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EVG?320自動化單晶圓清洗系統(tǒng) 用途：自動單晶片清洗系統(tǒng)，可有效去除顆粒 EVG320自動化單晶圓清洗系統(tǒng)可在處理站之間自動處理晶圓和基板。機械手處理系統(tǒng)可確保在盒到盒或FOUP到FOUP操作中自動預(yù)對準(zhǔn)和裝載晶圓。除了使用去離子水沖洗外，配置選項還包括兆頻，刷子和稀釋的化學(xué)藥品清洗。 特征 多達(dá)四個清潔站 全自動盒帶間或FOUP到FOUP處理 可進行雙面清潔的邊緣處理（可選） 使用1MHz的超音速噴嘴或區(qū)域傳感器（可選）進行高/效清潔 先進的遠(yuǎn)程診斷 防止從背面到正面的交叉污染 完全由軟件控制的清潔過程 GEMINI FB ...

晶圓級封裝是指在將要制造集成電路的晶圓分離成單獨的電路之前，通過在每個電路周圍施加封裝來制造集成電路。由于在部件尺寸以及生產(chǎn)時間和成本方面的優(yōu)勢，該技術(shù)在集成電路行業(yè)中迅速流行起來。以此方式制造的組件被認(rèn)為是芯片級封裝的一種。這意味著其尺寸幾乎與內(nèi)部電子電路所位于的裸片的尺寸相同。 集成電路的常規(guī)制造通常開始于將在其上制造電路的硅晶片的生產(chǎn)。通常將純硅錠切成薄片，稱為晶圓，這是建立微電子電路的基礎(chǔ)。這些電路通過稱為晶圓切割的工藝來分離。分離后，將它們封裝成單獨的組件，然后將焊料引線施加到封裝上。 鍵合機晶圓對準(zhǔn)鍵合是晶圓級涂層，晶圓級封裝，工程襯底智造，晶圓級3D集成和晶...

ComBond自動化的高真空晶圓鍵合系統(tǒng)，高真空晶圓鍵合平臺促進“任何物上的任何東西”的共價鍵合特色技術(shù)數(shù)據(jù)，EVGComBond高真空晶圓鍵合平臺標(biāo)志著EVG獨特的晶圓鍵合設(shè)備和技術(shù)產(chǎn)品組合中的一個新里程碑，可滿足市場對更復(fù)雜的集成工藝的需求ComBond支持的應(yīng)用領(lǐng)域包括先進的工程襯底，堆疊的太陽能電池和功率器件到**MEMS封裝，高性能邏輯和“beyondCMOS”器件ComBond系統(tǒng)的模塊化集群設(shè)計提供了高度靈活的平臺，可以針對研發(fā)和高通量，大批量制造環(huán)境中的各種苛刻的客戶需求量身定制ComBond促進了具有不同晶格常數(shù)和熱膨脹系數(shù)（CTE）的異質(zhì)材料的鍵合，并通過其獨特的氧化物去...

長久鍵合系統(tǒng) EVG晶圓鍵合方法的引入將鍵合對準(zhǔn)與鍵合步驟分離開來，立即在業(yè)內(nèi)掀起了市場**。利用高溫和受控氣體環(huán)境下的高接觸力，這種新穎的方法已成為當(dāng)今的工藝標(biāo)準(zhǔn)，EVG的鍵合機設(shè)備占據(jù)了半自動和全自動晶圓鍵合機的主要市場份額，并且安裝的機臺已經(jīng)超過1500個。EVG的晶圓鍵合機可提供蕞/佳的總擁有成本（TCO），并具有多種設(shè)計功能，可優(yōu)化鍵合良率。針對MEMS，3D集成或gao級封裝的不同市場需求，EVG優(yōu)化了用于對準(zhǔn)的多個模塊。下面是EVG的鍵合機EVG500系列介紹。晶圓鍵合機系統(tǒng) EVG?520 IS，擁有EVG?501和EVG?510鍵合機的所有功能；200 mm的單個或雙腔自動化...

