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來源: 發(fā)布時間:2025-06-03

1:小功率塑封雙向可控硅通常用作聲光控?zé)艄庀到y(tǒng)。額定電流:IA小于2A。2:大;**率塑封和鐵封可控硅通常用作功率型可控調(diào)壓電路。像可調(diào)壓輸出直流電源等等。3:大功率高頻可控硅通常用作工業(yè)中;高頻熔煉爐等。可控硅從外形上分主要有螺旋式、平板式和平底式三種,螺旋式的應(yīng)用較多。可控硅有三個電極---陽極(A)陰極(C)和控制極(G)。它有管芯是P型導(dǎo)體和N型導(dǎo)體交迭組成的四層結(jié)構(gòu),共有三個PN結(jié)。可控硅和只有一個PN結(jié)的硅整流二極度管在結(jié)構(gòu)上迥然不同??煽毓璧乃膶咏Y(jié)構(gòu)和控制極的引用,為其發(fā)揮“以小控大”的優(yōu)異控制特性奠定了基礎(chǔ)。在應(yīng)用可控硅時,只要在控制極加上很小的電流或電壓,就能控制很大的陽極電流或電壓。電流容量達幾百安培以至上千安培的可控硅元件。一般把5安培以下的可控硅叫小功率可控硅,50安培以上的可控硅叫大功率可控硅。額定通態(tài)平均電流IT 在一定條件下,陽極---陰極間可以連續(xù)通過的50赫茲正弦半波電流的平均值。嘉定區(qū)如何晶閘管費用

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應(yīng)用類型雙向可控硅的特性曲線圖4示出了雙向可控硅的特性曲線。由圖可見,雙向可控硅的特性曲線是由一、三兩個象限內(nèi)的曲線組合成的。***象限的曲線說明當(dāng)加到主電極上的電壓使Tc對T1的極性為正時,我們稱為正向電壓,并用符號U21表示。當(dāng)這個電壓逐漸增加到等于轉(zhuǎn)折電壓UBO時,圖3(b)左邊的可控硅就觸發(fā)導(dǎo)通,這時的通態(tài)電流為I21,方向是從T2流向Tl。從圖中可以看到,觸發(fā)電流越大,轉(zhuǎn)折電壓就越低,這種情形和普通可控硅的觸發(fā)導(dǎo)通規(guī)律是一致的, 當(dāng)加到主電極上的電壓使Tl對T2的極性為正時,叫做反向電壓,并用符號U12表示。當(dāng)這個電壓達到轉(zhuǎn)折電壓值時,圖3(b)觸發(fā)導(dǎo)通,這時的電流為I12,其方向是從T1到T2。這時雙向可控硅的特性曲線,如圖4中第三象限所示。靜安區(qū)哪里晶閘管聯(lián)系人按關(guān)斷速度分類:可控硅按其關(guān)斷速度可分為普通可控硅和高頻(快速)可控硅。

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測量方法鑒別可控硅三個極的方法很簡單,根據(jù)P-N結(jié)的原理,只要用萬用表測量一下三個極之間的電阻值就可以。陽極與陰極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上,陽極和控制極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上(它們之間有兩個P-N結(jié),而且方向相反,因此陽極和控制極正反向都不通) [1]??刂茦O與陰極之間是一個P-N結(jié),因此它的正向電阻大約在幾歐-幾百歐的范圍,反向電阻比正向電阻要大??墒强刂茦O二極管特性是不太理想的,反向不是完全呈阻斷狀態(tài)的,可以有比較大的電流通過,因此,有時測得控制極反向電阻比較小,并不能說明控制極特性不好。

再由這三組英文名詞的較早字母組合而成:“BCR”中文譯意:雙向可控硅。以“BCR”來命名雙向可控硅的典型廠家如日本三菱,如:BCR1AM-12、BCR8KM、BCR08AM等等。雙 向:Bi-directional(取***個字母)三 端:Triode(取***個字母)由以上兩組單詞組合成“BT”,也是對雙向可控硅產(chǎn)品的型號命名,典型的生產(chǎn)商如:意法ST公司、荷蘭飛利浦-Philips公司,均以此來命名雙向可控硅。**型號如:PHILIPS的BT131-600D、BT134-600E、BT136-600E、BT138-600E、BT139-600E、等等。這些都是四象限/非絕緣型/雙向可控硅;可控硅為什么其有“以小控大”的可控性呢?下面我們用圖表-27來簡單分析可控硅的工作原理。

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(二)按引腳和極性分類:可控硅按其引腳和極性可分為二極可控硅、三極可控硅和四極可控硅??煽毓栝_關(guān)(三)按封裝形式分類:可控硅按其封裝形式可分為金屬封裝可控硅、塑封可控硅和陶瓷封裝可控硅三種類型。其中,金屬封裝可控硅又分為螺栓形、平板形、圓殼形等多種;塑封可控硅又分為帶散熱片型和不帶散熱片型兩種。(四)按電流容量分類:可控硅按電流容量可分為大功率可控硅、**率可控硅和小功率可控硅三種。通常,大功率可控硅多采用金屬殼封裝,而中、小功率可控硅則多采用塑封或陶瓷封裝。反向阻斷峰值電壓VPR 當(dāng)可控硅加反向電壓,處于反向關(guān)斷狀態(tài)時,可以重復(fù)加在可控硅兩端的反向峰值電壓。靜安區(qū)哪里晶閘管聯(lián)系人

控制極觸發(fā)電流(IGT),俗稱觸發(fā)電流。常用可控硅的IGT一般為幾微安到幾十毫安。嘉定區(qū)如何晶閘管費用

可控硅是可控硅整流元件的簡稱,是一種具有三個PN 結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件,一般由兩晶閘管反向連接而成.它的功用不僅是整流,還可以用作無觸點開關(guān)以快速接通或切斷電路,實現(xiàn)將直流電變成交流電的逆變,將一種頻率的交流電變成另一種頻率的交流電等等??煽毓韬推渌雽?dǎo)體器件一樣,具有體積小、效率高、穩(wěn)定性好、工作可靠等優(yōu)點。它的出現(xiàn),使半導(dǎo)體技術(shù)從弱電領(lǐng)域進入了強電領(lǐng)域,成為工業(yè)、農(nóng)業(yè)、交通運輸、***科研以至商業(yè)、民用電器等方面爭相采用的元件。嘉定區(qū)如何晶閘管費用

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