柵極與晶體管m2和晶體管m3的中間節(jié)點連接。其中，晶體管m1、晶體管m2和晶體管m4為pmos管，晶體管m3為nmos管。在現(xiàn)有技術的模擬開關電路200中，當電源電壓vcc發(fā)生掉電時，晶體管m1導通并將開關管mp1的襯底連接到信號輸入端a，可以避免當信號輸入端a有輸入信號時開關管mp1的誤導通。但是模擬開關電路200的開關管mp1仍然具有誤導通的風險，例如當信號輸出端y存在信號時仍然可以導通開關管mp1的寄生二極管，形成從信號輸出端y至信號輸入端a的信號通路，從而產(chǎn)生信號泄露，尤其對于多通道的模擬開關電路來說這種信號泄露情況更加明顯。技術實現(xiàn)要素：有鑒于此，本發(fā)明的目的在于提供一種模擬開關電路，解決了電源電壓掉電時模擬開關誤導通造成的信號泄露問題。根據(jù)本發(fā)明實施例，提供了一種模擬開關電路，包括至少一個信號輸入端和信號輸出端，其中，所述模擬開關電路還包括：至少一個模擬開關，每個所述模擬開關都包括連接于對應的所述信號輸入端和信號輸出端之間的p型開關管；至少一個驅動電路，所述驅動電路用于控制對應的模擬開關的p型開關管的導通和關斷；以及掉電保護電路。上海金樽自動化控制科技有限公司是一家專業(yè)提供八路模擬開關板的公司，歡迎您的來電！無錫單片機八路模擬開關板阻燃

    在測試測量相關應用中，模擬開關和多路復用器具有十分普遍的應用，例如運放的增益調節(jié)、ADC分時收集多路傳感器信號等等。雖然它的機能很簡單，但是依然有很多細節(jié)，需大家在采用的過程中留意。所以，在這里為大家介紹一下模擬開關和多路復用器的基本參數(shù)。在開始介紹根基的參數(shù)之前，我們有必要介紹一下模擬開關和多路復用器的基本單元MOSFET開關的基本構造。一.MOSFET開關的架構MOSFET開關常見的架構有3種，如圖1所示。1）NFET。2）NFET和PFET。3）隱含電荷泵的NFET。三種架構各有特征，詳實的介紹，可以參看《TIPrecisionLabs-SwitchesandMultiplexers》培訓視頻和《SelectingtheRightTexasInstrumentsSignalSwitch》應用文檔。本文主要基于NFET和PFET架構進行介紹和仿真，但是關乎到的定義在三種架構中都是適用的。圖1MOSFET開關構造另外，需留意的是，此處的MOSFET構造，S和D是對稱的，所以在功用上是可以交換的，也因此，開關是雙向的，為了便于討論，我們統(tǒng)一把S極作為輸入。二.模擬開關和多路復用器直流參數(shù)介紹1.導通電阻OnResistance(1).概念圖2OnResistance概念(2).特征1）隨輸入信號電壓而變動：當芯片的供電電壓固定時，對于NMOS而言，S級的電壓越高。雙電源八路模擬開關板怎么用上海金樽自動化控制科技有限公司為您提供八路模擬開關板，期待您的光臨！

    輸入信號從信號輸入端b傳輸至信號輸出端y。傳統(tǒng)的模擬開關電路100在電源電壓掉電時可能具有信號泄露的風險。以模擬開關101為例，開關管mp1的源極和襯底之間以及漏極和襯底之間都存在寄生二極管，如果電源電壓掉電時信號輸入端a的輸入信號的電壓大于寄生二極管的正向導通電壓時，開關管mp1的寄生二極管將正向導通，形成信號輸入端a到電源電壓vcc的漏電流。如果電源電壓掉電時該輸入信號的電壓大于開關管mp1的導通閾值，此時開關管mp1的柵源電壓大于晶體管的導通閾值，開關管mp1將導通，形成信號輸入端a到信號輸出端y之間的通路，造成信號的泄露。圖2示出根據(jù)現(xiàn)有技術的一種模擬開關電路的電路示意圖。如圖2所示，模擬開關電路200包括模擬開關201和掉電保護電路202。掉電保護電路202包括晶體管m1至m4以及電阻r1和電阻r2。晶體管m1的漏極與開關管mp1的襯底連接，源極與電阻r1連接，電阻r1的另一端連接至信號輸入端a。晶體管m1的柵極與電阻r2的一端連接，電阻r2的另一端連接至電源電壓vcc。晶體管m2和晶體管m3依次串聯(lián)連接在晶體管m1和電阻r1的中間節(jié)點與地之間。晶體管m4的漏極與開關管mp1的襯底連接，源極與晶體管m1和電阻r2的中間節(jié)點連接。