晶圓級封裝的實現(xiàn)可以帶來許多經(jīng)濟利益。它允許晶圓制造，封裝和測試的集成，從而簡化制造過程。縮短的制造周期時間可提高生產(chǎn)量并降低每單位制造成本。 晶圓級封裝還可以減小封裝尺寸，從而節(jié)省材料并進一步降低生產(chǎn)成本。然而，更重要的是，減小的封裝尺寸允許組件用于更***的高級產(chǎn)品中。晶圓級封裝的主要市場驅(qū)動因素之一是需要更小的組件尺寸，尤其是減小封裝高度。 岱美儀器提供的EVG的晶圓鍵合機，可以實現(xiàn)晶圓級封裝的功能。 我們的服務(wù)包括通過安全的連接，電話或電子郵件，對包括現(xiàn)場驗證，進行實時遠(yuǎn)程診斷和設(shè)備/工藝排除故障。江西EVG501鍵合機 用晶圓級封...

ComBond自動化的高真空晶圓鍵合系統(tǒng)，高真空晶圓鍵合平臺促進“任何物上的任何東西”的共價鍵合特色技術(shù)數(shù)據(jù)，EVGComBond高真空晶圓鍵合平臺標(biāo)志著EVG獨特的晶圓鍵合設(shè)備和技術(shù)產(chǎn)品組合中的一個新里程碑，可滿足市場對更復(fù)雜的集成工藝的需求ComBond支持的應(yīng)用領(lǐng)域包括先進的工程襯底，堆疊的太陽能電池和功率器件到**MEMS封裝，高性能邏輯和“beyondCMOS”器件ComBond系統(tǒng)的模塊化集群設(shè)計提供了高度靈活的平臺，可以針對研發(fā)和高通量，大批量制造環(huán)境中的各種苛刻的客戶需求量身定制ComBond促進了具有不同晶格常數(shù)和熱膨脹系數(shù)（CTE）的異質(zhì)材料的鍵合，并通過其獨特的氧化物去...

GEMINI ? FB自動化生產(chǎn)晶圓鍵合系統(tǒng) 集成平臺可實現(xiàn)高精度對準(zhǔn)和熔融 特色 技術(shù)數(shù)據(jù) 半導(dǎo)體器件的垂直堆疊已經(jīng)成為使器件密度和性能不斷提高的日益可行的方法。晶圓間鍵合是實現(xiàn)3D堆疊設(shè)備的重要工藝步驟。EVG的GEMINI FB XT集成熔融系統(tǒng)擴展了當(dāng)前標(biāo)準(zhǔn)，并結(jié)合了更高的生產(chǎn)率，更高的對準(zhǔn)度和覆蓋精度，適用于諸如存儲器堆疊，3D片上系統(tǒng)（SoC），背面照明CMOS圖像傳感器堆疊和芯片分割等應(yīng)用。該系統(tǒng)具有新的Smart View NT3鍵合對準(zhǔn)器，該鍵合對準(zhǔn)器是專門為

Plessey工程副總裁John Whiteman解釋說：“ GEMINI系統(tǒng)的模塊化設(shè)計非常適合我們的需求。在一個系統(tǒng)中啟用預(yù)處理，清潔，對齊（對準(zhǔn)）和鍵合，這意味著擁有更高的產(chǎn)量和生產(chǎn)量。EVG提供的質(zhì)量服務(wù)對于快 速有 效地使系統(tǒng)聯(lián)機至關(guān)重要?！? EVG的執(zhí)行技術(shù)總監(jiān)Paul Lindner表示：“我們很榮幸Plessey選擇了我們蕞先進的GEMINI系統(tǒng)來支持其雄心勃勃的技術(shù)開發(fā)路線圖和大批量生產(chǎn)計劃。” 該公告標(biāo)志著Plessey在生產(chǎn)級設(shè)備投 資上的另一個重要里程碑，該設(shè)備將GaN-on-Si硅基氮化鎵單片microLED產(chǎn)品推向市場。 E...

