影響磁控靶濺射電壓的主要因素有：靶面磁場(chǎng)、靶材材質(zhì)、氣體壓強(qiáng)、陰-陽(yáng)極間距等。本文詳細(xì)分析這些因素距對(duì)靶濺射電壓的影響。   一、 靶面磁場(chǎng)對(duì)靶濺射電壓的影響 1. 磁控靶的陰極工作電壓，隨著靶面磁場(chǎng)的增加而降低，也隨著靶面的濺射刻蝕槽加深而降低。濺射電流也隨著靶面的濺射刻蝕槽加深而加大。這是因?yàn)榘械臑R射刻蝕槽面會(huì)越來(lái)越接近靶材后面的磁鋼的強(qiáng)磁場(chǎng)。因此，靶材的厚度是有限制的。較厚的非磁性靶材能夠在較強(qiáng)的磁場(chǎng)中使用。   2. 鐵磁性靶材會(huì)對(duì)磁控靶的濺射造成影響，由于大部分磁力線從鐵磁性材料內(nèi)部通過(guò)，使靶材表面磁場(chǎng)減少，需要很高電壓才能讓靶面點(diǎn)火起輝。除非磁場(chǎng)非常的強(qiáng)，否則磁性材靶材必須比非磁性材料要薄，才能起輝和正常運(yùn)行(永磁結(jié)構(gòu)的Ni靶的典型值<0.16cm，磁控靶非特殊設(shè)計(jì)最大值一般不宜超過(guò)3mm，F(xiàn)e，co靶的最大值不超過(guò)2mm;電磁結(jié)構(gòu)的靶可以濺射厚一些的靶材，甚至可達(dá)6mm厚)才能起輝和正常運(yùn)行。正常工作時(shí)，磁控靶靶材表面的磁場(chǎng)強(qiáng)度為0.025T~0.05T左右;靶材濺射刻蝕即將穿孔時(shí)，其靶材表面的磁場(chǎng)強(qiáng)度大為提高，接近或大于0.1T左右。靶材安裝及注意事項(xiàng)有哪些？蘇州鍍膜靶廠商

靶材材質(zhì)對(duì)靶濺射電壓的影響   1. 在真空條件不變的條件下,不同材質(zhì)與種類靶材對(duì)磁控靶的正常濺射電壓會(huì)產(chǎn)生一定的影響。   2. 常用的靶材(如銅Cu、鋁Al、鈦Ti?)的正常濺射電壓一般在400~600V的范圍內(nèi)。   3. 有的難濺射的靶材(如錳Mn、鉻Cr等) 的濺射電壓比較高, 一般需>700V以上才能完成正常磁控濺射過(guò)程;而有的靶材(如氧化銦錫ITO) 的濺射電壓比較低，可以在200多伏電壓時(shí)實(shí)現(xiàn)正常的磁控濺射沉積鍍膜。   4. 實(shí)際鍍膜過(guò)程中，由于工作氣體壓力變化，或陰極與陽(yáng)極間距偏小(使真空腔體內(nèi)阻抗特性發(fā)生變化)，或真空腔體與磁控靶的機(jī)械尺寸不匹配，同時(shí)選用了輸出特性較軟的靶電源等原因，導(dǎo)致磁控靶的濺射電壓(即靶電源輸出電壓)遠(yuǎn)低于正常濺射示值，則可能會(huì)出現(xiàn)靶前存雖然呈現(xiàn)出很亮的光圈，就是不能見(jiàn)到靶材離子相應(yīng)顏色的泛光，以至不能濺射成膜的狀況。武漢釔鐵石榴石靶價(jià)錢七．濺射靶材的制備方法有哪些？

而射頻濺射的使用范圍更為***，除可濺射導(dǎo)電材料外，也可濺射非導(dǎo)電的材料，同時(shí)還司進(jìn)行反應(yīng)濺射制備氧化物、氮化物和碳化物等化合物材料。濺射靶材射頻的頻率提高后就成為微波等離子體濺射，目前常用的有電子回旋共振(ECR)型微波等離子體濺射。

三．真空鍍膜中靶材中毒會(huì)出現(xiàn)哪些想象，如何解決？

1、靶面金屬化合物的形成。

由金屬靶面通過(guò)反應(yīng)濺射工藝形成化合物的過(guò)程中，化合物是在哪里形成的呢？由于活性反應(yīng)氣體粒子與靶面原子相碰撞產(chǎn)生化學(xué)反應(yīng)生成化合物原子，通常是放熱反應(yīng)，反應(yīng)生成熱必須有傳導(dǎo)出去的途徑，否則，該化學(xué)反應(yīng)無(wú)法繼續(xù)進(jìn)行。在真空條件下氣體之間不可能進(jìn)行熱傳導(dǎo)，所以，化學(xué)反應(yīng)必須在一個(gè)固體表面進(jìn)行。反應(yīng)濺射生成物在靶表面、基片表面、和其他結(jié)構(gòu)表面進(jìn)行。

