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徐匯區(qū)碳化硅

來源: 發(fā)布時間:2023-04-26

與傳統(tǒng)硅基器件相比,SiC的擊穿場強是傳統(tǒng)硅基器件的10倍,導(dǎo)熱系數(shù)是傳統(tǒng)硅基器件的3倍,非常適合于高壓應(yīng)用,如電源、太陽能逆變器、火車和風(fēng)力渦輪機。另外,SiC還用于制造LED。碳化硅材料各項指標(biāo)均優(yōu)于硅,其禁帶寬度幾乎是硅的3倍,理論工作溫度可達(dá)600℃,遠(yuǎn)高于硅器件工作溫度。技術(shù)成熟度較高,應(yīng)用潛力較大。碳化硅器件具有更低的導(dǎo)通電阻。在低擊穿電壓 (約 50V 下),碳化硅器件的比導(dǎo)通 電阻只有 1.12uΩ,是硅同類器件的約 1/100。在高擊穿電壓 (約 5kV 下),比導(dǎo)通電 阻提高到 25.9mΩ, 卻是硅同類器件的約 1/300。 更低的導(dǎo)通電阻使得碳化硅電力電子器件具有更小的導(dǎo)通損耗,從而能獲得更高的整機效率。碳化硅便于控制化學(xué)成分,提高鋼的質(zhì)量。徐匯區(qū)碳化硅

碳化硅(SiC)材料是功率半導(dǎo)體行業(yè)主要進步發(fā)展方向,用于制作功率器件,可顯著提高電能利用率。可預(yù)見的未來內(nèi),新能源汽車是碳化硅功率器件的主要應(yīng)用場景。特斯拉作為技術(shù)先驅(qū),已率先在Model 3中集成全碳化硅模塊,其他車企亦皆計劃擴大碳化硅的應(yīng)用。隨著碳化硅器件制造成本的日漸降低、工藝技術(shù)的逐步成熟,碳化硅功率器件行業(yè)未來可期。碳化硅(SiC)是第三代化合物半導(dǎo)體材料。半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的基石是芯片,制作芯片的重要材料按照歷史進程分為:一代半導(dǎo)體材料(大部分為目前普遍使用的高純度硅),第二代化合物半導(dǎo)體材料(砷化鎵、磷化銦),第三代化合物半導(dǎo)體材料(碳化硅、氮化鎵) 。碳化硅因其優(yōu)越的物理性能:高禁帶寬度(對應(yīng)高擊穿電場和高功率密度)、高電導(dǎo)率、高熱導(dǎo)率,將是未來較被普遍使用的制作半導(dǎo)體芯片的基礎(chǔ)材料。 虹口區(qū)碳化硅可以定制嗎煉得的碳化硅塊,經(jīng)破碎、酸堿洗、磁選和篩分而制成各種粒度的產(chǎn)品。

開關(guān)頻率高于20KHz時,全SiC模塊的輸出功率比IGBT模塊高100%以上。此外,輸出功率對開關(guān)頻率的依賴也小。反過來,全SiC功率模塊可用于非常高的開關(guān)頻率,因為與10kHz時的輸出功率相比,40kHz時的輸出功率只低28%。當(dāng)開關(guān)頻率低于5kHz時,IGBT模塊顯示出較高的輸出功率。這是以內(nèi)全SiC的模塊中所用的SiC芯片組是針對非常高的開關(guān)頻率而優(yōu)化的。針對較低開關(guān)頻率的優(yōu)化也是可能的。再次,通過考慮用于硅和SiC芯片的芯片面積,來處理這兩個模塊的功率密度是有用的。在圖4b中,輸出功率除以芯片面積得到功率密度。

碳化硅至少有70種結(jié)晶型態(tài)。α-碳化硅為較常見的一種同質(zhì)異晶物,在高于2000 °C高溫下形成,具有六角晶系結(jié)晶構(gòu)造(似纖維鋅礦)。β-碳化硅,立方晶系結(jié)構(gòu),與鉆石相似,則在低于2000 °C生成,結(jié)構(gòu)如頁面附圖所示。雖然在異相觸媒擔(dān)體的應(yīng)用上,因其具有比α型態(tài)更高之單位表面積而引人注目,而另一種碳化硅,μ-碳化硅較為穩(wěn)定,且碰撞時有較為悅耳的聲音,但直至現(xiàn)在,這兩種型態(tài)尚未有商業(yè)上之應(yīng)用。因其3.2g/cm3的比重及較高的升華溫度(約2700 °C) [1] ,碳化硅很適合做為軸承或高溫爐之原料物件。在任何已能達(dá)到的壓力下,它都不會熔化,且具有相當(dāng)?shù)偷幕瘜W(xué)活性。由于其高熱導(dǎo)性、高崩潰電場強度及高較大電流密度,在半導(dǎo)體高功率元件的應(yīng)用上,不少人試著用它來取代硅。此外,它與微波輻射有很強的耦合作用,并其所有之高升華點,使其可實際應(yīng)用于加熱金屬。 碳化硅的工業(yè)制法是用優(yōu)良石英砂和石油焦在電阻爐內(nèi)煉制。

碳化硅(SiC)功率器件耐高溫、抗輻射、具有較高的擊穿電壓和工作頻率,適于在惡劣條件下工作,特別是與傳統(tǒng)的硅(Si)功率器件相比,碳化硅功率器件可將功耗降低一半,因此可大幅度降低開關(guān)電源、電機驅(qū)動器等電路的熱耗、體積和重量。雖然,碳化硅功率器件在近幾年才向市場推廣,但目前已應(yīng)用于混合動力汽車和電動汽車設(shè)備中,正因其在很多方面具有普通硅功率器件****的優(yōu)點,把碳化硅功率器件向航天電子產(chǎn)品中推廣就具有了很重要的實際意義。 碳化硅功率器件在航天電子產(chǎn)品中的應(yīng)用:根據(jù)上述分析,結(jié)合航天實際,碳化硅功率器件在航天電子產(chǎn)品中的應(yīng)用主要集中在下面幾個領(lǐng)域。在實驗室偶然發(fā)現(xiàn)的一種碳化物。虹口區(qū)碳化硅可以定制嗎

用以制成的耐火材料,耐熱震、體積小、重量輕而強度高,節(jié)能效果好。徐匯區(qū)碳化硅

根據(jù)中國機床工業(yè)協(xié)會磨料磨具專委會碳化硅**人員會的數(shù)據(jù),截至2012年底,全球碳化硅產(chǎn)能達(dá)260萬噸以上,產(chǎn)能達(dá)到1萬噸以上的國家有13個,占全球總產(chǎn)能的98%。其中中國碳化硅產(chǎn)能達(dá)到220萬噸,占全球總產(chǎn)能的84%。中國碳化硅冶煉企業(yè)主要分布在甘肅、寧夏、青海、新疆、四川等地,約占總產(chǎn)能85%。2012年在中國經(jīng)濟發(fā)展速度放緩的情況下,生產(chǎn)情況普遍不理想,加之光伏企業(yè)舉步維艱,碳化硅作為耐材、磨料和光伏行業(yè)的基礎(chǔ)原材料,出口和內(nèi)銷均大幅下滑。綠碳化硅微粉加工企業(yè)更是身陷光伏企業(yè)的債務(wù)鏈條,多數(shù)冶煉企業(yè)沒有開工,或者短暫開工后即停產(chǎn)。徐匯區(qū)碳化硅

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