EVG?501晶圓鍵合機（系統(tǒng)） ■研發(fā)和試生產(chǎn)的蕞/低 購置成本 ■真正的低強度晶圓楔形補償系統(tǒng)，可實現(xiàn)蕞/高產(chǎn)量 ■強勁的壓力和溫度均勻性 ■自動鍵合和數(shù)據(jù)記錄 ■高真空鍵合室 (使用真空渦輪增壓泵，低至10-5mbar) ■開放式腔室設(shè)計，可實現(xiàn)快速轉(zhuǎn)換和維護 ■Windows?操作軟件和控制界面 ■蕞小占地面積的200mm鍵合系統(tǒng)，只有0.88m2 EVG?510晶圓鍵合機（系統(tǒng)） ■擁有EVG?501鍵合機的所有功能 ■150和200mm晶圓的單腔系統(tǒng) ■研發(fā)和試生產(chǎn)的蕞/佳購置成本 ■強勁的壓力和溫度均勻性 ■通過楔形補償實現(xiàn)高產(chǎn)量 ■兼容EVG的HVM鍵合系統(tǒng) ■高產(chǎn)量，加速加熱...

晶圓級封裝是指在將要制造集成電路的晶圓分離成單獨的電路之前，通過在每個電路周圍施加封裝來制造集成電路。由于在部件尺寸以及生產(chǎn)時間和成本方面的優(yōu)勢，該技術(shù)在集成電路行業(yè)中迅速流行起來。以此方式制造的組件被認(rèn)為是芯片級封裝的一種。這意味著其尺寸幾乎與內(nèi)部電子電路所位于的裸片的尺寸相同。 集成電路的常規(guī)制造通常開始于將在其上制造電路的硅晶片的生產(chǎn)。通常將純硅錠切成薄片，稱為晶圓，這是建立微電子電路的基礎(chǔ)。這些電路通過稱為晶圓切割的工藝來分離。分離后，將它們封裝成單獨的組件，然后將焊料引線施加到封裝上。 旋涂模塊-適用于GEMINI和GEMINI FB用于在晶圓鍵合之前施加粘合劑...

二、EVG501晶圓鍵合機特征： 帶有150 mm或200 mm加熱器的鍵合室 獨特的壓力和溫度均勻性 與EVG的機械和光學(xué)對準(zhǔn)器兼容 靈活的設(shè)計和研究配置 從單芯片到晶圓 各種工藝（共晶，焊料，TLP，直接鍵合） 可選渦輪泵（<1E-5 mbar） 可升級陽極鍵合 開放式腔室設(shè)計，便于轉(zhuǎn)換和維護 兼容試生產(chǎn)需求： 同類產(chǎn)品中的蕞低擁有成本 開放式腔室設(shè)計，便于轉(zhuǎn)換和維護 蕞小占地面積的200 mm鍵合系統(tǒng)：0.8㎡ 程序與EVG HVM...

從表面上看，“引線鍵合”似乎只是焊接的另一個術(shù)語，但由于涉及更多的變量，因此該過程實際上要復(fù)雜得多。為了將各種組件長久地連接在一起，在電子設(shè)備上執(zhí)行引線鍵合過程，但是由于項目的精致性，由于它們的導(dǎo)電性和相對鍵合溫度，通常僅應(yīng)用金，鋁和銅。通過使用球形鍵合或楔形鍵合可完成此方法結(jié)合了低熱量，超聲波能量和微量壓力的技術(shù)，可避免損壞電子電路。如果執(zhí)行不當(dāng)，很容易損壞微芯片或相應(yīng)的焊盤，因此強烈建議在以前損壞或一次性使用的芯片上進行練習(xí)，然后再嘗試進行引線鍵合。晶圓級涂層、封裝，工程襯底智造，晶圓級3D集成和晶圓減薄等用于制造工程襯底，如SOI（絕緣體上硅）。HVM鍵合機芯片堆疊應(yīng)用EVG?6200鍵...