電致變色智能玻璃的特點(diǎn)：電致變色智能玻璃在電場(chǎng)作用下具有光吸收透過(guò)的可調(diào)節(jié)性，可選擇性地吸收或反射外界的熱輻射和內(nèi)部的熱的擴(kuò)散，減少辦公大樓和民用住宅在夏季保持涼爽和冬季保持溫暖而必須消耗的大量能源。同時(shí)起到改善自然光照程度、防窺的目的。解決現(xiàn)代不斷惡化的城市光污染問(wèn)題。是節(jié)能建筑材料的一個(gè)發(fā)展方向。調(diào)光玻璃的調(diào)光原理是：在自然狀態(tài)下（斷電不加電場(chǎng)），它內(nèi)部液晶的排列是無(wú)規(guī)則的，液晶的折射率比外面聚合物的折射率低，入射光在聚合物上發(fā)生散射，呈乳白色，即不透明。當(dāng)加上電場(chǎng)（通電）以后，有彌散分布液晶的聚合物內(nèi)液滴重新排列，液晶從無(wú)序排列變?yōu)槎ㄏ蛴行蚺帕?，使液晶的折射率與聚合物的折射率相等，入射光完全可以通過(guò)，形成透明狀態(tài)。為確保足夠的導(dǎo)熱性，可以在陰極冷卻壁與靶材之間加墊一層石墨紙。

非晶硅薄膜的制備方法   非晶硅薄膜的制備方法有很多，如低壓化學(xué)氣相沉積(LPCVD)，等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)，直流(射頻)磁控濺射等。生長(zhǎng)多晶硅薄膜的方法有：化學(xué)氣相沉積包括低壓化學(xué)氣相沉積(LPCVD)、大氣壓強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(APCVD)、等離子體化學(xué)氣相沉積(PCVD)以及液相生長(zhǎng)、激光再晶化和固相晶化法(SPC)等。固相晶化法是指在(高溫)退火的條件下，使固態(tài)非晶硅薄膜的硅原子被、重組，從而轉(zhuǎn)化為多晶硅薄膜。它的特點(diǎn)是非晶固體發(fā)生晶化的溫度低于其熔融后結(jié)晶的溫度。常規(guī)高溫爐退火、快速熱退火、金屬誘導(dǎo)晶化、微波誘導(dǎo)晶化等都屬于固相晶化的范疇。本文采用PECVD 和磁控濺射方法在不同的條件下制備了a- Si: H 和a- Si 薄膜，并采取高溫退火和激光誘導(dǎo)晶化的方式，利用X- 射線衍射及拉曼光譜，對(duì)制備的非晶硅薄膜晶化過(guò)程進(jìn)行了系統(tǒng)地研究。通常是放熱反應(yīng)，反應(yīng)生成熱必須有傳導(dǎo)出去的途徑，否則，該化學(xué)反應(yīng)無(wú)法繼續(xù)進(jìn)行。武漢釔鐵石榴石靶價(jià)錢

由于所使用冷卻水的潔凈程度和設(shè)備運(yùn)行過(guò)程中可能會(huì)產(chǎn)生的污垢會(huì)沉積在陰極冷卻水槽內(nèi)。蘇州鍍膜靶廠商

（2）金屬靶材與化合物靶材本來(lái)濺射速率就不一樣，一般情況下金屬的濺射系數(shù)要比化合物的濺射系數(shù)高，所以靶中毒后濺射速率低。（3）反應(yīng)濺射氣體的濺射效率本來(lái)就比惰性氣體的濺射效率低，所以反應(yīng)氣體比例增加后，綜合濺射速率降低。

5、靶中毒的解決辦法

（1）采用中頻電源或射頻電源。

（2）采用閉環(huán)控制反應(yīng)氣體的通入量。

（3）采用孿生靶

（4）控制鍍膜模式的變換：在鍍膜前，采集靶中毒的遲滯效應(yīng)曲線，使進(jìn)氣流量控制在產(chǎn)生靶中毒的前沿，確保工藝過(guò)程始終處于沉積速率陡降前的模式。 蘇州鍍膜靶廠商

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