國產(chǎn)電平轉(zhuǎn)換芯片匹配問題：TTL和CMOS的邏輯電平按典型電壓可分為四類：、、、5V系列（包括5V-TTL/CMOS）。5V-TTL與5V-CMOS為通用邏輯電平。。電平相關(guān)模式和要求介紹：①輸入低電平Vil：邏輯門輸入為低電平時,保證所允許比較大輸入低電平,當輸入電平低于Vil時,則認為輸入為低電平。②輸入高電平Vih：邏輯門輸入為高電平時,保證所允許比較小輸入高電平。當輸入電平高于Vih時,則認為輸入為高電平。③輸出低電平Vol：保證邏輯門輸出為低電平時的輸出電平之比較大值,邏輯門輸出為低電平時的電平值都必須小于此Vol。④輸出高電平Voh：保證邏輯門輸出為高電平時的輸出電平之最小值,門輸出為高電平時的電平值都必須大于此Voh。⑤閥值電平Vt：數(shù)字電路芯片閾值電平是一個界于Vil/Vih之間的電壓值。CMOS閾值電平,約為1/2電源電壓值,如需輸出之穩(wěn)定,則要求輸入高電平>Vih,輸入低電平。江蘇潤石RS0202替換TI-TXB0102；Nexperia-NLSX3012，ON-NXB0102,NLSX5002，NLSX5012.汽車電子.電平轉(zhuǎn)換,運放,比較器,模擬開關(guān),電壓基準源。 電壓電平轉(zhuǎn)換芯片江蘇潤石電平轉(zhuǎn)換芯片國產(chǎn)替代。江蘇車輛控制單元VCU芯片潤石芯片供應商

    汽車電子功率晶體管（GTR）應用：功率晶體管是一種高反壓雙極性大功率電子元器件,曾稱為電力晶體管。具有飽和壓降低、有自關(guān)斷能力、開關(guān)時間短、安全工作區(qū)寬等優(yōu)點。現(xiàn)已提供功率晶體管組合器件,如單片達林頓晶體管,或功率晶體管模塊。功率晶體管組合器件在直流脈寬調(diào)速和交流矢量控制的PWM調(diào)速中廣為應用。某公司GTR模塊的三種類型：①Z系列：開關(guān)時間縮短、耐受較大的短路電流。②M系列：具有高放大倍數(shù)。③ZP/ZN系列：短引線、簡單的緩沖電路,可匹配基極驅(qū)動電路模塊。應用廣：①作為放大器,用于電源串聯(lián)調(diào)壓電路,音頻和超聲波放大等。②作為大功率半導體開關(guān)、電機控制、不停電電源、汽車電子。③GTR模塊,用于交流傳動、逆變器、開關(guān)電源。△拓展-GTR:電力晶體管。耐高電壓、大電流。雙極結(jié)型晶體管。在電力電子技術(shù)中,GTR與BJT這兩個名稱等效。主要特性：大電流、高耐壓、開關(guān)特性好。常用兩個以上的電力晶體管,按達林頓模式組成單元。 廣州新能源芯片潤石芯片解決方案模擬芯片能支持新能源的哪些應用?。

    通信芯片國產(chǎn)替換---以太網(wǎng)百兆PHY芯片RPC8201F：以太網(wǎng)PHY芯片是一種鏈接外界信號的通信接口芯片。通信芯片是網(wǎng)卡中的主核芯片,這個通信芯片的性能對網(wǎng)卡的層級起到?jīng)Q定性的作用。通信芯片集成了多種功能,如信號識別,調(diào)制解調(diào),電源管理等。網(wǎng)卡構(gòu)造中,物理層主定義數(shù)據(jù)收發(fā),并向數(shù)據(jù)鏈路層提供標準接口。在以太網(wǎng)卡中，物理層通信芯片被稱為PHY,數(shù)據(jù)鏈路層通信芯片則稱為MAC控制器。這是一款國產(chǎn)PHY通信芯片，簡介如下：以太網(wǎng)百兆PHY芯片——RPC8201F：品牌：RPCOM，型號：RPC8201F，品類：以太網(wǎng)通信芯片。電源電壓：，工作溫度：-20C--90C，規(guī)格：長，寬：，高：。汽車電子.電平轉(zhuǎn)換器.運算放大器.比較器.模擬開關(guān).電壓基準源.邏輯芯片.通信芯片接口串口芯片國產(chǎn)替代方案支持詳情點入。