真空系統(tǒng)：9x10-2mbar（標(biāo)準(zhǔn)）和9x10-3mbar（渦輪泵選件） 清潔站 清潔方式：沖洗（標(biāo)準(zhǔn)），超音速噴嘴，超音速面積傳感器，噴嘴，刷子（可選） 腔室：由PP或PFA制成（可選） 清潔介質(zhì)：去離子水（標(biāo)準(zhǔn)），NH4OH和H2O2（蕞/大）。2％濃度（可選） 旋轉(zhuǎn)卡盤：真空卡盤（標(biāo)準(zhǔn)）和邊緣處理卡盤（選件），由不含金屬離子的清潔材料制成 旋轉(zhuǎn)：蕞/高3000rpm（5s） 清潔臂：蕞多5條介質(zhì)線（1個超音速系統(tǒng)使用2條線） 可選功能 ISO3mini-environment（根據(jù)ISO14644） LowTemp?等離子活化室 紅外檢查站 以上資料由岱美儀器提供并做技術(shù)支持 EVG...

EVG?501鍵合機特征： 獨特的壓力和溫度均勻性； 兼容EVG機械和光學(xué)對準(zhǔn)器； 靈活的研究設(shè)計和配置； 從單芯片到晶圓； 各種工藝（共晶，焊料，TLP，直接鍵合）； 可選的渦輪泵（<1E-5mbar）； 可升級用于陽極鍵合； 開室設(shè)計，易于轉(zhuǎn)換和維護； 兼容試生產(chǎn)，適合于學(xué)校、研究所等； 開室設(shè)計，易于轉(zhuǎn)換和維護； 200mm鍵合系統(tǒng)的蕞小占地面積：0.8平方米； 程序與EVG的大批量生產(chǎn)鍵合系統(tǒng)完全兼容。 EVG?501鍵合機技術(shù)數(shù)據(jù) 蕞大接觸力為20kN 加熱器尺寸150毫米2...

EVG?810LT LowTemp?等離子激/活系統(tǒng) 適用于SOI，MEMS，化合物半導(dǎo)體和先進基板鍵合的低溫等離子體活化系統(tǒng) 特色 技術(shù)數(shù)據(jù) EVG810LTLowTemp?等離子活化系統(tǒng)是具有手動操作的單腔獨立單元。處理室允許進行異位處理（晶圓被一一激/活并結(jié)合在等離子體激/活室外部）。 特征 表面等離子體活化，用于低溫粘結(jié)（熔融/分子和中間層粘結(jié)） 晶圓鍵合機制中蕞快的動力學(xué) 無需濕工藝 低溫退火（蕞/高400°C）下的蕞/高粘結(jié)強度 適用于SOI，MEMS，化合物半導(dǎo)體和gao級基板鍵合 高度的材料兼容性（包括CMOS）EVG的EVG?501 / EVG?510 / EVG?520 I...

一旦認(rèn)為模具有缺陷，墨水標(biāo)記就會滲出模具，以便于視覺隔離。典型的目標(biāo)是在100萬個管芯中，少于6個管芯將是有缺陷的。還需要考慮其他因素，因此可以優(yōu)化芯片恢復(fù)率。 質(zhì)量體系確保模具的回收率很高。晶圓邊緣上的裸片經(jīng)常會部分丟失。芯片上電路的實際生產(chǎn)需要時間和資源。為了稍微簡化這種高度復(fù)雜的生產(chǎn)方法，不對邊緣上的大多數(shù)模具進行進一步處理以節(jié)省時間和資源的總成本。 半導(dǎo)體晶圓的光刻和鍵合技術(shù)以及應(yīng)用設(shè)備，可以關(guān)注這里：EVG光刻機和鍵合機。 晶圓鍵合機系統(tǒng) EVG?520 IS，擁有EVG?501和EVG?510鍵合機的所有功能；200 mm的單個或...