    2).特征圖23簡化的MUX內(nèi)部的開關模型及通道間串擾隨信號頻率的變化ChanneltoChannelcrosstalk是和頻率有關的一種現(xiàn)象。主要是由于關斷狀況下寄生電容致使的。有時，也會由于布局技術不佳而引入了寄生電容，展現(xiàn)為串擾。CSS表示兩個輸入通道之間的寄生電容。這也許是傳輸信號的兩個輸入走線之間的電容，或者是多路復用器的兩個輸入引腳之間的電容。在較低頻率的時候，從S1到OUTPUT的阻抗是RON，因為S2是斷開的，從S2到OUTPUT的阻抗十分高。隨著強加到S1的輸入信號的頻率增加，寄生電容CSD的阻抗變得更低，并在S2引入了一部分S1的輸入信號。相同的法則，寄生電容CSS隨頻率的增加也會將一部分輸入信號直接耦合到斷開的通道S2。縮減雜散電容的電路板布置技術也會有助于通道間的串擾疑問。5.關斷隔離Offisolation(1).概念關斷隔離概念為當在關閉通道的源極引腳上強加已知信號時在多路復用器輸出引腳上引入的電壓。圖24關斷隔離示意圖(2).特色圖25簡化的MUX內(nèi)部的開關模型及關斷隔離隨信號頻率的變化像串擾一樣，關斷隔離也是一種與頻率相關的現(xiàn)象，由于模擬開關或多路復用器的OFF狀況寄生電容CSD而時有發(fā)生。而開關在截止狀況的寄生電容又取決多個因素。八路模擬開關板，就選上海金樽自動化控制科技有限公司，讓您滿意，歡迎您的來電哦！

    這些開關管的響應速度快，開通時間μs;低靜態(tài)電流節(jié)約關閉狀況功耗。低導通電阻和低失真以及低串擾保證信號完整性上佳。內(nèi)部過熱關斷和欠壓鎖保護(UVLO)機能保證開關安全工作。這款先進產(chǎn)品使用意法半導體專有的BCD6s-SOI(絕緣體上硅)和BCD8sSOI制造工藝，在同一芯片上集成精細模擬電路(雙極晶體管)、低壓CMOS邏輯電路和穩(wěn)健精確的DMOS功率級。STHV64SW可以采用高達-100V/+100V、0V/200V或-200V/0V的各種高壓電源組合。目前已有創(chuàng)新的高科技裝置使用STHV64SW，例如，工業(yè)無損檢測(NDT)超聲波探傷儀和經(jīng)濟便攜的醫(yī)學超聲回波影像診斷裝置，其中后者正在提高邊遠小村地區(qū)的產(chǎn)前保健水準。與不久前推出的配套產(chǎn)品STHV160016通道脈沖發(fā)生器芯片一樣，這款高集成度的64通道模擬開關芯片同樣使用了連貫的FCBGA封裝，讓系統(tǒng)制造商能夠提高通道密度，實現(xiàn)杰出的超聲圖像分辨率，而占用很小的電路板空間。STHV64SW業(yè)已上市，使用BGA-196封裝。STEVAL-IME015V1評估板也已上市。、74HCT4053是一款三路二選一模擬開關電路，它的優(yōu)點是能夠通過交流信號，筆者一般用它切換不同的音頻通道或者直流控制電壓。如上圖，X0,X1,X為一組；Y0,Y1,Y為一組；Z0,Z1,Z為一組；這三組信號分別受A,B。 八路模擬開關板，就選上海金樽自動化控制科技有限公司，用戶的信賴之選，有需要可以聯(lián)系我司哦！無錫編程八路模擬開關板批發(fā)價格

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    在輸出端引入的誤差會越小。但同時，要注意到，流入電荷是一個與供電電壓、輸入信號都有關的一個參數(shù)。因此，當輸入信號的電壓在轉變時，會在輸出端產(chǎn)生一個非線性的誤差。所以在選在MUX時，除了要留意chargeinjection的值以外，也要留意chargeinjection在輸入范圍內(nèi)的平坦度。圖18MUX36S08chargeinjection曲線TMUX6104精細模擬多路復用器采用特別的電荷流入掃除電路，可將源極-漏極電荷流入在VSS=0V時降至pC，在整個信號范圍內(nèi)降至pC。圖19TMUX6104ChargeInjection曲線3.帶寬Bandwidth(1).概念當開關開啟時，在漏極的輸出刪除至源極輸入衰減3dB時的頻率，如圖20所示。圖20帶寬概念(2).計算方式圖21簡化的MUX內(nèi)部的開關模型為了簡化分析，我們忽視RS和CS。根據(jù)圖21中的阻容網(wǎng)絡，我們可以寫出該電路的傳遞函數(shù)：其中，3dBcutofffrequency:根據(jù)這個公式，結合MUX和載荷的參數(shù)，我們就可以算出來在當前條件下MUX的帶寬了。4.通道間串擾ChanneltoChannelcrosstalk(1).概念圖22通道間串擾示意圖通道間串擾概念為當已知信號強加到導通通道的源極引腳時，在截止通道的源極引腳上出現(xiàn)的電壓。。無錫單片機八路模擬開關板阻燃

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