導(dǎo)通電阻越發(fā)大，對(duì)于PMOS而言，S級(jí)的電壓越高，導(dǎo)通電阻愈加小。圖3導(dǎo)通電阻隨輸入信號(hào)電壓變化的曲線(xiàn)2）導(dǎo)通電阻的阻值與溫度有關(guān)：當(dāng)VDD和VSS固定不變時(shí)，隨著溫度的升高，導(dǎo)通電阻的曲線(xiàn)總體向上平移。圖4導(dǎo)通電阻隨溫度變動(dòng)的曲線(xiàn)3）導(dǎo)通電阻的平坦度：On-resistanceflatness圖5On-resistanceflatness在一定的輸入電壓范圍內(nèi)，導(dǎo)通電阻的最大值與最小值的差叫作導(dǎo)通電阻的平坦度，這個(gè)值越大，解釋導(dǎo)通電阻的變化大幅度越大。(3).影響在這里，我們通過(guò)一個(gè)仿真實(shí)例來(lái)觀察一下導(dǎo)通電阻及平坦度對(duì)于系統(tǒng)的影響，如圖6。為了更容易地觀察到影響，我們選取設(shè)立R1和R2為100Ω。圖6MUX36S08仿真電路圖7輸入及輸出波形從仿真的結(jié)果我們可以看出：1）輸出電壓并不是我們輸入電壓乘以放大百分比后的結(jié)果，這是因?yàn)橛袑?dǎo)通電阻的存在。2）輸出電壓隨輸入電壓的并不是線(xiàn)性聯(lián)系，這是因?yàn)镽on隨著Vin在轉(zhuǎn)變，會(huì)在輸出端引入非線(xiàn)性誤差。所以，Ron的平坦度越小，輸出的非線(xiàn)性誤差越小。2.漏電流Leakagecurrent(1).概念1)Sourceoff-leakagecurrent:在開(kāi)關(guān)斷開(kāi)時(shí)，從源極注入或流出的電流稱(chēng)做Is(off)，如圖8。2)Drainoff-leakagecurrent:在開(kāi)關(guān)斷開(kāi)時(shí)，從漏極注入或流出的電流稱(chēng)做Id。上海金樽自動(dòng)化控制科技有限公司是一家專(zhuān)業(yè)提供八路模擬開(kāi)關(guān)板的公司，歡迎您的來(lái)電哦！浙江編程八路模擬開(kāi)關(guān)板哪家好

    響度控制、水位監(jiān)測(cè)用模擬開(kāi)關(guān)：模擬開(kāi)關(guān)，雙向模擬開(kāi)關(guān)，四通道雙向模擬開(kāi)關(guān)類(lèi)型：家電描述：TC4066是東芝推出的一款四通道雙向模擬開(kāi)關(guān)，模擬開(kāi)關(guān)在電子裝置中主要起接通信號(hào)或斷開(kāi)信號(hào)的功用。由于模擬開(kāi)關(guān)具有功耗低、速度快、無(wú)機(jī)械觸點(diǎn)、體積小和用到壽命長(zhǎng)等特性，因而，在自動(dòng)控制系統(tǒng)和電腦中取得了普遍應(yīng)用。每個(gè)通道由一個(gè)支配極和一個(gè)輸入一個(gè)輸出端組成，為了實(shí)現(xiàn)雙向?qū)?，機(jī)能部分有一個(gè)PMOS和一個(gè)NMOS并聯(lián)，門(mén)極信號(hào)分為兩路，一路直接驅(qū)動(dòng)NMOS，另一路經(jīng)反相器反相后驅(qū)動(dòng)PMOS，確保雙向?qū)?。型?hào)TC4066電源電壓VDD控制輸入電壓VCIN開(kāi)啟電阻RON70Ω關(guān)閉電阻Roff>10^9Ω下圖展示了在一些自動(dòng)檢查水位的實(shí)際上應(yīng)用，當(dāng)器皿里的水日益升高時(shí)，操縱極端子依次被浸沒(méi)，則LED依次被導(dǎo)通展開(kāi)顯示水位，水滿(mǎn)后自動(dòng)斷開(kāi)水源，因此他可以運(yùn)用在洗衣機(jī)等領(lǐng)域自動(dòng)支配水位。 浙江集成電路八路模擬開(kāi)關(guān)板應(yīng)用介紹上海金樽自動(dòng)化控制科技有限公司是一家專(zhuān)業(yè)提供八路模擬開(kāi)關(guān)板的公司，有想法的不要錯(cuò)過(guò)哦！