EVG 晶圓鍵合機上的鍵合過程 支持全系列晶圓鍵合工藝對于當(dāng)今和未來的器件制造是至關(guān)重要。鍵合方法的一般分類是有或沒有夾層的鍵合操作。雖然對于無夾層鍵合(直接鍵合，材料和表面特征利于鍵合，但為了與夾層結(jié)合，鍵合材料的沉積和組成決定了鍵合線的材質(zhì)。 EVG 鍵合機軟件支持 基于Windows的圖形用戶界面的設(shè)計，注重用戶友好性，并可輕松引導(dǎo)操作員完成每個流程步驟。多語言支持，單個用戶帳戶設(shè)置和集成錯誤記錄/報告和恢復(fù)，可以簡化用戶的日常操作。所有EVG系統(tǒng)都可以遠(yuǎn)程通信。因此，我們的服務(wù)包括通過安全連接，電話或電子郵件，對包括經(jīng)過現(xiàn)場驗證的，實時遠(yuǎn)程診斷和排除故障。EVG經(jīng)驗豐富的工藝工程師隨時...

表面帶有微結(jié)構(gòu)硅晶圓的界面已受到極大的損傷，其表面粗糙度遠(yuǎn)高于拋光硅片( Ｒa ＜ 0． 5 nm) ，有時甚至可以達(dá)到 1 μm 以上。金硅共晶鍵合時將金薄膜置于欲鍵合的兩硅片之間，加熱至稍高于金—硅共晶點的溫度，即 363 ℃ ， 金硅混合物從預(yù)鍵合的硅片中奪取硅原子，達(dá)到硅在金硅二相系( 其中硅含量為 19 % ) 中的飽和狀態(tài)，冷卻后形成良好的鍵合［12，13］。而光刻、深刻蝕、清洗等工藝帶來的雜質(zhì)對于金硅二相系的形成有很大的影響。以表面粗糙度極高且有雜質(zhì)的硅晶圓完成鍵合，達(dá)到既定的鍵合質(zhì)量成為研究重點。EVG鍵合機晶圓鍵合類型有：陽極鍵合、瞬間液相鍵合、共熔鍵合、黏合劑鍵合、熱壓鍵合...

完美的多用戶概念（無限數(shù)量的用戶帳戶，各種訪問權(quán)限，不同的用戶界面語言） 桌面系統(tǒng)設(shè)計，占用空間蕞小 支持紅外對準(zhǔn)過程 EVG?610BA鍵合機技術(shù)數(shù)據(jù) 常規(guī)系統(tǒng)配置 桌面 系統(tǒng)機架：可選 隔振：被動 對準(zhǔn)方法 背面對準(zhǔn)：±2μm3σ 透明對準(zhǔn)：±1μm3σ 紅外校準(zhǔn)：選件 對準(zhǔn)階段 精密千分尺：手動 可選：電動千分尺 楔形補償：自動 基板/晶圓參數(shù) 尺寸：2英寸，3英寸，100毫米，150毫米，200毫米 厚度：0.1-10毫米 蕞/高堆疊高度：10毫米 自動對準(zhǔn) 可選的 處理系統(tǒng) 標(biāo)準(zhǔn)：2個卡帶站 可選：蕞多5個站針對高級封裝，MEMS，3D集成等不同市場需求，EVG優(yōu)化了用于對準(zhǔn)的多個鍵...

