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集成電路八路模擬開關(guān)板原理

來源: 發(fā)布時(shí)間:2021-11-24

    off),如圖83)On-leakagecurrent:當(dāng)開關(guān)閉合時(shí),從漏極注入或流出的電流叫作Id(on),如圖8。圖8漏電流概念(2).特色漏電流隨溫度變化劇烈。圖9漏電流隨溫度變動的曲線(3).影響在很多數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)中,接入MUX前的傳感器有或許是高阻抗的傳感器。這時(shí),漏電流的影響就會凸顯出來。例如,在圖10的仿真中,輸入源有1MΩ的源阻抗,我們對這個(gè)電阻展開直流參數(shù)掃描,觀察它從1MΩ轉(zhuǎn)變至10MΩ時(shí),對輸出電壓的影響,結(jié)果可以見到,漏電流通過傳感器的內(nèi)阻會給輸出電壓帶來一個(gè)直流誤差。所以,在為高輸出阻抗的傳感器選項(xiàng)MUX時(shí),要盡量挑選低漏電流的芯片。圖10漏電流仿真電路圖11漏電流仿真結(jié)果三.模擬開關(guān)和多路復(fù)用器動態(tài)參數(shù)介紹1.導(dǎo)通電容OnCapacitance(1).概念CS和CD**了開關(guān)在斷開時(shí)的源極和漏極電容。當(dāng)開關(guān)導(dǎo)通時(shí),CON相等源極的電容和漏極的電容之和,如圖12。圖12OnCapacitance(2).影響圖13MUX36S08示例當(dāng)MUX在不同通道之間切換時(shí),CD也會隨著通道的切換被充電或者放電。例如,當(dāng)S1閉合時(shí),CD會被充電至V1。那么此時(shí)CD上的電荷QD1:當(dāng)MUX從S1切換至S2時(shí),CD會被充電至V2。那么此時(shí)CD上的電荷QD2:那么兩次CD上的電荷差就需V2來提供,所以這時(shí)候。上海金樽自動化控制科技有限公司致力于提供八路模擬開關(guān)板,有需要可以聯(lián)系我司哦!集成電路八路模擬開關(guān)板原理

    模擬開關(guān)101包括開關(guān)管mp1和開關(guān)管mn1,開關(guān)管mp1為pmos管,開關(guān)管mn1為nmos管。開關(guān)管mp1和開關(guān)管mn1并聯(lián)連接,二者的漏極彼此連接且都連接至信號輸入端a,二者的源極彼此連接且都連接至信號輸出端y,開關(guān)管mp1的襯底連接電源電壓vcc,開關(guān)管mn1的襯底接地。開關(guān)管mp1的柵極接收控制信號cp1,開關(guān)管mn1的柵極接收控制信號cn1,控制信號cp1和控制信號cn1為相位相反的控制信號。當(dāng)控制信號cp1為高電平,控制信號cn1為低電平時(shí),模擬開關(guān)101斷開;當(dāng)控制信號cp1為低電平,控制信號cn1為高電平時(shí),模擬開關(guān)101導(dǎo)通,輸入信號從信號輸入端a傳輸至信號輸入端y。模擬開關(guān)102包括開關(guān)管mp2和開關(guān)管mn2,開關(guān)管mp2為pmos管,開關(guān)管mn2為nmos管。開關(guān)管mp2和開關(guān)管mn2并聯(lián)連接,二者的漏極彼此連接且都連接至信號輸入端b,二者的源極彼此連接且都連接至信號輸出端y,開關(guān)管mp2的襯底連接電源電壓vcc,開關(guān)管mn2的襯底接地。開關(guān)管mp2的柵極接收控制信號cp2,開關(guān)管mn2的柵極接收控制信號cn2,控制信號cp2和控制信號cn2為相位相反的控制信號。當(dāng)控制信號cp2為高電平,控制信號cn2為低電平時(shí),模擬開關(guān)102斷開;當(dāng)控制信號cp2為低電平,控制信號cn2為高電平時(shí),模擬開關(guān)102導(dǎo)通。浙江雙電源八路模擬開關(guān)板問題八路模擬開關(guān)板,就選上海金樽自動化控制科技有限公司,讓您滿意,歡迎新老客戶來電!