    例如部件的結(jié)構(gòu)、材料、尺寸、處理工藝和技術(shù)，以便更清楚地理解本發(fā)明。但正如本領(lǐng)域的技術(shù)人員能夠理解的那樣，可以不按照這些特定的細(xì)節(jié)來(lái)實(shí)現(xiàn)本發(fā)明。應(yīng)當(dāng)理解，在以下的描述中，“電路”可包括單個(gè)或多個(gè)組合的硬件電路、可編程電路、狀態(tài)機(jī)電路和/或能存儲(chǔ)由可編程電路執(zhí)行的指令的元件。當(dāng)稱(chēng)元件或電路“連接到”另一元件或稱(chēng)元件/電路“連接在”兩個(gè)節(jié)點(diǎn)之間時(shí)，它可以直接耦合或連接到另一元件或者可以存在中間元件，元件之間的連接可以是物理上的、邏輯上的、或者其結(jié)合。相反，當(dāng)稱(chēng)元件“直接耦合到”或“直接連接到”另一元件時(shí)，意味著兩者不存在中間元件。圖3示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的一種模擬開(kāi)關(guān)電路的電路示意圖。如圖3所示，模擬開(kāi)關(guān)電路300包括模擬開(kāi)關(guān)301和掉電保護(hù)電路302。模擬開(kāi)關(guān)301包括開(kāi)關(guān)管mp1和開(kāi)關(guān)管mn1，開(kāi)關(guān)管mp1為pmos管，開(kāi)關(guān)管mn1為nmos管。開(kāi)關(guān)管mp1和開(kāi)關(guān)管mn1并聯(lián)連接，二者的漏極彼此連接且都連接至信號(hào)輸入端a，二者的源極彼此連接且都連接至信號(hào)輸出端y，開(kāi)關(guān)管mp1的襯底與掉電保護(hù)電路302連接，開(kāi)關(guān)管mn1的襯底接地。掉電保護(hù)電路302用于在電源電壓掉電時(shí)根據(jù)信號(hào)輸入端a、信號(hào)輸出端y以及電源端的電位更高者得到一參考電壓vmax。

    晶體管m6和晶體管m7根據(jù)參考電壓vmax將開(kāi)關(guān)管mp1的柵極電壓保持在參考電壓vmax，此時(shí)開(kāi)關(guān)管mp1的柵源電壓為：vgs＝vmax-vy＝由上式可以看出，掉電保護(hù)電路302可在電源電壓掉電時(shí)將開(kāi)關(guān)管mp1的柵源電壓vgs保持在，小于開(kāi)關(guān)管mp1的導(dǎo)通閾值vtp(本實(shí)施例的pmos管的導(dǎo)通閾值vtp為)，因此當(dāng)電源電壓掉電時(shí)開(kāi)關(guān)管mp1可以一直處于截止?fàn)顟B(tài)，進(jìn)一步解決了電源電壓掉電時(shí)開(kāi)關(guān)管mp1的誤導(dǎo)通造成的信號(hào)泄露問(wèn)題。在上述實(shí)施例中以單通道的模擬開(kāi)關(guān)電路對(duì)本發(fā)明的掉電保護(hù)電路進(jìn)行了說(shuō)明。需要說(shuō)明的是，本發(fā)明實(shí)施例的掉電保護(hù)電路也適用于其他通道數(shù)量的模擬開(kāi)關(guān)電路，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以根據(jù)具體情況進(jìn)行適應(yīng)性修改。如圖4示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的另一種模擬開(kāi)關(guān)電路的電路示意圖，圖4中的模擬開(kāi)關(guān)電路400例如為單刀雙擲開(kāi)關(guān)，包括模擬開(kāi)關(guān)401、掉電保護(hù)電路402、驅(qū)動(dòng)電路403、模擬開(kāi)關(guān)404、以及驅(qū)動(dòng)電路405。模擬開(kāi)關(guān)401包括開(kāi)關(guān)管mp1和開(kāi)關(guān)管mn1，開(kāi)關(guān)管mp1為pmos管，開(kāi)關(guān)管mn1為nmos管。開(kāi)關(guān)管mp1和開(kāi)關(guān)管mn1并聯(lián)連接，二者的漏極彼此連接且都連接至信號(hào)輸入端a，二者的源極彼此連接且都連接至信號(hào)輸出端y，開(kāi)關(guān)管mp1的襯底與掉電保護(hù)電路402連接，開(kāi)關(guān)管mn1的襯底接地。上海金樽自動(dòng)化控制科技有限公司致力于提供八路模擬開(kāi)關(guān)板，有想法的可以來(lái)電咨詢(xún)！