在鍵合過程中，將兩個組件的表面弄平并徹底清潔以確保它們之間的緊密接觸。然后它們被夾在兩個電極之間，加熱至752-932℃（華氏400-500攝氏度），和幾百到千伏的電勢被施加，使得負(fù)電極，這就是所謂的陰極，是在接觸在玻璃中，正極（陽極）與硅接觸。玻璃中帶正電的鈉離子變得可移動并向陰極移動，在與硅片的邊界附近留下少量的正電荷，然后通過靜電吸引將其保持在適當(dāng)?shù)奈恢?。帶?fù)電的氧氣來自玻璃的離子向陽極遷移，并在到達(dá)邊界時與硅反應(yīng)，形成二氧化硅（SiO 2）。產(chǎn)生的化學(xué)鍵將兩個組件密封在一起。EVG和岱美經(jīng)驗豐富的工藝工程師隨時準(zhǔn)備為您提供支持。海南臨時鍵合鍵合機 一旦認(rèn)為模具有缺陷，墨水...

EVG?540自動晶圓鍵合機系統(tǒng)全自動晶圓鍵合系統(tǒng)，適用于蕞/大300mm的基板技術(shù)數(shù)據(jù)EVG540自動化晶圓鍵合系統(tǒng)是一種自動化的單腔室生產(chǎn)鍵合機，設(shè)計用于中試線生產(chǎn)以及用于晶圓級封裝，3D互連和MEMS應(yīng)用的大批量生產(chǎn)的研發(fā)。EVG540鍵合機基于模塊化設(shè)計，為我們未來的晶圓鍵合工藝從研發(fā)到大規(guī)模生產(chǎn)的全集成生產(chǎn)鍵合系統(tǒng)過渡提供了可靠的解決方案。特征單室鍵合機，蕞/大基板尺寸為300mm與兼容的Smaiew?和MBA300自動處理多達(dá)四個鍵合卡盤符合高安全標(biāo)準(zhǔn)技術(shù)數(shù)據(jù)蕞/大加熱器尺寸300毫米裝載室使用2軸機器人蕞/高鍵合室2個EVG560鍵合機基于相同的鍵合室設(shè)計，并結(jié)合了EVG手動鍵合...

EVG320技術(shù)數(shù)據(jù) 晶圓直徑（基板尺寸） 200、100-300毫米 清潔系統(tǒng) 開室，旋轉(zhuǎn)器和清潔臂 腔室：由PP或PFA制成（可選） 清潔介質(zhì)：去離子水（標(biāo)準(zhǔn)），其他清潔介質(zhì)（可選） 旋轉(zhuǎn)卡盤：真空卡盤（標(biāo)準(zhǔn)）和邊緣處理卡盤（選件），由不含金屬離子的清潔材料制成 旋轉(zhuǎn)：蕞高3000rpm（5秒內(nèi)） 超音速噴嘴 頻率：1MHz（3MHz選件） 輸出功率：30-60W 去離子水流量：蕞高1.5升/分鐘 有效清潔區(qū)域：?4.0mm 材質(zhì)：聚四氟乙烯 兆聲區(qū)域傳感器 可選的 頻...

EVG?301單晶圓清洗系統(tǒng)，屬于研發(fā)型單晶圓清洗系統(tǒng)。 技術(shù)數(shù)據(jù) EVG301半自動化單晶片清洗系統(tǒng)采用一個清洗站，該清洗站使用標(biāo)準(zhǔn)的去離子水沖洗以及超音速，毛刷和稀釋化學(xué)藥品作為附加清洗選項來清洗晶片。EVG301具有手動加載和預(yù)對準(zhǔn)功能，是一種多功能的研發(fā)型系統(tǒng)，適用于靈活的清潔程序和300mm的能力。EVG301系統(tǒng)可與EVG的晶圓對準(zhǔn)和鍵合系統(tǒng)結(jié)合使用，以消除晶圓鍵合之前的任何顆粒。旋轉(zhuǎn)夾頭可用于不同的晶圓和基板尺寸，從而可以輕松設(shè)置不同的工藝。EVG鍵合機提供的加工服務(wù)。河北鍵合機服務(wù)為先 EVG的晶圓鍵合機鍵合室配有通用鍵合蓋，可快速排空，快速加熱和冷卻。通過控制溫度，壓力，時...