    汽車電子之高性能碳化硅場效應晶體管新工藝：碳化硅（SiC）是電力電子中重要的半導體材料之一，在汽車電子、電力等領(lǐng)域廣為應用。SiCMOSFET的技術(shù)瓶頸是其柵氧層界面質(zhì)量差導致溝道遷移率低?，F(xiàn)國內(nèi)科研團隊提出一種用低溫超臨界二氧化碳，或超臨界一氧化二氮流體的低溫退火工藝。以提高4H-SiCMOSFET中4H-SiC/SiO2界面的質(zhì)量。通過增壓，二氧化碳和一氧化二氮在接近室溫時更容易進入超臨界流體狀態(tài)。SCF態(tài)是物質(zhì)的一種特殊相，它具有氣體一樣的高滲能力和液體一樣的高溶度，幾無表面張力。因此可將SCCO2或SCN2O流體引入界面來減小陷阱，而不會造成新的損傷。該研究成果不僅實現(xiàn)了高質(zhì)量SiO2/SiC界面、高的溝道遷移率和介電可靠性，更可喜的是，其高效低溫退火工藝與標準SiCMOSFET制造工藝兼容，為制備高性能SiCMOSFET器件提供了新的有效方法，方便用于商用器件和汽車電子器件的制備。上述研究成果論文在第67屆電氣電子工程師學會（IEEE）國際電子器件會議上發(fā)表。獲國家重點研發(fā)計劃、國家自然科學基金等支持。 信息技術(shù)應用創(chuàng)新產(chǎn)業(yè)系列芯片國產(chǎn)替換。

    IGBT怎樣應用于汽車電子：IGBT即絕緣柵雙極型晶體管，是復合全控型電壓驅(qū)動式功率器件,兼有MOSFET高輸入阻抗和GTR（功率晶體管）低導通壓降兩方面的優(yōu)點。其特點：高輸入阻抗，可采用通用型低成本的驅(qū)動電路。高速開關(guān)特性，導通狀態(tài)低損耗。IGBT驅(qū)動功率小而飽和壓降低，適于中大功率電力電子應用，綜合優(yōu)勢明顯，尤適用于直流電壓600V或以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關(guān)電源、牽引傳動等。IGBT是能源轉(zhuǎn)換傳輸?shù)闹髌骷?，是電力電子設(shè)備的內(nèi)核。IGBT是一種大功率的電力電子系統(tǒng)中理想的開關(guān)，特點為高壓、高速、大電流。使用IGBT進行功率變換，能提高用電效能，綠色環(huán)保，是節(jié)能減排重要技術(shù)之一。IGBT應用領(lǐng)域廣，如新能源汽車電子，工控變頻，家電變頻，軌道交通，風力光伏發(fā)電等。IGBT在汽車電子中是主核部件：例如–汽車電控系統(tǒng)；大功率直交流逆變；汽車電機；空調(diào)；小功率直交流逆變（采用電流較小的IGBT等）。在智能充電樁中，IGBT作為開關(guān)器件使用。 空調(diào)解決方案國產(chǎn)芯片替換。江蘇車輛控制單元VCU芯片潤石芯片供應商

電動汽車車輛控制單元VCU汽車電子國產(chǎn)替換。江蘇車輛控制單元VCU芯片潤石芯片供應商

    工業(yè)控制之國產(chǎn)鉗表芯片解決方案介紹：鉗表是用于測量電氣線路中電流大小的儀表，可在不斷電的情況下進行測量。鉗表的構(gòu)造，是由一個電流互感器和鉗形扳手，以及整流式磁電系有反作用力的儀表所組成。鉗表也有人稱為卡鉗表，是一種用于測量交直流電流的儀表，能用于對電流非接觸式測量，而無需破壞電路和斷開電源。電流卡鉗表應用很廣，電力、電氣、工業(yè)控制、生產(chǎn)制造、科研等領(lǐng)域都能應用。具有使用安全方便、準確的優(yōu)點，成為電子電力領(lǐng)域常用的測試計量工具。電流鉗表芯片和方案支持國產(chǎn)潤石工控嵌表方案：RS857/8,RS2057,RS3226,RS3236。附錄：國產(chǎn)汽車電子運算放大器RS721/2/4P-Q1、RS8551-Q1,RS8412/4-Q1比較器RS331-Q1,RS393-Q1,LM2901-Q1,LM2903-Q1電壓基準源LM2903-Q1,RS431-Q1電平轉(zhuǎn)換芯片RS0108,RS0204邏輯芯片RS4G00,RS4G08,RS1G08,RS1G17,RS1G125。汽車電子。 江蘇車輛控制單元VCU芯片潤石芯片供應商