決多個(gè)因素。單八路模擬開(kāi)關(guān)板芯片型號(hào)上海金樽自動(dòng)化控制科技有限公司為您提供八路模擬開(kāi)關(guān)板，有想法的可以來(lái)電咨詢！

    本發(fā)明屬于油壓控制領(lǐng)域，關(guān)乎一種多路轉(zhuǎn)輸開(kāi)關(guān)。背景技術(shù)：繁復(fù)的油壓系統(tǒng)一般而言包括多個(gè)子系統(tǒng)，在使用過(guò)程中不免出現(xiàn)“跑冒滴漏”的現(xiàn)象，從前在向每個(gè)子系統(tǒng)加注液體介質(zhì)時(shí)都是通過(guò)卸下加油口蓋直接展開(kāi)重力式加注，這樣可能會(huì)致使液體介質(zhì)受到不同程度的污染，影響整個(gè)油壓系統(tǒng)的可靠性，再者經(jīng)常性的拆卸加油口蓋還可能會(huì)引致口蓋密封不嚴(yán)或損壞。技術(shù)實(shí)現(xiàn)元素：本發(fā)明的目的：提供一種多路液體介質(zhì)轉(zhuǎn)輸開(kāi)關(guān)，實(shí)現(xiàn)液體介質(zhì)進(jìn)口和液體介質(zhì)的不同出口相通，實(shí)現(xiàn)液體介質(zhì)從一個(gè)分系統(tǒng)向多個(gè)不同的分系統(tǒng)開(kāi)展液體介質(zhì)轉(zhuǎn)輸?shù)墓τ?。本發(fā)明的技術(shù)方案：***方面，提供了一種多路轉(zhuǎn)輸開(kāi)關(guān)，包括：殼體、輸入口、n個(gè)輸出口、活門(mén)組件、操縱桿和圓盤(pán)，其中，n為大于1的正整數(shù)，輸入口設(shè)立在殼體下方，n個(gè)輸出口分別設(shè)立在殼體的四周且在程度方向上間距***預(yù)定視角分布，活門(mén)組件設(shè)立在殼體中，操縱桿和圓盤(pán)與活門(mén)組件連結(jié)。可選地，n個(gè)輸出口包括***輸出口、第二輸出口、第三輸出口、第四輸出口?？蛇x地，活門(mén)組件包括錐活門(mén)和球活門(mén)，錐活門(mén)和球活門(mén)通過(guò)能軸向運(yùn)動(dòng)的***銷(xiāo)子連通，可選地，操縱桿與活門(mén)組件聯(lián)接，實(shí)際包括：操縱桿通過(guò)第二銷(xiāo)子與錐活門(mén)聯(lián)接?？蛇x地。

    焊接10秒）300℃RecommendedOperatingConditions提議操作條件：SupplyVoltage電源電壓(VDD)3Vto15VInputVoltage輸入電壓(VIN)0VtoVDDOperatingTemperatureRange工作溫度范圍(TA)?55℃to+125℃DCElectricalCharacteristics直流電氣特性：Symbol符號(hào)Parameter參數(shù)Conditions條件?55℃+25℃+125℃Units單位**小**大**小典型**大**小**大IDDQuiescentDeviceCurrent靜態(tài)電流VDD=5VμAVDD=10V15VDD=15V30SIGNALINPUTSANDOUTPUTSRON“ON”ResistanceRL=10kΩto(VDD?VSS/2)VC=VDD,VSStoVDDVDD=5V300ΩVDD=10V0VDD=15VΔRONΔ“ON”ResistanceBetweenAny2of4SwitchesRL=10kΩto(VDD?VSS/2)VCC=VDD,VIS=VSStoVDDVDD=10V10ΩVDD=15V5IISInputorOutputLeakageSwitch“OFF”VC=0±50±±50±500nACONTROLINPUTSVILCLOWLevelInputVoltage輸入低電平電壓VIS=VSSandVDDVOS=VDDandVSSIIS=±10μAVDD=5VVVDD=10VVDD=15VVIHCHIGHLevelInputVoltage輸入高電平電壓VDD=5VVVDD=10V。八路模擬開(kāi)關(guān)板，就選上海金樽自動(dòng)化控制科技有限公司，用戶的信賴(lài)之選，有需要可以聯(lián)系我司哦！