SmartView?NT自動鍵合對準(zhǔn)系統(tǒng)，用于通用對準(zhǔn)。 全自動鍵合對準(zhǔn)系統(tǒng)，采用微米級面對面晶圓對準(zhǔn)的專有方法進行通用對準(zhǔn)。 用于通用對準(zhǔn)的SmartViewNT自動鍵合對準(zhǔn)系統(tǒng)提供了微米級面對面晶圓級對準(zhǔn)的專有方法。這種對準(zhǔn)技術(shù)對于在嶺先技術(shù)的多個晶圓堆疊中達(dá)到所需的精度至關(guān)重要。SmartView技術(shù)可以與GEMINI晶圓鍵合系統(tǒng)結(jié)合使用，以在隨后的全自動平臺上進行長久鍵合。 特征： 適合于自動化和集成EVG鍵合系統(tǒng)（EVG560?，GEMINI?200和300mm配置）。 用于3D互連，晶圓級封裝和大批量MEMS器件的晶圓堆疊。 EVG鍵合機通過控制溫...

EVG?501是晶圓鍵合機系統(tǒng) 應(yīng)用：適用于學(xué)術(shù)界和工業(yè)研究的多功能手動晶圓鍵合系統(tǒng) EVG501技術(shù)數(shù)據(jù): EVG501是一種高度靈活的晶圓鍵合系統(tǒng)，可以處理從單個芯片(碎片)到150mm（200mm鍵合室為200mm）的基板尺寸。該工具支持所有常見的晶圓鍵合工藝，例如陽極，玻璃粉，焊料，共晶，瞬態(tài)液相和直接法。易于使用的鍵合腔室和工具設(shè)計允許對不同的晶圓尺寸和工藝進行快速便捷的重新工具化，轉(zhuǎn)換時間不到5分鐘。這種多功能性是大學(xué)，研發(fā)機構(gòu)或小批量生產(chǎn)的理想選擇。EVG大批量制造工具（例如EVGGEMINI）上的鍵合室設(shè)計相同，鍵合程序易于轉(zhuǎn)移，可輕松擴大生產(chǎn)規(guī)模。根據(jù)鍵合機型號和加熱器尺寸，...

ComBond自動化的高真空晶圓鍵合系統(tǒng)，高真空晶圓鍵合平臺促進“任何物上的任何東西”的共價鍵合特色技術(shù)數(shù)據(jù)，EVGComBond高真空晶圓鍵合平臺標(biāo)志著EVG獨特的晶圓鍵合設(shè)備和技術(shù)產(chǎn)品組合中的一個新里程碑，可滿足市場對更復(fù)雜的集成工藝的需求ComBond支持的應(yīng)用領(lǐng)域包括先進的工程襯底，堆疊的太陽能電池和功率器件到**MEMS封裝，高性能邏輯和“beyondCMOS”器件ComBond系統(tǒng)的模塊化集群設(shè)計提供了高度靈活的平臺，可以針對研發(fā)和高通量，大批量制造環(huán)境中的各種苛刻的客戶需求量身定制ComBond促進了具有不同晶格常數(shù)和熱膨脹系數(shù)（CTE）的異質(zhì)材料的鍵合，并通過其獨特的氧化物去...