    在測(cè)試測(cè)量相關(guān)應(yīng)用中，模擬開(kāi)關(guān)和多路復(fù)用器具有十分普遍的應(yīng)用，例如運(yùn)放的增益調(diào)節(jié)、ADC分時(shí)搜集多路傳感器信號(hào)等等。雖然它的機(jī)能很簡(jiǎn)單，但是依然有很多細(xì)節(jié)，需大家在用到的過(guò)程中留意。所以，在這里為大家介紹一下模擬開(kāi)關(guān)和多路復(fù)用器的根基參數(shù)。在開(kāi)始介紹基石的參數(shù)之前，我們有必要介紹一下模擬開(kāi)關(guān)和多路復(fù)用器的基本單元MOSFET開(kāi)關(guān)的基本構(gòu)造。一.MOSFET開(kāi)關(guān)的架構(gòu)MOSFET開(kāi)關(guān)常見(jiàn)的架構(gòu)有3種，如圖1所示。1）NFET。2）NFET和PFET。3）含有電荷泵的NFET。三種架構(gòu)各有特色，詳實(shí)的介紹，可以參閱《TIPrecisionLabs-SwitchesandMultiplexers》培訓(xùn)視頻和《SelectingtheRightTexasInstrumentsSignalSwitch》應(yīng)用文檔。本文主要基于NFET和PFET架構(gòu)進(jìn)行介紹和仿真，但是關(guān)乎到的定義在三種架構(gòu)中都是適用的。圖1MOSFET開(kāi)關(guān)構(gòu)造另外，需留意的是，此處的MOSFET構(gòu)造，S和D是對(duì)稱(chēng)的，所以在功用上是可以對(duì)調(diào)的，也因此，開(kāi)關(guān)是雙向的，為了便于討論，我們統(tǒng)一把S極作為輸入。二.模擬開(kāi)關(guān)和多路復(fù)用器直流參數(shù)介紹1.導(dǎo)通電阻OnResistance(1).概念圖2OnResistance概念(2).特征1）隨輸入信號(hào)電壓而變動(dòng)：當(dāng)芯片的供電電壓固定時(shí)，對(duì)于NMOS而言，S級(jí)的電壓越高。八路模擬開(kāi)關(guān)板，就選上海金樽自動(dòng)化控制科技有限公司，讓您滿(mǎn)意，歡迎您的來(lái)電哦！上?？刂瓢寺纺M開(kāi)關(guān)板應(yīng)用介紹

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由于在重大工程、工業(yè)裝備和質(zhì)量保證、基礎(chǔ)科研中，儀器儀表都是必不可少的基礎(chǔ)技術(shù)和裝備重點(diǎn)，除傳統(tǒng)領(lǐng)域的需求外，新興的智能制造、離散自動(dòng)化、生命科學(xué)、新能源、海洋工程、軌道交通等領(lǐng)域也會(huì)產(chǎn)生巨大需求。中國(guó)的新型工業(yè)化進(jìn)程，信息化和工業(yè)化融合的進(jìn)一步加深，帶動(dòng)各個(gè)工業(yè)領(lǐng)域?qū)τ诘蜏卦囼?yàn)箱，高低溫試驗(yàn)箱，**除濕機(jī)，溫度控制器等產(chǎn)品的需求。儀器儀表應(yīng)用領(lǐng)域?qū)挿?，覆蓋了自動(dòng)化控制專(zhuān)業(yè)技術(shù)四技服務(wù)，制冷設(shè)備及樓宇智能化布線(xiàn)，機(jī)電產(chǎn)品，五金交電，電線(xiàn)電纜，日用百貨，建筑材料，批發(fā)，零售；自動(dòng)化控制系統(tǒng)，制冷設(shè)備的設(shè)計(jì)、制造及相關(guān)配套工程設(shè)計(jì)、安裝、調(diào)試；液壓產(chǎn)品的設(shè)計(jì)、制造?！疽婪毥?jīng)批準(zhǔn)的項(xiàng)目，經(jīng)相關(guān)部門(mén)批準(zhǔn)后方可開(kāi)展經(jīng)營(yíng)活動(dòng)】 等各方面，在國(guó)民經(jīng)濟(jì)建設(shè)各行各業(yè)的運(yùn)行過(guò)程中承擔(dān)著把關(guān)者和指導(dǎo)者的任務(wù)，儀器儀表制造行業(yè)可以分為通用儀表儀器制造、**儀器儀表制造、鐘表與計(jì)時(shí)儀器制造、光學(xué)儀器制造和衡器制造。貿(mào)易專(zhuān)業(yè)化發(fā)展是中國(guó)儀器儀表產(chǎn)業(yè)的又一發(fā)展趨勢(shì)，隨著科技水平的提高，儀器儀表產(chǎn)品不僅用在日常的測(cè)量、調(diào)節(jié)、測(cè)溫、顯示等設(shè)備中，而且開(kāi)始運(yùn)用在不同的領(lǐng)域之中。浙江編程八路模擬開(kāi)關(guān)板哪家好

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