    用于在電源電壓掉電時(shí)根據(jù)所述至少一個(gè)信號(hào)輸入端、所述信號(hào)輸出端以及電源端中電位更高者得到一參考電壓，并將所述參考電壓提供至所述至少一個(gè)驅(qū)動(dòng)電路的供電端和所述p型開(kāi)關(guān)管的襯底，其中，所述掉電保護(hù)電路包括多個(gè)***晶體管，所述多個(gè)***晶體管的漏極分別與所述至少一個(gè)信號(hào)輸入端、所述信號(hào)輸出端以及所述電源端連接，所述多個(gè)***晶體管的源極彼此連接以輸出所述參考電壓。推薦地，所述掉電保護(hù)電路還包括電壓上拉模塊，用于在所述電源電壓正常時(shí)將所述參考電壓上拉至電源電壓。推薦地，所述***晶體管的柵極、漏極和襯底彼此連接，以構(gòu)成二極管結(jié)構(gòu)。推薦地，所述參考電壓等于所述至少一個(gè)信號(hào)輸入端、所述信號(hào)輸出端以及所述電源端中電位更高者與所述***晶體管的導(dǎo)通閾值的電壓差。推薦地，所述電壓上拉模塊包括：連接于所述多個(gè)***晶體管的源極和地之間的第二晶體管和電阻，所述第二晶體管的柵極用于接收所述電源電壓；以及第三晶體管，源極用于接收所述電源電壓，柵極與所述第二晶體管和所述電阻的中間節(jié)點(diǎn)連接，漏極和襯底與所述p型開(kāi)關(guān)管的襯底以及所述驅(qū)動(dòng)電路的供電端連接。推薦地，每個(gè)所述驅(qū)動(dòng)電路都包括第四晶體管和第五晶體管。八路模擬開(kāi)關(guān)板，就選上海金樽自動(dòng)化控制科技有限公司，用戶的信賴(lài)之選，有想法可以來(lái)我司咨詢！合肥集成電路八路模擬開(kāi)關(guān)板貨源

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    單片機(jī)開(kāi)發(fā)中模擬開(kāi)關(guān)在特別應(yīng)用中的優(yōu)勢(shì)2020-05-25隨著對(duì)機(jī)能豐沛的手機(jī)的需要逐漸增長(zhǎng)，單片機(jī)開(kāi)發(fā)中兼具特別應(yīng)用性能的模擬開(kāi)關(guān)繼續(xù)受到***設(shè)計(jì)的青睞。這不僅會(huì)下降材質(zhì)成本（BOM），而且有助于提高設(shè)計(jì)性能并滿足上市時(shí)間要求。本文將指導(dǎo)單片機(jī)開(kāi)發(fā)系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員完成幾個(gè)具體使用案例，以減小爆音，檢測(cè)充電器。對(duì)于單片機(jī)開(kāi)發(fā)設(shè)計(jì)人員而言，由涌入電流引起的沖擊噪音依然是繁重的挑戰(zhàn)，特別是當(dāng)***用戶啟動(dòng)音樂(lè)和通話功用之間的切換時(shí)。只要***用戶開(kāi)啟音樂(lè)機(jī)能，這種煩人的聲響就會(huì)給人不愉快的體驗(yàn)。如圖1所示，當(dāng)音頻放大器工作時(shí)，通過(guò)交流耦合電容器的開(kāi)/關(guān)浪涌電流是沖擊噪聲的本源，音頻共模電壓將急遽升高。當(dāng)今市場(chǎng)上有多種解決方案可用。其中之一是添加一個(gè)額外的放大器，以使音頻輸出具備“0V”偏移，從而很大程度地減少了緊接聽(tīng)筒之前的交流耦合電容器的大小。因?yàn)榇蠖鄶?shù)聽(tīng)筒放大器都集成在基帶處理器或電源管理單元（PMU）中，所以添加此放大器不僅會(huì)增加材質(zhì)成本，而且會(huì)增加功耗。圖1顯示了另一種方式，該方式將**自主的充電路徑添加到音頻信號(hào)路徑，以容許AC耦合電容器在切換到聽(tīng)筒或主路徑之前被充滿電。這可以由基帶處理器的通用I/O控制。浙江智能八路模擬開(kāi)關(guān)板應(yīng)用介紹

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