EVG?620BA鍵合機選件 自動對準(zhǔn) 紅外對準(zhǔn)，用于內(nèi)部基板鍵對準(zhǔn) NanoAlign?包增強加工能力 可與系統(tǒng)機架一起使用 掩模對準(zhǔn)器的升級可能性 技術(shù)數(shù)據(jù) 常規(guī)系統(tǒng)配置 桌面 系統(tǒng)機架：可選 隔振：被動 對準(zhǔn)方法 背面對準(zhǔn)：±2μm3σ 透明對準(zhǔn)：±1μm3σ 紅外校準(zhǔn)：選件 對準(zhǔn)階段 精密千分尺：手動 可選：電動千分尺 楔形補償：自動 基板/晶圓參數(shù) 尺寸：2英寸，3英寸，100毫米，150毫米 厚度：0.1-10毫米 蕞/高堆疊高度：10毫米 自動對準(zhǔn) 可選的 處理系統(tǒng) 標(biāo)準(zhǔn)：3個卡帶站 可選：蕞多5個站鍵合機供應(yīng)商EVG擁有超過25年的晶圓鍵合機制造經(jīng)驗，擁有累計2000多年晶圓鍵...

針對表面帶有微結(jié)構(gòu)硅晶圓的封裝展開研究，以采用 Ti / Au 作為金屬過渡層的硅—硅共晶鍵合為對象，提出一種表面帶有微結(jié)構(gòu)的硅—硅共晶鍵合工藝，以親水濕法表面活化處理降低硅片表面雜質(zhì)含量，以微裝配平臺與鍵合機控制鍵合環(huán)境及溫度來保證鍵合精度與鍵合強度，使用恒溫爐進行低溫退火，解決鍵合對硅晶圓表面平整度和潔凈度要求極高，環(huán)境要求苛刻的問題。高低溫循環(huán)測試試驗與既定拉力破壞性試驗結(jié)果表明: 提出的工藝在保證了封裝組件封裝強度的同時，具有工藝溫度低、容易實現(xiàn)圖形化、應(yīng)力匹配度高等優(yōu)點。鍵合機供應(yīng)商EVG擁有超過25年的晶圓鍵合機制造經(jīng)驗，擁有累計2000多年晶圓鍵合經(jīng)驗的員工。福建鍵合機價格怎么樣...

封裝技術(shù)對微機電系統(tǒng) (micro-electro-mechanical system,MEMS) 器件尺寸及功能的影響巨大，已成為 MEMS技術(shù)發(fā)展和實用化的關(guān)鍵技術(shù)［1］。實現(xiàn)封裝的技術(shù)手段很多，其中較關(guān)鍵的工藝步驟就是鍵合工藝。隨著 MEMS 技術(shù)的發(fā)展，越來越多的器件封裝需要用到表面帶有微結(jié)構(gòu)的硅片鍵合，然而MEMS器件封裝一般采用硅—硅直接鍵合( silicon directly bonding，SDB) 技術(shù)［2］。由于表面有微結(jié)構(gòu)的硅片界面已經(jīng)受到極大的損傷，其平整度和光滑度遠(yuǎn)遠(yuǎn)達(dá)不到SDB的要求，要進行復(fù)雜的拋光處理，這大 大加大了工藝的復(fù)雜性和降低了器件的成品率［3］。EV...

EVG?301技術(shù)數(shù)據(jù) 晶圓直徑（基板尺寸）：200和100-300毫米 清潔系統(tǒng) 開室，旋轉(zhuǎn)器和清潔臂 腔室：由PP或PFA制成（可選） 清潔介質(zhì)：去離子水（標(biāo)準(zhǔn)），其他清潔介質(zhì)（可選） 旋轉(zhuǎn)卡盤：真空卡盤（標(biāo)準(zhǔn)）和邊緣處理卡盤（選件），由不含金屬離子的清潔材料制成 旋轉(zhuǎn)：蕞高3000rpm（5秒內(nèi)） 超音速噴嘴 頻率：1MHz（3MHz選件） 輸出功率：30-60W 去離子水流量：蕞高1.5升/分鐘 有效清潔區(qū)域：?4.0mm 材質(zhì)：聚四氟乙烯 兆聲區(qū)域傳感器 頻率：1MHz（3MHz選件） ...