    例如部件的結(jié)構(gòu)、材料、尺寸、處理工藝和技術(shù),以便更清楚地理解本發(fā)明。但正如本領(lǐng)域的技術(shù)人員能夠理解的那樣,可以不按照這些特定的細(xì)節(jié)來實(shí)現(xiàn)本發(fā)明。應(yīng)當(dāng)理解,在以下的描述中,“電路”可包括單個(gè)或多個(gè)組合的硬件電路、可編程電路、狀態(tài)機(jī)電路和/或能存儲由可編程電路執(zhí)行的指令的元件。當(dāng)稱元件或電路“連接到”另一元件或稱元件/電路“連接在”兩個(gè)節(jié)點(diǎn)之間時(shí),它可以直接耦合或連接到另一元件或者可以存在中間元件,元件之間的連接可以是物理上的、邏輯上的、或者其結(jié)合。相反,當(dāng)稱元件“直接耦合到”或“直接連接到”另一元件時(shí),意味著兩者不存在中間元件。圖3示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的一種模擬開關(guān)電路的電路示意圖。如圖3所示,模擬開關(guān)電路300包括模擬開關(guān)301和掉電保護(hù)電路302。模擬開關(guān)301包括開關(guān)管mp1和開關(guān)管mn1,開關(guān)管mp1為pmos管,開關(guān)管mn1為nmos管。開關(guān)管mp1和開關(guān)管mn1并聯(lián)連接,二者的漏極彼此連接且都連接至信號輸入端a,二者的源極彼此連接且都連接至信號輸出端y,開關(guān)管mp1的襯底與掉電保護(hù)電路302連接,開關(guān)管mn1的襯底接地。掉電保護(hù)電路302用于在電源電壓掉電時(shí)根據(jù)信號輸入端a、信號輸出端y以及電源端的電位更高者得到一參考電壓vmax。

    用于在電源電壓掉電時(shí)根據(jù)所述至少一個(gè)信號輸入端、所述信號輸出端以及電源端中電位更高者得到一參考電壓,并將所述參考電壓提供至所述至少一個(gè)驅(qū)動電路的供電端和所述p型開關(guān)管的襯底,其中,所述掉電保護(hù)電路包括多個(gè)***晶體管,所述多個(gè)***晶體管的漏極分別與所述至少一個(gè)信號輸入端、所述信號輸出端以及所述電源端連接,所述多個(gè)***晶體管的源極彼此連接以輸出所述參考電壓。推薦地,所述掉電保護(hù)電路還包括電壓上拉模塊,用于在所述電源電壓正常時(shí)將所述參考電壓上拉至電源電壓。推薦地,所述***晶體管的柵極、漏極和襯底彼此連接,以構(gòu)成二極管結(jié)構(gòu)。推薦地,所述參考電壓等于所述至少一個(gè)信號輸入端、所述信號輸出端以及所述電源端中電位更高者與所述***晶體管的導(dǎo)通閾值的電壓差。推薦地,所述電壓上拉模塊包括:連接于所述多個(gè)***晶體管的源極和地之間的第二晶體管和電阻,所述第二晶體管的柵極用于接收所述電源電壓;以及第三晶體管,源極用于接收所述電源電壓,柵極與所述第二晶體管和所述電阻的中間節(jié)點(diǎn)連接,漏極和襯底與所述p型開關(guān)管的襯底以及所述驅(qū)動電路的供電端連接。推薦地,每個(gè)所述驅(qū)動電路都包括第四晶體管和第五晶體管。上海金樽自動化控制科技有限公司八路模擬開關(guān)板值得用戶放心。

    容許音頻放大器和開關(guān)先加電,而主通道開關(guān)現(xiàn)在關(guān)閉。音頻輸出的共模電壓將從0升高到VCC/2。一段時(shí)間(參見10ms)后,耦合電容器的兩端均充電至等電位,然后開啟主通道,根本并未浪涌電流。因?yàn)榇藭r(shí)電容器的兩極之間的電壓差為0V。此開關(guān)十分適于通過單個(gè)USB連接器(D+/D針)與聽筒和USB數(shù)據(jù)線共享的手機(jī)和MP3/MP4播放器。低的總諧波失真(THD)對于音頻通道十分關(guān)鍵。另外,由于開關(guān)置于在交流耦合電容器之后,因此須要處置低THD時(shí)較大的反向信號擺幅。該開關(guān)的**關(guān)斷電容器容許通過裝置“有線”連通高速USB信號。較低的寄生電容也是Hi-Speed一致性測試的關(guān)鍵USB規(guī)格。隨著當(dāng)前市場趨向轉(zhuǎn)移到單個(gè)USB充電器/數(shù)據(jù)端口,特別應(yīng)用的USB開關(guān)已成為具充電器檢測機(jī)能的手機(jī)設(shè)計(jì)中的常用配置。圖2是此類交換機(jī)應(yīng)用程序的示例?;趦蓚€(gè)主要緣故,在此設(shè)計(jì)中需低導(dǎo)通電容開關(guān)。首先,由于基帶處理器和高速當(dāng)手機(jī)進(jìn)入高速模式時(shí),USB控制器輸出在連接器側(cè)共享相同的D+/D-引腳USB模式(例如音樂下載或閃存功用),須要減低基帶/。全速控制器的輸出電容。D+/D-線上的任何附加電容都會毀損Hi-Speed的眼圖USB信號。其次,在高速USB模式下,須要切斷D+/D-線上的剩余走線。上海金樽自動化控制科技有限公司為您提供八路模擬開關(guān)板,歡迎您的來電哦!上海單八路模擬開關(guān)板報(bào)價(jià)

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